Физические основы электроники. Лабораторные работы № 1-3 для всех вариантов
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
06.03.2016
-
Размер:
423 KB
-
Покупок:
6
-
Добавил:
ElenaA
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
ЛР 1.docx
|
|
ЛР 2.docx
|
|
ЛР 3.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
ЛР №1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
ЛР №2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
ЛР № 3. Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
ЛР №2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
ЛР № 3. Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Дополнительная информация
Преподаватель: Савиных В.Л. Зачтены. 2016 год
Похожие материалы
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
3 . Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения.
Для исследован
sprut89
: 16 сентября 2019
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
ANNA
: 18 февраля 2019
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Mercuryman
: 8 июля 2017
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
Mercuryman
: 8 июля 2017
75 руб.
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
alru
: 26 января 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
alru
: 26 января 2017
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
merzavec
: 8 декабря 2014
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
merzavec
: 8 декабря 2014
50 руб.
Лабораторная работа №1. Физические основы электроники
donkirik
: 19 июня 2014
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
donkirik
: 19 июня 2014
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
parovozz
: 23 декабря 2013
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
parovozz
: 23 декабря 2013
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1.
maromash
: 30 марта 2013
Лабораторная работа № 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
maromash
: 30 марта 2013
350 руб.
Другие работы
Пути совершенствования взаиморасчетов с бюджетом
Elfa254
: 27 октября 2013
Вступление
1. Предприятие, как основной плательщик в бюджет.
1.1 Виды налогов и обязательных платежей, выплачиваемых в бюджет.
1.2 Усовершенствование взаимоотношений между бюджетом и предприятиями - налогоплательщиками .
2 Формирование механизма межбюджетных отношений в Украине.
3 Усовершенствование механизма межбюджетных взаиморасчетов.
Вывод
Список использованной литературы
Вступление
Украина и ее экономика шагают к новой жизни, новому состоянию - к рынку. Этот
Elfa254
: 27 октября 2013
10 руб.
Курсовая работа по дисциплите «Объектно-ориентированное программирование»
Nicola90
: 28 апреля 2013
Написать программу, используя объектно-ориентированный подход, которая двигает по экрану изображение заданного графического объекта.
Для варианта 1 графический объект имеет вид:
СОЛНЫШКО
Nicola90
: 28 апреля 2013
299 руб.
Редуктор цилиндрический двухступенчатый-Привод цепного конвейера-Вал-Колесо
nakonechnyy_lelya@mail.ru
: 30 апреля 2020
Редуктор цилиндрический двухступенчатый-Привод цепного конвейера-Вал-Колесо-Детали машин-Деталировка-Сборочный чертеж-Чертежи-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Графическая часть-Оборудование-Машины и механизмы-Агрегаты-Установки-Комплексы-Узлы-Детали-Курсовая работа-Дипломная работа-Автомобили-Транспорт-Строительная техника-Электрооборудование-Грузоподъёмные механизмы
nakonechnyy_lelya@mail.ru
: 30 апреля 2020
399 руб.
Характеристика Могилёвского района
DocentMark
: 28 сентября 2013
1. Географическое положение, климат, природа
Могилёвский район (белор. Магілёўскі раён) — административная единица в центре Могилёвской области Белоруссии. Административный центр — город Могилёв.
Могилевский район находится в самом центре Могилевской области. Граничит с Белыничским, Быховским, Дрибинским, Шкловским, Чаусским районами.
Могилевский район представляет собой неправильный четырехугольник, протянувшийся с севера на юг на 50 км, с запада на восток на 70 км. Площадь района 1910,5 кв
DocentMark
: 28 сентября 2013
