Устройства оптоэлектроники

Цена:
500 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon оптоэлектроника.doc
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7
Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12

Дополнительная информация

Вариант 14 зачёт февраль 2016 год
Устройства оптоэлектроники
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
User alru : 22 сентября 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
User arkadij : 9 марта 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
User alyonka249 : 25 декабря 2015
70 руб.
Устройства оптоэлектроники
Контр. Раб.вариант No08.4 сем Задача No1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.(фототиристор) Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр Тип ПП материала - Ge(германий) Квантовая эффективной ŋ = 0,2 Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ. Задача No3. Изобразить принципиальную
User женя68 : 6 декабря 2010
80 руб.
Устройства оптоэлектроники
СибГУТИ. Контрольная работа. Вариант 10. Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Задача №3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответств
User nat2744 : 13 ноября 2009
100 руб.
Устройства оптоэлектроники и нанофотоники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре студенческого билета 21. № варианта Тип фотоприёмника (ФП) 1 Фотодиод со структурой p-i-n
User Yuliyatitova : 1 апреля 2020
Устройства оптоэлектроники. Зачёт
Раздел: Физические основы оптоэлектроники. 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
User Gila : 17 января 2019
210 руб.
Схема гидравлическая принципиальная рулевого управления заднего моста
1 чертёж,формат А1, Сборочный чертеж, выполнен в компасе 16-ой версии на формате А1. На листе изображена схема рулевого управления, проставлены основные обозначения, основная надпись не заполнена, файл имеет расширение cdw. , упакован в RAR. чертёж выполнен в соответствии с ЕСКД. Может быть использован для Курсовых и Дипломных проектов по машиностроительным дисциплинам
User grom555 : 6 мая 2021
150 руб.
Схема гидравлическая принципиальная рулевого управления заднего моста
Изготовление детали "Штуцер"
Стр. Введение………………………………………………………………………….…. 3 1. Изготовление детали «Штуцер»……………………………………………… 4 1.1. Характеристика материала детали……………………………………… ... 4 1.2. Способ получения заготовки……………………………………………...... 5 1.3. Металлорежущий инструмент, используемый при изготовлении детали 6 1.4. Зажимное и установочное приспособление, его конструкция……………. 7 1.4.1. Трёхкулачковый самоцентрирующий патрон……………………….
User Aronitue9 : 19 октября 2012
450 руб.
Изготовление детали "Штуцер"
Сетевое программирование. Лабораторная работа №3
Лабораторная работа № 3. Программирование обменов в сетях TCP/IP. Цель работы: Приобрести навыки сетевого программирования обменом данными в сетях TCP/IP с использованием технологии Winsock API. Теория Для выполнения лабораторной работы необходимо изучить содержимое главы 8 теоретического материала по сетевому программированию. Порядок выполнения работы: В процессе выполнения данной лабораторной работы необходимо разработать и реализовать программу пересылки пакета данных между машинами в р
User blur : 19 мая 2025
250 руб.
ДО СИБГУТИ Лабораторная работа №1 Теория Электрических Цепей Вариант:06
ДО СИБГУТИ Лабораторная работа №1 Теория Электрических Цепей Вариант:06 Лабораторная работа № 1 Законы Ома и Кирхгофа в резистивных цепях 1. Цель работы: Изучение и экспериментальная проверка законов Ома и Кирхгофа в разветвленной электрической цепи, содержащей источник и резистивные элементы. 2. Экспериментальная часть 1) Схема (рисунок 1.1а) R1 =160 Ом R2=R3=R4=R5=R6=100 Ом Е1=10 В
User Антон224 : 20 марта 2022
99 руб.
ДО СИБГУТИ Лабораторная работа №1 Теория Электрических Цепей Вариант:06
up Наверх