Устройства оптоэлектроники
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7
Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7
Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
Дополнительная информация
Вариант 14 зачёт февраль 2016 год
Похожие материалы
Устройства оптоэлектроники
alru
: 22 сентября 2016
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
arkadij
: 9 марта 2016
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
alyonka249
: 25 декабря 2015
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
70 руб.
Устройства оптоэлектроники
женя68
: 6 декабря 2010
Контр. Раб.вариант No08.4 сем
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.(фототиристор)
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр Тип ПП материала - Ge(германий)
Квантовая эффективной ŋ = 0,2 Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ.
Задача No3.
Изобразить принципиальную
80 руб.
Устройства оптоэлектроники
nat2744
: 13 ноября 2009
СибГУТИ. Контрольная работа. Вариант 10.
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника.
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответств
100 руб.
500 руб.
Устройства оптоэлектроники и нанофотоники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Задача №1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре студенческого билета 21.
№ варианта Тип фотоприёмника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n
Устройства оптоэлектроники. Зачёт
Gila
: 17 января 2019
Раздел: Физические основы оптоэлектроники.
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
210 руб.
Другие работы
Схема гидравлическая принципиальная рулевого управления заднего моста
grom555
: 6 мая 2021
1 чертёж,формат А1, Сборочный чертеж, выполнен в компасе 16-ой версии на формате А1. На листе изображена схема рулевого управления, проставлены основные обозначения, основная надпись не заполнена, файл имеет расширение cdw. , упакован в RAR. чертёж выполнен в соответствии с ЕСКД. Может быть использован для Курсовых и Дипломных проектов по машиностроительным дисциплинам
150 руб.
Изготовление детали "Штуцер"
Aronitue9
: 19 октября 2012
Стр.
Введение………………………………………………………………………….…. 3
1. Изготовление детали «Штуцер»……………………………………………… 4
1.1. Характеристика материала детали……………………………………… ... 4
1.2. Способ получения заготовки……………………………………………...... 5
1.3. Металлорежущий инструмент, используемый при изготовлении детали 6
1.4. Зажимное и установочное приспособление, его конструкция……………. 7
1.4.1. Трёхкулачковый самоцентрирующий патрон……………………….
450 руб.
Сетевое программирование. Лабораторная работа №3
blur
: 19 мая 2025
Лабораторная работа № 3. Программирование обменов в сетях TCP/IP.
Цель работы: Приобрести навыки сетевого программирования обменом данными в сетях TCP/IP с использованием технологии Winsock API.
Теория
Для выполнения лабораторной работы необходимо изучить содержимое главы 8 теоретического материала по сетевому программированию.
Порядок выполнения работы:
В процессе выполнения данной лабораторной работы необходимо разработать и реализовать программу пересылки пакета данных между машинами в р
250 руб.
ДО СИБГУТИ Лабораторная работа №1 Теория Электрических Цепей Вариант:06
Антон224
: 20 марта 2022
ДО СИБГУТИ Лабораторная работа №1 Теория Электрических Цепей Вариант:06
Лабораторная работа № 1
Законы Ома и Кирхгофа в резистивных цепях
1. Цель работы:
Изучение и экспериментальная проверка законов Ома и Кирхгофа в разветвленной электрической цепи, содержащей источник и резистивные элементы.
2. Экспериментальная часть
1) Схема (рисунок 1.1а)
R1 =160 Ом
R2=R3=R4=R5=R6=100 Ом
Е1=10 В
99 руб.