Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
-
Категории:
СибГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
27.01.2016
-
Размер:
141 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
nvm1604
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
КР_устр-ва оптоэлектроники.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасного, видимого или ультрафиолетового излучения. Основным элементом фоторезисторов является полупроводниковая пластина, сопротивление которой при освещении меняется.
Конструктивно фоторезистор представляет собой пластину полупроводника, на поверхности которой нанесены электропроводные электроды. Принципиально возможны две конструкции фоторезисторов, представленные на рис.1: поперечная (рис. 1а) и продольная (рис. 1б).
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасного, видимого или ультрафиолетового излучения. Основным элементом фоторезисторов является полупроводниковая пластина, сопротивление которой при освещении меняется.
Конструктивно фоторезистор представляет собой пластину полупроводника, на поверхности которой нанесены электропроводные электроды. Принципиально возможны две конструкции фоторезисторов, представленные на рис.1: поперечная (рис. 1а) и продольная (рис. 1б).
Дополнительная информация
Работа зачтена
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
karimoverkin
: 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
ART1800
: 8 мая 2013
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 30
Учеба "Под ключ"
: 4 сентября 2022
Номер варианта для решения первой и третьей задач должен соответствовать последней цифре Вашего пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре вашего пароля.
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 0
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод на основе p-n-перехода
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэ
Учеба "Под ключ"
: 4 сентября 2022
600 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 07
SibGOODy
: 14 сентября 2018
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1 – Исходные данные
№ варианта: 7
Тип фотоприемника: Фототранзистор
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
№ варианта: 0
Тип ПП материала: Ge
Кван
SibGOODy
: 14 сентября 2018
400 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 18
SibGOODy
: 7 августа 2018
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
№ варианта: 8
Тип фотоприемника: Фототиристор
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
№ варианта: 1
Тип ПП материала: Si
Квантовая эффективность, n: 0,7
Ши
SibGOODy
: 7 августа 2018
450 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 09
SibGOODy
: 15 июля 2018
Задача No1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
No варианта: 9
Тип фотоприемника: Фоторезистор
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Исходные данные.
No варианта: 0
Тип ПП материала: Ge
SibGOODy
: 15 июля 2018
400 руб.
Другие работы
Київський воєвода Адам Кисіль
evelin
: 7 ноября 2013
Народився 1600 р. у с. Низкиннчах (нині Володимир-Волинського р-ну Волинської обл.) у сім'ї потомствених волинян, православних шляхтичів Григорія Гнівошовича Киселя-Низкиницького і Терези Іваницької. Однак далекі предки Киселів вперше фіксуються не на Волині, а на Київщині. Однією з осіб роду, згадуваних під 1456 р., є Лазар Браєвич, власник Норинська під Овручем та Івниці під Житомиром, слуга київського князя Семена Олельковича. Звучання патроніму – Браєвич – наштовхує на думку про можливе тюрк
evelin
: 7 ноября 2013
5 руб.
Кронштейн в сборе. Задание 18
lepris
: 3 июня 2022
Кронштейн в сборе. Задание 18
Сборочная единица "Кронштейн в сборе" содержит три детали.В отверстие кронштейна 1 вставляется снизу фланец 2, на который сверху надевается кольцо 3. Все три детали соединяются тремя винтами 4 (М8х35 ГОСТ 1491-80).
Требуется:
а) Выполнить сборочный чертеж узла на формате А3 в масштабе 1:1.
Чертеж должен содержать главный вид с двумя местными разрезами (см. чертеж кронштейна), вид сверху и вид слева.
б) Составить спецификацию сборочной единицы.
в) выполнить 3d мод
lepris
: 3 июня 2022
250 руб.
Контрольная работа по предмету "Информационные системы и технологии" ВАРИАНТ 2
ritabokk
: 25 ноября 2019
Контрольная состоит из 3х частей. 1: 9 заданий
2: Самостоятельная работа
Задание 1. Определить, находятся ли два узла A и B в одной подсети или в разных подсетях.
a. IP-адрес компьютера А: 94.235.16.59;
IP-адрес компьютера В: 94.235.23.240;
Маска подсети: 255.255.240.0
b. IP-адрес компьютера А: 131.189.15.6;
IP-адрес компьютера В: 131.173.216.56;
Маска подсети: 255.248.0.0.
c. IP-адрес компьютера А: 215.125.159.36;
IP-адрес компьютера В: 215.125.153.56;
Маска подсети: 255.255.224.0.
ritabokk
: 25 ноября 2019
350 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Мировые информационные ресурсы. Вариант №2, 22
IT-STUDHELP
: 21 декабря 2022
Вариант №2, 22
2. Категории доступа к информации. Виды информационных служб.
------------------------------------------------------------------------------
СОДЕРЖАНИЕ
Введение
1. Правовые гарантии доступа к информации
2. Виды доступа к информации
3.Категории доступа к информации
Заключение
Список использованной литературы
=============================================
IT-STUDHELP
: 21 декабря 2022
450 руб.
