Физические основы электроники. Лабораторные работы № 1-3 для всех вариантов

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 28E20900-8FA9-46E8-8A3F-D9A5664FA59C.rar [ 423 KB ]
material.view.file_icon ЛР 1.docx [ 171 KB ]
material.view.file_icon ЛР 2.docx [ 149 KB ]
material.view.file_icon ЛР 3.docx [ 137 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

ЛР №1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.

ЛР №2. Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.

ЛР № 3. Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).

Дополнительная информация

Преподаватель: Савиных В.Л. Зачтены. 2016 год

Похожие материалы

Физические основы электроники Лабораторная работа №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 3 . Схемы исследования На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения. Для исследован
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User sprut89 : 16 сентября 2019
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" 1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
******* Не известно Работа Лабораторная Физические основы электроники
User ANNA : 18 февраля 2019
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Mercuryman : 8 июля 2017
75 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User alru : 26 января 2017
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User merzavec : 8 декабря 2014
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Лабораторная работа №1. Физические основы электроники
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User donkirik : 19 июня 2014
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User parovozz : 23 декабря 2013
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1.
Лабораторная работа № 1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Электроника
User maromash : 30 марта 2013
350 руб.

Другие работы

Метрология, стандартизация и сертификация. Лабораторная работа №3.5. Вариант №03.
1 Цель работы 1.1. Изучить принцип работы и структурную схему универсального электронно-лучевого осциллографа. 1.2. Получить практические навыки работы с электронно-лучевым осциллографом и измерительными генераторами. 1.3. Приобрести навыки измерения временных интервалов, напряжения, периода и частоты различных электрических сигналов с помощью электронного осциллографа. 1.4. Освоить методику оценки погрешности измерений, выполняемых с помощью осциллографа и получить навыки оформления результат
ДО СИБГУТИ Метрология и стандартизация Работа Лабораторная
User nik200511 : 16 февраля 2017
98 руб.
Вексель и его виды. Особенности вексельных расчетов
План: 1. Введение 3-4 2. Источники вексельного законодательства 4-5 3. Понятие о векселях и вексельном обращении 5-8 4. Особенности вексельного обращения переводных векселей в России 8-9 5. Реквизиты векселя
Бухгалтерский учет и аудит Работа
User DocentMark : 8 ноября 2012
Теплотехника 19.03.04 КубГТУ Задача 4 Вариант 04
Определить поверхность нагрева рекуперативного газовоздушного теплообменника при прямоточной и противоточной схемах движения теплоносителей, если объемный расход нагреваемого воздуха при нормальных условиях Vн, средний коэффициент теплопередачи от продуктов сгорания к воздуху k, начальные и конечные температуры продуктов сгорания и воздуха соответственно равны t′1, t″1, t′2, t″2. Изобразить для обоих случаев графики изменения температуры теплоносителей от величины поверхности теплообмена.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 20 января 2026
200 руб.
Теплотехника 19.03.04 КубГТУ Задача 4 Вариант 04
Основание в сборе - Задание 16
ИНЖЕНЕРНАЯ ГРАФИКА. ПРАКТИКУМ ПО ЧЕРТЕЖАМ СБОРОЧНЫХ ЕДИНИЦ. Под редакцией П.В. Зеленого. Задание 16 - Основание в сборе. Сборочная единица "Основание в сборе" содержит три детали. В стаканы 2 вставляются втулки 3 и детали соединяются двумя винтами 5 (М10х16 ГОСТ 17473-80). Стаканы со втулками крепятся к основанию 1 двумя винтами 4 (М10х25 ГОСТ 1491-80), расположение стаканов см. на схеме. Состав работы: -3D модели всех деталей -3D сборка -3D сборка с разносом компонентов -Сборочный чертеж -Спе
Чертежи Инженерная и компьютерная графика
User .Инженер. : 3 марта 2023
250 руб.
Основание в сборе - Задание 16 promo
up Наверх