Физические основы электроники. Лабораторные работы № 1-3 для всех вариантов
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
ЛР №1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
ЛР №2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
ЛР № 3. Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
ЛР №2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
ЛР № 3. Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Дополнительная информация
Преподаватель: Савиных В.Л. Зачтены. 2016 год
Похожие материалы
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
3 . Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения.
Для исследован
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Mercuryman
: 8 июля 2017
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
75 руб.
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
alru
: 26 января 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
merzavec
: 8 декабря 2014
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
50 руб.
Лабораторная работа №1. Физические основы электроники
donkirik
: 19 июня 2014
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
parovozz
: 23 декабря 2013
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1.
maromash
: 30 марта 2013
Лабораторная работа № 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
350 руб.
Другие работы
Международные организации в области культурного сотрудничества
Slolka
: 1 июля 2013
Введение
Международные организации как субъект международных отношений
Понятие, типы и функции международных организаций
Виды и признаки международных организаций
Международные организации как важный фактор мирового прогресса и развития
Современные международные организации в области культурного сотрудничества
Международное сотрудничество в сфере культуры в Республике Беларусь
Международное культурное сотрудничество: некоторые аспекты правового регулирования
Данная тема курсовой работы выбрана
10 руб.
Фирма по оказанию авторемонтных услуг с уклоном на после аварийный ремонт
proekt-sto
: 20 июля 2017
1. Цели и задачи 1
2. Тенденции развития мирового авто ремонтного бизнеса 1
3. Требуемое помещение 2
4. Необходимое оборудование и оснащенность 3
5. Профессиональная пригодность к проекту
90 руб.
Зачетная работа по дисциплине: «Цифровая обработка сигналов». Билет №6
freelancer
: 18 апреля 2016
Билет 6
Исходные данные итогового задания зависят от:
- номера группы, в которой обучается студент (двузначное число),
- две последние цифры пароля студента (двузначное число).
1. Дан аналоговый периодический сигнал.
Выполнить его дискретизацию (8 точек на периоде).
Построить график дискретного сигнала.
Определить коэффициенты ДПФ, построить графики модуля и фазы.
2. Дана передаточная функция дискретной цепи.
Изобразить каноническую схему дискретной цепи.
Определить первые 5 отсчето
60 руб.
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА № 1 по дисциплине «Основы теории цепей». вариант №80
олег13
: 6 декабря 2020
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА № 1
Задача 1.1
Задача посвящена знакомству с методами расчета сложных резистивных цепей.
На рис. 3.1 приведены схемы резистивных цепей в режиме постоянного тока. Номер схемы и параметры элементов схемы определяются в соответствии с вариантом по таблицам 3.1 и 3.2 соответственно. Таблица 3.1
Варианты Е, В Iг,
А R1,
Ом R2,
Ом R3,
Ом R4,
Ом R5,
Ом R6,
Ом Rx
от 80 до 89 12
2
4
8
12 16
20
24 R4
Выполните следующее:
1. Перерисуйте схему
450 руб.