Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
-
Категории:
СибГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
27.01.2016
-
Размер:
141 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
nvm1604
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
КР_устр-ва оптоэлектроники.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасного, видимого или ультрафиолетового излучения. Основным элементом фоторезисторов является полупроводниковая пластина, сопротивление которой при освещении меняется.
Конструктивно фоторезистор представляет собой пластину полупроводника, на поверхности которой нанесены электропроводные электроды. Принципиально возможны две конструкции фоторезисторов, представленные на рис.1: поперечная (рис. 1а) и продольная (рис. 1б).
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасного, видимого или ультрафиолетового излучения. Основным элементом фоторезисторов является полупроводниковая пластина, сопротивление которой при освещении меняется.
Конструктивно фоторезистор представляет собой пластину полупроводника, на поверхности которой нанесены электропроводные электроды. Принципиально возможны две конструкции фоторезисторов, представленные на рис.1: поперечная (рис. 1а) и продольная (рис. 1б).
Дополнительная информация
Работа зачтена
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
karimoverkin
: 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
ART1800
: 8 мая 2013
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 30
Учеба "Под ключ"
: 4 сентября 2022
Номер варианта для решения первой и третьей задач должен соответствовать последней цифре Вашего пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре вашего пароля.
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 0
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод на основе p-n-перехода
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэ
Учеба "Под ключ"
: 4 сентября 2022
600 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 07
SibGOODy
: 14 сентября 2018
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1 – Исходные данные
№ варианта: 7
Тип фотоприемника: Фототранзистор
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
№ варианта: 0
Тип ПП материала: Ge
Кван
SibGOODy
: 14 сентября 2018
400 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 18
SibGOODy
: 7 августа 2018
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
№ варианта: 8
Тип фотоприемника: Фототиристор
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
№ варианта: 1
Тип ПП материала: Si
Квантовая эффективность, n: 0,7
Ши
SibGOODy
: 7 августа 2018
450 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 09
SibGOODy
: 15 июля 2018
Задача No1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
No варианта: 9
Тип фотоприемника: Фоторезистор
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Исходные данные.
No варианта: 0
Тип ПП материала: Ge
SibGOODy
: 15 июля 2018
400 руб.
Другие работы
Оптические средства сопряжения. Билет №3
SibGOODy
: 1 июля 2020
Билет No3
Тестовое задание (ОПК-6).
1. В одноканальной оптической системе передачи со стандартным интерфейсом SDH (G.957) L4.3 рассчитать максимальную и минимальную дистанции передачи на волне 1550нм при ширине спектральной линии излучателя 1нм, максимальном уровне мощности передатчика +2дБм и его минимальном значение -3дБм, чувствительности приемника -28дБм, пороге перегрузки -8дБм. Максимальная хроматическая дисперсия не должна превышать 1600пс/нм. Оптическая линия на основе волокна стандарт
SibGOODy
: 1 июля 2020
1000 руб.
Общая теория связи. Лабораторная работа №4. Вариант №7
Вася Пупкин
: 4 декабря 2015
Исследование обнаруживающей и исправляющей
способности циклических кодов
Цель работы Ознакомление с методами построения корректирующих кодов. Экспериментальное исследование обнаруживающей и исправляющей способности циклических кодов.
Описание лабораторной установки
Лабораторная установка выполнена в виде программно управляемой модели и выполняется на ЭВМ. Приведём краткое описание структурных схем декодеров исследуемых циклических кодов.
Вася Пупкин
: 4 декабря 2015
60 руб.
Проект крана башенного марки НПБ-7
OstVER
: 24 сентября 2012
1. Введение 3
2. Классификация башенных кранов 3
3. Определение размеров крана и масс его механизмов 5
4. Расчет механизма подъема 9
5. Расчет механихма передвижения крана 23
6. Расчет механизма изменения вылета с горизонтальной стрелой 33
7. Определение устойчивости башенных кранов 38
8. Список литературы 45
OstVER
: 24 сентября 2012
45 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Производственный менеджмент и маркетинг в отрасли инфокоммуникаций. Билет №8
SibGOODy
: 4 октября 2018
Экзаменационный тест
по дисциплине «Производственный менеджмент и маркетинг в отрасли инфокоммуникаци»
1. В менеджменте выделяют следующие группы методов управления:
- Административные
- Социально-психологические
- Организационно-экономические
-Социально- экономические
- Экономические
2. К форс-мажорным факторам риска относится:
- природный
- политический
- экономический
- законодательный
3. Какой персонал будет задействован в управляемой и управляющей системах при построении структуры орган
SibGOODy
: 4 октября 2018
600 руб.
