Экзамен по дисциплине: Электроника. Вариант №9.

Цена:
50 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 24FC108C-BF0C-4D24-AFBD-3B651CFD3194.rar [ 105 KB ]
material.view.file_icon Экзамен_Копп_МБТ22.doc [ 187 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Вопрос №1:
Аналоговые ключи на транзисторах.

Вопрос №2:
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

Вопрос №3:
Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Оценка: "Отлично"

Похожие материалы

Экзамен По дисциплине: Электроника. Вариант №9
Вопрос №1 Аналоговые ключи на транзисторах. Вопрос №2: Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос №3: Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите вхо
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User Андрей124 : 31 августа 2019
20 руб.
Экзамен По дисциплине: Электроника. вариант №9
Вопрос №1: Аналоговые ключи на транзисторах. Вопрос №2: Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос №3: Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите вх
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User Андрей124 : 11 марта 2019
45 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User oksana111 : 24 июля 2014
300 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и пока
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User corner : 21 февраля 2013
150 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
Экзамен по дисциплине: Электроника
Экзаменационные вопросы: 1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характери-стики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Ekaterina-Arbanakova : 11 февраля 2013
250 руб.
Экзамен по дисциплине: электроника.
Экзамен. По дисциплине: электроника. 1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики Принципиальная схема базового элемента ДТЛ микросхемы. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User женя68 : 10 мая 2011
56 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встрое
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Rufus : 26 мая 2016
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Параметры полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведите в
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User dubhe : 7 марта 2015
300 руб.
promo

Другие работы

Комплекс устройств для очистки забоя скважины без циркуляционной промывки-Разработка технологии для очистка забоя скважин без циркуляционной промывки-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
Комплекс устройств для очистки забоя скважины без циркуляционной промывки-Разработка технологии для очистка забоя скважин без циркуляционной промывки-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
Нефтяная промышленность Чертежи
User nakonechnyy_lelya@mail.ru : 13 июня 2018
460 руб.
Комплекс устройств для очистки забоя скважины без циркуляционной промывки-Разработка технологии для очистка забоя скважин без циркуляционной промывки-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
Основы управления проектами
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА 2 ЗАДАЧА 1 Вы — руководитель проекта. Руководитель компании назначил Вас на эту должность сегодня и передал всю информацию о будущем проекте. Опишите Ваш будущий проект: наименование проекта; цели проекта (не менее 7); задачи проекта (не менее 7); обоснование проекта (зачем данный проект необходимо реализовать, какие финансовые выгоды получит компания от реализации проекта). Комментарии по выполнению задания: Проект, которым Вы руководите, необходимо выбрать самостоятельно
Управление персоналом РФЭИ Работа Контрольная
User studypro : 23 сентября 2015
180 руб.
Гидрогазодинамика ТИУ 2018 Задача 21 Вариант 9
Объём части ледяной горы, возвышающейся над поверхностью моря, равен W (рис. 19). Определить общий объём ледяной горы и глубину её погружённой части h, если в плане она имеет форму прямоугольника а×b. Плотность льда принять равной ρл = 920 кг/м³, плотность воды – ρв = 1030 кг/м³.
Задачи Гидравлика
User Z24 : 11 декабря 2025
150 руб.
Гидрогазодинамика ТИУ 2018 Задача 21 Вариант 9
Выбор оборудования для выполнения закрепок при изготовлении школьного жилета и проектирование механизма иглы
Введение Швейная промышленность – одна из самых значительных отраслей легкой промышленности как по объему выпускаемой продукции, так и по номенклатуре промышленного оборудования. В отечественной легкой промышленности и за рубежом все большее распространение получают швейные машины-полуавтоматы. Для повышения эффективности производства и улучшения качества швейных изделий в машинах-полуавтоматах кроме механизмов, обеспечивающих выполнение процесса образования стежков, и как правило, мало отличаю
Легкая промышленность Работа
User Slolka : 20 октября 2013
10 руб.
up Наверх