Экзаменационная работа по электронике

Цена:
70 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 362510DE-76B4-43AE-940D-2644836DB0B1.rar [1 MB]
material.view.file_icon ЭР_Электроника.docx [6 MB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Вопрос №1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП.
Вопрос №2.
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3.
- Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа;
- Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен Оценка: Хорошо
Дата оценки: июнь 2014
Рецензия: Уважаемая________, Характеристики на рисунках 3,2 и 3,3 не соответствуют заданию

Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Экзаменационная работа по Электронике
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Jurgen : 12 января 2012
170 руб.
Экзаменационная работа по электронике
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и канал
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User nikodum : 15 января 2011
150 руб.
Экзаменационная работа по электронике. Билет 14
1. Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП. В ПТ управление выходным током происходит под действием электрического поля. У полевых транзисторов со структурой МДП изменение выходного тока происходит за счет изменения концентрации носителей заряда. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определи
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User sanco25 : 6 февраля 2012
90 руб.
Экзаменационная работа. Электроника.
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характе
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Entimos : 16 ноября 2018
75 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
1.Структурные схемы и поколения ОУ. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и п
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User rambox360 : 25 января 2016
100 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Teuserer : 18 декабря 2015
50 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзис
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User pepol : 16 декабря 2014
50 руб.
Экзаменационная работа по Электронике, билет №12, 4 семестр.
Экзаменационная работа по Электронике, билет №12, 4 семестр. 1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User SybNet : 14 ноября 2012
100 руб.

Другие работы

Человеко-машинное взаимодействие. Курсовая работа. Вариант №8
- Провести первые 4 этапа проблемно-центрированного дизайна (до чернового описания включительно) программного продукта, помогающего пользователю в решении описанной ниже задачи (10 вариантов). Постарайтесь найти одного–двух человек, которые могут быть заинтересованы в решении предложенной проблемы. Дайте их краткое описание (возраст, образование, профессия, навыки и т.п.), ваше понимание задач и подзадач, решение которых будет поддерживать разрабатываемая программа. Ответьте на вопрос, что вы мо
Человеко-машинное взаимодействие СибГУТИ Работа Курсовая
User rt : 28 ноября 2015
200 руб.
Задание 16. Вариант 10 - Комплексный чертеж отрезков
Возможные программы для открытия данных файлов: WinRAR (для распаковки архива *.zip или *.rar) КОМПАС 3D не ниже 16 версии для открытия файлов *.cdw, *.m3d Любая программа для ПДФ файлов. Боголюбов С.К. Индивидуальные задания по курсу черчения, 1989/1994/2007. Задание 16. Вариант 10 - Комплексный чертеж отрезков. По заданным координатам концов отрезков АВ и CD построить комплексный чертеж. Определить взаимное положение отрезков. В состав выполненной работы входят 2 файла: 1. Чертеж формата А
Чертежи Начертательная геометрия
User Чертежи по сборнику Боголюбова 2007 : 30 сентября 2024
80 руб.
Задание 16. Вариант 10 - Комплексный чертеж отрезков
Контрольные работы по физическим основам электроники
ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗАДАЧА 3 Для данного транзистора на част
Электроника Работа Контрольная
User Aronitue9 : 3 сентября 2011
50 руб.
Гидравлика УрИ ГПС МЧС Задание 7 Вариант 76
Ответить на теоретические вопросы: Каковы причины возникновения гидравлического удара? Как изменяется во времени давление у задвижки при гидравлическом ударе? Что такое прямой и непрямой гидравлический удар? Как рассчитать величину повышения давления в трубопроводе при прямом и непрямом гидравлическом ударе? Отчего зависит скорость ударной волны? Приведите примеры возникновения гидравлического удара при эксплуатации пожарной техники. Как можно уменьшить или предотвратить ударное повышение да
Задачи Гидравлика
User Z24 : 27 марта 2026
120 руб.
Гидравлика УрИ ГПС МЧС Задание 7 Вариант 76
up Наверх