Экзамен по дисциплине: Электроника. Вариант №9.

Цена:
50 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 24FC108C-BF0C-4D24-AFBD-3B651CFD3194.rar [ 105 KB ]
material.view.file_icon Экзамен_Копп_МБТ22.doc [ 187 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Вопрос №1:
Аналоговые ключи на транзисторах.

Вопрос №2:
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

Вопрос №3:
Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Оценка: "Отлично"

Похожие материалы

Экзамен По дисциплине: Электроника. Вариант №9
Вопрос №1 Аналоговые ключи на транзисторах. Вопрос №2: Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос №3: Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите вхо
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User Андрей124 : 31 августа 2019
20 руб.
Экзамен По дисциплине: Электроника. вариант №9
Вопрос №1: Аналоговые ключи на транзисторах. Вопрос №2: Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос №3: Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите вх
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User Андрей124 : 11 марта 2019
45 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User oksana111 : 24 июля 2014
300 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и пока
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User corner : 21 февраля 2013
150 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
Экзамен по дисциплине: Электроника
Экзаменационные вопросы: 1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характери-стики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Ekaterina-Arbanakova : 11 февраля 2013
250 руб.
Экзамен по дисциплине: электроника.
Экзамен. По дисциплине: электроника. 1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики Принципиальная схема базового элемента ДТЛ микросхемы. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User женя68 : 10 мая 2011
56 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встрое
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Rufus : 26 мая 2016
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Параметры полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведите в
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User dubhe : 7 марта 2015
300 руб.
promo

Другие работы

Основы инфокоммуникационных технологий, Вариант №2, Интернет-телефония
Введение Информационно-коммуникационные технологии и услуги в настоящее время являются ключевым фактором развития всех областей социально-экономической сферы. Как и во всем мире, в России эти технологии демонстрируют бурные темпы роста. Интернет телефония - давно превратилась в настоящий инструмент для работы и ведения бизнеса, а для многих даже стала безальтернативным способом общения с близкими и коллегами. И объясняется это не только тем, что данный вид связи осуществляется через Интернет и п
СибГУТИ Рефераты Основы инфокоммуникационных технологий
User alru : 14 января 2016
100 руб.
Определение количественных характеристик надежности по статистическим данным об отказах изделия -
Требуется разработать программное обеспечение для вычисления сторон надежности. Основой является список задач, приведенный ниже. Когда программное обеспечение будет реализовано, вы демонстрируете работу программы в следующем порядке: а) делаете ввод исходных данных для каждой задачи и демонстрируете ее решение; б) считываете исходные данные из структурированного файла, либо базы данных, и сохраняете результаты в БД для последующей обработки. Среда разработки MS Visual Studio 2008, язык C#, граф
Работа Лабораторная Контроль и управление качеством
User ostah : 29 сентября 2012
20 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Основы проектирования телекоммуникационных систем. Для всех вариантов. 2020 год
Рекомендации к выполнению лабораторных работ Содержимое архива с лабораторной работой необходимо распаковать в отдельную папку. Файл для запуска - pusk.htm Выполняя лабораторную работу "Маршрутизация в сетях IP" необходимо изучить протоколы маршрутизации. Каждый протокол маршрутизации имеет характеристики, которые отличают его от других протоколов маршрутизации, но все они должны обеспечивать такие качества, как простота, оптимальность, стабильность и гибкость. После изучения протоколов маршру
ДО СИБГУТИ Основы проектирования телекоммуникационных систем Работа Лабораторная
User SibGUTI2 : 4 ноября 2020
180 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Основы проектирования телекоммуникационных систем. Для всех вариантов. 2020 год
Микропроцессорные системы управления технологическими процессами
В химической промышленности комплексной автоматизации уделяется большое внимание. Это объясняется сложностью и высокой скоростью протекания технологиче-ских процессов, а также чувствительностью их к нарушению режима, вредностью условий работы, взрыво- и пожароопасностью перерабатываемых веществ и т.д. Автоматизация производства сокращает долю физического труда, увеличивает производительность труда, улучшает качество и снижает себестоимость выпускаемой продукции.
Рефераты Автоматизация (АСУТП)
User GrantForse : 12 марта 2012
10 руб.
up Наверх