Экзамен По дисциплине: Электроника. Вариант №9

Цена:
20 руб.

Состав работы

material.view.file_icon C39CFA4D-3570-4280-BD79-093DA645ED3C.rar [ 109 KB ]
material.view.file_icon Электроника экзамен.docx [ 123 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Вопрос №1
Аналоговые ключи на транзисторах.
Вопрос №2:
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3:
Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Похожие материалы

Экзамен По дисциплине: Электроника. вариант №9
Вопрос №1: Аналоговые ключи на транзисторах. Вопрос №2: Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос №3: Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите вх
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User Андрей124 : 11 марта 2019
45 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. Вариант №9.
Вопрос №1: Аналоговые ключи на транзисторах. Вопрос №2: Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос №3: Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User ДО Сибгути : 10 февраля 2016
50 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. Вариант №9. promo
Экзамен по дисциплине: Электроника
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User oksana111 : 24 июля 2014
300 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и пока
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User corner : 21 февраля 2013
150 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
Экзамен по дисциплине: Электроника
Экзаменационные вопросы: 1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характери-стики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Ekaterina-Arbanakova : 11 февраля 2013
250 руб.
Экзамен по дисциплине: электроника.
Экзамен. По дисциплине: электроника. 1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики Принципиальная схема базового элемента ДТЛ микросхемы. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User женя68 : 10 мая 2011
56 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встрое
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Rufus : 26 мая 2016
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Параметры полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведите в
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User dubhe : 7 марта 2015
300 руб.
promo

Другие работы

Лабораторные работы №№1-5 по дисциплине Представление графической информации. Вариант общий
Лабораторная работа №1: Задание Пpеобpазование цветного BMP файла в чеpно-белый (найти в файле палитpу, пpеобpазовать ее, усpеднив по тpойкам RGB цветов и записать получившийся файл под новым именем) Вывести основные характеристики BMP изображения. Лабораторная работа №2: Задание Пpебpазовать BMP файл, создав вокpуг него pамку из пикселей случайного цвета. Шиpина рамки - 15 пикселей (Работа с pастpовыми данными). Лабораторная работа №3: Задание Вывести на экpан 16-цветный, 256-цветный и True C
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Представление графической информации
User Учеба "Под ключ" : 18 декабря 2016
650 руб.
Термодинамика и теплопередача ТюмГНГУ Техническая термодинамика Задача 4 Вариант 70
Определить конечное состояние газа, расширяющегося политропно от начального состояния с параметрами р1, t1 изменение внутренней энергии, количество подведенной теплоты, полученную работу, если задан показатель политропы (n), конечное давление p2. Показать процесс в pυ- и Ts-координатах.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 10 января 2026
150 руб.
Термодинамика и теплопередача ТюмГНГУ Техническая термодинамика Задача 4 Вариант 70
Теоретическая механика ДВГУПС 2014 Задача С1 Рисунок 4 Номер условия 7
Однородная балка весом G, расположенная в вертикальной плоскости (табл. С1, рис. С1.0–С1.9), закреплена в точке А шарнирно, а в точке В прикреплена к вертикальному стержню с шарнирами на концах. На балку действуют: пара сил с моментом М = 20 кН·м, равномерно распределенная нагрузка с интенсивностью q и сила Fi , значение и точка приложения которой указаны в табл. C1. Расстояния между точками A, B, C, D, E, H, K, L равны a = 0,4 м. Определить реакции связей в точках А, В, вызываемые действующи
Задачи Теоретическая механика
User Z24 : 16 марта 2026
200 руб.
Теоретическая механика ДВГУПС 2014 Задача С1 Рисунок 4 Номер условия 7
Контрольная работа по дисциплине: Обеспечение информационной безопасности в телекоммуникациях. Вариант №3
Контрольная работа По дисциплине: Обеспечение информационной безопасности в телекоммуникациях Вариант 3 Задание: По сети связи от узла источника (УИ) к узлу получателя (УП) через m транзитных узлов (ТУ) по n параллельным соединениям (рисунок 1) передается сообщение S={S_1,S_2 }, с соответствующими априорными вероятностями их появления в канале связи: 0≤P(S_i)≤1, ∑_(i=1)^n▒〖P(S_i)=1〗. В каждом из n параллельных соединениях возможно внешнее воздействие несанкционированно действующего лица c веро
СибГУТИ Обеспечение информационной безопасности в телекоммуникациях Работа Контрольная
User IT-STUDHELP : 18 декабря 2022
600 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Обеспечение информационной безопасности в телекоммуникациях. Вариант №3 promo
up Наверх