Экзаменационная работа по электронике
-
Категории:
******* Не известно, Электроника, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
16.01.2016
-
Размер:
2 MB
-
Покупок:
5
-
Добавил:
Dctjnkbxyj789
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
ЭР_Электроника.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Вопрос №1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП.
Вопрос №2.
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3.
- Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа;
- Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления
Вопрос №2.
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3.
- Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа;
- Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен Оценка: Хорошо
Дата оценки: июнь 2014
Рецензия: Уважаемая________, Характеристики на рисунках 3,2 и 3,3 не соответствуют заданию
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен Оценка: Хорошо
Дата оценки: июнь 2014
Рецензия: Уважаемая________, Характеристики на рисунках 3,2 и 3,3 не соответствуют заданию
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Экзаменационная работа по Электронике
Jurgen
: 12 января 2012
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным
Jurgen
: 12 января 2012
170 руб.
Экзаменационная работа по электронике
nikodum
: 15 января 2011
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и канал
nikodum
: 15 января 2011
150 руб.
Экзаменационная работа по электронике. Билет 14
sanco25
: 6 февраля 2012
1. Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП.
В ПТ управление выходным током происходит под действием электрического поля. У полевых транзисторов со структурой МДП изменение выходного тока происходит за счет изменения концентрации носителей заряда.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определи
sanco25
: 6 февраля 2012
90 руб.
Экзаменационная работа. Электроника.
Entimos
: 16 ноября 2018
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характе
Entimos
: 16 ноября 2018
75 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
rambox360
: 25 января 2016
1.Структурные схемы и поколения ОУ.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и п
rambox360
: 25 января 2016
100 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
Teuserer
: 18 декабря 2015
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные
Teuserer
: 18 декабря 2015
50 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
pepol
: 16 декабря 2014
1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзис
pepol
: 16 декабря 2014
50 руб.
Экзаменационная работа по Электронике, билет №12, 4 семестр.
SybNet
: 14 ноября 2012
Экзаменационная работа по Электронике, билет №12, 4 семестр.
1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-
SybNet
: 14 ноября 2012
100 руб.
Другие работы
Форма и структура государства
Aronitue9
: 18 ноября 2012
План.
1 Понятие формы государства и ее структура.
2.Форма правления,ее виды и их различия.
а)Монархия.
б)Республика.
3.Формы государственного устройства
а)Унитарное.
б)Федеративное.
в) Конфедеративное.
г)Империя.
4. Формы государственного режима.
а)Авторитарный.
б)Демократический.
5.Причины и особенности изменения форм государственного
и политического режима.
В теории государства и права, равно как и в некоторых иных
Aronitue9
: 18 ноября 2012
5 руб.
Сравнительное изучение социально-психологической адаптированности студентов мужского и женского пола
alfFRED
: 13 октября 2013
1. Определение термина «адаптированности». Фундаментальная типология индивидуальности
Судьба человека во многом определяется уровнем его адаптивности – врожденной и приобретенной способности к приспособлению ко всему многообразию жизни при любых условиях. Есть высоко-, средне- и низкоадаптивные люди. Врожденные основы адаптивности – это инстинкты, темперамент, конституция тела, эмоции, врожденные задатки интеллекта и способностей, внешние данные и физическое состояние организма. Уровень адаптив
alfFRED
: 13 октября 2013
Теплотехника ЮУрГАУ 2017 Задача 2 Цикл ДВС Вариант 29
Z24
: 5 декабря 2025
Идеальный цикл двигателя внутреннего сгорания с комбинированным подводом теплоты
Цикл осуществляется одним кг воздуха, как идеальным газом,
где R – газовая постоянная R = 287 Дж/(кг•К);
ср — удельная теплоемкость при постоянном давлении, ср =1009 Дж/(кг•К);
сυ — удельная теплоемкость при постоянном объеме, ср =721 Дж/(кг•К);
ε — степень сжатия ε = υ1/υ2;
λ — степень повышения давления λ = р3/р2;
ρ — степень предварительного расширения ρ = υ4/υ3.
Исходные данные принять по таблице 1
Зада
Z24
: 5 декабря 2025
500 руб.
Влияние семьи на становление личности
Qiwir
: 27 августа 2013
Содержание
Введение ………………………….……………………………………………………3
Глава 1. Понятие о личности.
1.1. Что такое личность …………………………………………………….5
1.2. Этапы формирования личности ………………………………………6
Глава 2. Влияние семьи на становление личности.
2.1. Факторы, влияющие на становление личности …………………….38
2.2. Система взаимоотношений в семье и стили родительского поведения ……………………………………………………………………39
2.3. Влияние неполной семьи на становление личности ……………….51
Заключение …..………………………………………………………
Qiwir
: 27 августа 2013
10 руб.
