Экзаменационная работа по электронике
-
Категории:
******* Не известно, Электроника, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
16.01.2016
-
Размер:
2 MB
-
Покупок:
5
-
Добавил:
Dctjnkbxyj789
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
ЭР_Электроника.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Вопрос №1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП.
Вопрос №2.
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3.
- Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа;
- Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления
Вопрос №2.
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3.
- Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа;
- Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен Оценка: Хорошо
Дата оценки: июнь 2014
Рецензия: Уважаемая________, Характеристики на рисунках 3,2 и 3,3 не соответствуют заданию
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен Оценка: Хорошо
Дата оценки: июнь 2014
Рецензия: Уважаемая________, Характеристики на рисунках 3,2 и 3,3 не соответствуют заданию
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Экзаменационная работа по Электронике
Jurgen
: 12 января 2012
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным
Jurgen
: 12 января 2012
170 руб.
Экзаменационная работа по электронике
nikodum
: 15 января 2011
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и канал
nikodum
: 15 января 2011
150 руб.
Экзаменационная работа по электронике. Билет 14
sanco25
: 6 февраля 2012
1. Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП.
В ПТ управление выходным током происходит под действием электрического поля. У полевых транзисторов со структурой МДП изменение выходного тока происходит за счет изменения концентрации носителей заряда.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определи
sanco25
: 6 февраля 2012
90 руб.
Экзаменационная работа. Электроника.
Entimos
: 16 ноября 2018
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характе
Entimos
: 16 ноября 2018
75 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
rambox360
: 25 января 2016
1.Структурные схемы и поколения ОУ.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и п
rambox360
: 25 января 2016
100 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
Teuserer
: 18 декабря 2015
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные
Teuserer
: 18 декабря 2015
50 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
pepol
: 16 декабря 2014
1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзис
pepol
: 16 декабря 2014
50 руб.
Экзаменационная работа по Электронике, билет №12, 4 семестр.
SybNet
: 14 ноября 2012
Экзаменационная работа по Электронике, билет №12, 4 семестр.
1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-
SybNet
: 14 ноября 2012
100 руб.
Другие работы
Лабораторная работа №3. Линейные модели. Вариант №1
Nik001
: 29 октября 2020
Входные данные:
К заданию на лабораторную работу прилагаются файлы, в которых представлены данные переданных импульсов и импульсов на приемнике в виде комплексных чисел.
Задание:
В рамках выполнения лабораторной работы предлагается решить реальную практическую задачу, над решением которой работают крупные телекоммуникационные компании и коллективы учёных. Речь идёт о задаче компенсации нелинейных искажений, возникающих при передаче данных по волоконно-оптическим каналам связи.
Нелинейные искажен
Nik001
: 29 октября 2020
250 руб.
Бруй Л.П. Техническая термодинамика ТОГУ Задача 4 Вариант 85
Z24
: 13 января 2026
Расчет процесса адиабатического расширения водяного пара
Рабочее тело – водяной пар, имеющий в начальном состоянии давление р1 и температуру t1 (табл. 5). Масса рабочего тела – M (табл. 5). Пар расширяется до давления p2 (табл. 5).
Схематически построить процесс адиабатического расширения водяного пара в диаграмме h-s.
Определить:
1) удельный объем и энтальпию пара в начальном состоянии;
2) температуру, удельный объем, степень сухости и энтальпию пара в конечном состоянии;
3) зна
Z24
: 13 января 2026
200 руб.
Неструктурированная память. Указатели. Интерпретация данных.
vlad995
: 27 апреля 2016
Захватить один кусок памяти размером N Кбайт. Заполнить его нулями. Захватить другой кусок памяти размером M Кбайт памяти и записать туда строку S. Оставшиеся байты должны быть случайными (равномерно распределенными). Затем требуется заполнить первый кусок памяти с выравниванием на N/M байт. Вывести в консольном режиме:
a) Байтовую картину памяти первого куска (в десятичном и шестнадцатеричном виде - опционально)
b) Четырехбайтную (беззнаковую) картину памяти первого куска
c) Четырехбайтную (зна
vlad995
: 27 апреля 2016
50 руб.
Гидравлика Севмашвтуз 2016 Задача 52 Вариант 9
Z24
: 2 ноября 2025
Определить время полного хода поршня гидроцилиндра при движении против нагрузки, если давление на входе в дроссель рн, давление на сливе рс. Нагрузка вдоль штока F, коэффициент расхода дросселя μ=0,62, диаметр отверстия в дросселе dдр=1 мм, плотность масла ρ=900 кг/м³, диаметры: цилиндра D, штока d, ход штока L (на рис. 38).
Z24
: 2 ноября 2025
180 руб.
