Курсовая работа по Электронике. Тема: Разработка интегрального электронного устройства. Вариант №15.
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Курсовая
-
Добавлен:
18.02.2016
-
Размер:
318 KB
-
Покупок:
9
-
Добавил:
Vladimirus
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Электроника15.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Содержание курсовой работы
Техническое задание 1 Введение 1
1. Разработка структурной схемы 2
2. Разработка принципиальной схемы 2
3. Разработка интегральной микросхемы 5
3.1. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов 5
3.2. Разработка топологии 6
3.3. Этапы изготовления устройства в виде гибридной
интегральной микросхемы 7
Заключение 7
Список литературы 7
Таблица 1 Исходные данные
Uпит, В -15
Ku 10
Rвх, Мом 1
Rн, кОм 2
Uном, В 3
fн, Гц 15
fв, кГц 20
Мн, дБ 2
Мв, дБ 2
Тип входа Н
Тип
выхода С
Техническое задание 1 Введение 1
1. Разработка структурной схемы 2
2. Разработка принципиальной схемы 2
3. Разработка интегральной микросхемы 5
3.1. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов 5
3.2. Разработка топологии 6
3.3. Этапы изготовления устройства в виде гибридной
интегральной микросхемы 7
Заключение 7
Список литературы 7
Таблица 1 Исходные данные
Uпит, В -15
Ku 10
Rвх, Мом 1
Rн, кОм 2
Uном, В 3
fн, Гц 15
fв, кГц 20
Мн, дБ 2
Мв, дБ 2
Тип входа Н
Тип
выхода С
Дополнительная информация
Год сдачи: 2014
Заочный факультет
Заочный факультет
Похожие материалы
Разработка интегрального электронного устройства
baruz
: 7 февраля 2009
Курсовая работа, СибГУТИ, преподаватель ИгнатовСодержание курсовой работы
Техническое задание 2 Введение 2
1. Разработка структурной схемы 3
2. Разработка принципиальной схемы 3
3. Разработка интегральной микросхемы 8
3.1. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов 8
3.2. Разработка топологии 9
3.3. Этапы изготовления устройства в виде гибридной
интегральной микросхемы 10
Заключение 11
Список литературы 11
Техн
baruz
: 7 февраля 2009
Электроника Разработка интегрального электронного устройства
Maks8
: 16 мая 2019
Техническое задание
1. Напряжение источника питания Е=-9 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению Кu=7.
3. Входное сопротивление Rвх=0,47 МОм.
4. Сопротивление нагрузки Rн=2 кОм.
5. Номинальное выходное напряжение Uном=3 В.
6. Нижняя рабочая частота fн=300 Гц.
7. Верхняя рабочая частота fв=3,4 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн=2дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте Мв=2 дБ.
10. Тип входа – несимметричный, тип выхода – несимметрич
Maks8
: 16 мая 2019
200 руб.
Курсовая работа по «Электронике». Вариант 15.
gena68
: 7 июля 2015
1. Цель курсовой работы
В ходе выполнения курсовой работы необходимо рассмотреть заданный тип биполярного транзистора, определить его параметры и статические характеристики, в соответствии с условиями задания выполнить анализ работы транзистора с нагрузкой в выходной цепи, рассчитать параметры эквивалентной схемы и мало сигнальные параметры транзистора, а также определить его отечественные и
зарубежные аналоги.
gena68
: 7 июля 2015
100 руб.
Разработка аналогового интегрального электронного устройства Вариант 02
Nadyuha
: 4 апреля 2011
Введение
Техническое задание
1.Электрический расчет схемы.
1.1Оценка потенциалов и расчет токов схемы
1.1.1Расчет для комбинации входных сигналов 0100
1.1.2Расчет для комбинации входных сигналов 1001
1.1.3Расчет для комбинации входных сигналов 1010
1.2Расчет мощностей, рассеиваемых на резисторах.
1.3Расчет мощности, потребляемой всей схемой
1.4Составление таблицы истинности.
2.Разработка топологии ИМС
2.1Расчет размеров резисторов
2.2Расчет площади, занимаемой элементами всей схемы
2.
