Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
-
Категории:
СибГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
27.01.2016
-
Размер:
141 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
nvm1604
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
КР_устр-ва оптоэлектроники.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасного, видимого или ультрафиолетового излучения. Основным элементом фоторезисторов является полупроводниковая пластина, сопротивление которой при освещении меняется.
Конструктивно фоторезистор представляет собой пластину полупроводника, на поверхности которой нанесены электропроводные электроды. Принципиально возможны две конструкции фоторезисторов, представленные на рис.1: поперечная (рис. 1а) и продольная (рис. 1б).
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасного, видимого или ультрафиолетового излучения. Основным элементом фоторезисторов является полупроводниковая пластина, сопротивление которой при освещении меняется.
Конструктивно фоторезистор представляет собой пластину полупроводника, на поверхности которой нанесены электропроводные электроды. Принципиально возможны две конструкции фоторезисторов, представленные на рис.1: поперечная (рис. 1а) и продольная (рис. 1б).
Дополнительная информация
Работа зачтена
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
karimoverkin
: 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
ART1800
: 8 мая 2013
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 30
Учеба "Под ключ"
: 4 сентября 2022
Номер варианта для решения первой и третьей задач должен соответствовать последней цифре Вашего пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре вашего пароля.
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 0
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод на основе p-n-перехода
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэ
Учеба "Под ключ"
: 4 сентября 2022
600 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 07
SibGOODy
: 14 сентября 2018
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1 – Исходные данные
№ варианта: 7
Тип фотоприемника: Фототранзистор
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
№ варианта: 0
Тип ПП материала: Ge
Кван
SibGOODy
: 14 сентября 2018
400 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 18
SibGOODy
: 7 августа 2018
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
№ варианта: 8
Тип фотоприемника: Фототиристор
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
№ варианта: 1
Тип ПП материала: Si
Квантовая эффективность, n: 0,7
Ши
SibGOODy
: 7 августа 2018
450 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 09
SibGOODy
: 15 июля 2018
Задача No1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
No варианта: 9
Тип фотоприемника: Фоторезистор
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Исходные данные.
No варианта: 0
Тип ПП материала: Ge
SibGOODy
: 15 июля 2018
400 руб.
Другие работы
Практическое задание №1.УП.
studypro3
: 4 июля 2019
Практическое задание №1
«Разбор и составление описания проекта»
В рамках темы 1.2 «Жизненный цикл и участники проекта» обучаю-щимся предлагается выполнить Практическое задание №1 «Разбор и состав-ление описания проекта».
Каждый обучающийся придумывает свой «домашний проект», руко-водствуясь примером домашнего проекта «Ремонт гостиной» (см. рис. 1). Разработкой и реализацией данного проекта занимаются супруги Ильины (Мария и Виктор).
Под «домашним проектом» понимается немасштабный проект, кото-
studypro3
: 4 июля 2019
400 руб.
Алгебра и геометрия. Контрольная работа
MaFiOzNiK
: 25 ноября 2010
Вариант 2
Задача 1. Дана система трех линейных уравнений. Найти решение ее двумя способами: методом Крамера и методом Гаусса.
x-2y+3z=6
2x+3y-4z=20
3x-2y-2z=6
Задача 2. Даны координаты вершин пирамиды А1А2А3А4. Найти:
1. длину ребра А1А2;
2. угол между ребрами А1А2 и А1А4;
3. площадь грани А1А2А3;
4. уравнение плоскости А1А2А3.
5. объём пирамиды А1А2А3А4.
А1 ( 1; 8; 2), А2 ( 5; 2; 6), А3 ( 0; -1; -2), А4 (-2; 3; -1).
MaFiOzNiK
: 25 ноября 2010
40 руб.
Теплотехника 18.03.01 КубГТУ Задача 4 Вариант 07
Z24
: 23 января 2026
Две близко расположенные друг к другу пластины с температурами t1, t2 и степенью черноты ε1, ε2 обмениваются лучистой энергией. Определить: собственное излучение для каждой пластины; плотность результирующего теплового потока между пластинами; изменение плотности теплового потока после установки между пластинами плоского параллельного им экрана со степенью черноты εэ.
Z24
: 23 января 2026
150 руб.
Суров Г.Я. Гидравлика и гидропривод в примерах и задачах Задача 4.52
Z24
: 13 ноября 2025
Резервуар, донная часть которого имеет полусферу, наполнен водой (рис. 4.53). Построить тело давления и определить силу давления воды на полусферу, если радиус сферы R = 1,4 м, глубина жидкости в резервуаре Н = 2,5 м, вакуумметрическое давление в резервуаре р0в = 0,28·105 Па.
Z24
: 13 ноября 2025
180 руб.