Nadyuha
: 4 апреля 2011
150 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Электроника. Вариант 15
Roma967
: 16 августа 2019
«Разработка интегрального аналогового устройства»
Содержание
Техническое задание 3
Введение 4
1. Разработка структурной схемы 5
2. Разработка принципиальной схемы 6
3. Разработка интегральной микросхемы 13
3.1. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов 13
3.2. Разработка топологии 15
3.3. Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы. 17
Заключение 19
Список литературы 20
Техническое задание
Разработать принципиальную схему и выполнить расчет д
Roma967
: 16 августа 2019
1000 руб.
Курсовая работа по электронике на тему: Разработка интегрального аналогового устройства. Вариант 14
Yohaha
: 6 мая 2017
Техническое задание
Введение
1. Структурная схема устройства
2. Принципиальная схема устройства
3. Разработка интегральной микросхемы
3.1 Выбор навесных элементов и расчет пленочных элементов
3.3. Этапы изготовления усилителя в виде гибридной интегральной микросхемы
Заключение
Список литературы
Техническое задание
1. Напряжение источника питания Е = +9В.
2. Коэффициент усиления по напряжению Кu = 4.
3. Входное сопротивление Rвх = 0,82 МОм.
4. Сопротивление нагрузки Rн = 0,2 кОм.
Yohaha
: 6 мая 2017
150 руб.
Курсовая работа по Электронике
thezver12
: 2 марта 2018
Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1, а комбинации входных сигналов, для которых необходимо провести анализ, даны в таблице 2
Для успешного решения задачи необходимо сначала изучить принципы работы транзисторных ключей [4, с. 244-262] и логических элементов на биполярных транзисторах [1, с. 260-273], [2, с. 74-106], и [3, с. 264-268, 284-286] и [4, с. 348-363] . При решении задачи нужно учесть, что интегральные схемы ТТЛ изготавливаются из кремния . Транзисторы работают в режиме к
thezver12
: 2 марта 2018
300 руб.
Курсовая работа по Электронике
evanarty
: 8 сентября 2015
1 Введение.
2 Задание на курсовую работу
3 Электрический расчет цифровой схемы
4 Разработка топологии ИМС
5 Вывод
Список используемой литературы.
evanarty
: 8 сентября 2015
150 руб.
Другие работы
Бизнес–план рекламного агентства
VikkiROY
: 26 ноября 2012
Оглавление
1. Местонахождение фирмы
2. Описание отрасли
3. Описание вида деятельности, фирмы
4. Описание услуги
5. Оценка рынка сбыта
6. Конкуренция на рынках сбыта.
7. План маркетинга
8. План производства
9. Организационный план
10. Финансовый план
11. Риски в деятельности фирмы
1. Местонахождение фирмы
В зависимости от стиля, в котором планируется вести свою деятельность рекламное агентство, определяются потребности в помещениях. В нашем случае, мы как начинающие РА план
VikkiROY
: 26 ноября 2012
15 руб.
Проектування моста вантажопідйомного крана
proekt-sto
: 18 июля 2017
ЗАВДАННЯ
На курсовий проект з дисципліни «Проектування металоконструкцій»
Студента Онофрійчука Олексія групи ПТМ-10-1
Тема проекту Мостовий кран вантажопідйомністю 20 тон
1. Вантажопідйомність –20 т
2. Прогін крана – 16,5 м
3. Швидкість переміщення робочих органів крана:
– підйому вантажу – 0,30 м/с
– пересування візка – 1,2 м/с
– пересування крана – 0,2 м/с
4. Варіант 16
5. Інтервал робочих температур +20 , 0
6. Режим роботи крана – 4К
7. Місце встановлення крана – Хімічний завод з п
proekt-sto
: 18 июля 2017
150 руб.
Введение в базы данных и СУБД
GnobYTEL
: 20 февраля 2013
Система управление базами данных.
Основные функции СУБД.
Классификация СУБД.
Компоненты среды СУБД.
GnobYTEL
: 20 февраля 2013
5 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Основы оптической связи (часть 1). Билет 8
xtrail
: 25 июля 2024
Билет №8
1. Дифракционная решетка используется в качестве демультиплексора группового сигнала ВОСП – WDM, разделяя его на 9 каналов. Работа производится в диапазоне «1530-1560» нм оптического волокна. Ширина спектра лазеров, вырабатывающих канальные сигналы, равна 1.5 нм. Определите максимально возможную величину периода дифракционной решетки, если освещается 100 рабочих щелей.
2. Коэффициент затухания ОВ равен 0,25дБ/км. Определить длины волокна, на которых мощность сигнала будет падать в 20
xtrail
: 25 июля 2024
500 руб.
