Устройства оптоэлектроники

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Устройство оптоэлектроники.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.

Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.

Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.

Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа

Дополнительная информация

Билет 17 Март 2016 зачёт Проверил Игнатов А.Н.
Устройства оптоэлектроники
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
User alru : 22 сентября 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр. тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7 Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
User arkadij : 13 февраля 2016
500 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
User alyonka249 : 25 декабря 2015
70 руб.
Устройства оптоэлектроники
Контр. Раб.вариант No08.4 сем Задача No1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.(фототиристор) Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр Тип ПП материала - Ge(германий) Квантовая эффективной ŋ = 0,2 Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ. Задача No3. Изобразить принципиальную
User женя68 : 6 декабря 2010
80 руб.
Устройства оптоэлектроники
СибГУТИ. Контрольная работа. Вариант 10. Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Задача №3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответств
User nat2744 : 13 ноября 2009
100 руб.
Устройства оптоэлектроники и нанофотоники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре студенческого билета 21. № варианта Тип фотоприёмника (ФП) 1 Фотодиод со структурой p-i-n
User Yuliyatitova : 1 апреля 2020
Устройства оптоэлектроники. Зачёт
Раздел: Физические основы оптоэлектроники. 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
User Gila : 17 января 2019
210 руб.
Структуры и алгоритмы обработки данных (часть 2-я) . Вариант №16
Вариант задания: А = 4 B = 4.4 D = 2 Двоичное Б-дерево. Задание на курсовую работу 1.Хранящуюся в файле базу данных, состоящую из 4000 записей (формат базы данных определяется вариантом) загрузить в оперативную память компьютера и построить дерево поиска заданного типа для решения задачи по поиску записей (задача определяется вариантом). Из найденных записей организовать список (очередь) и вывести их на экран 2.Созданное приложение должно иметь дружественный интерфейс, выводить подсказки п
User IT-STUDHELP : 18 ноября 2021
800 руб.
Структуры и алгоритмы обработки данных (часть 2-я) . Вариант №16 promo
Этикет современного молодого человека
Содержание Введение 1. Этика современной молодежи 2. Проблема морально-нравственных ценностей 3. Этикет общения "поколения пепси" 4. Этикет современного молодого человека Список использованных материалов Введение Современный этикет наследует обычаи практически всех народов от седой древности до наших дней. В основе своей эти правила поведения являются всеобщими, поскольку они соблюдаются представителями не только какого-то данного общества, но и представителями самых различных социально-
User ostah : 27 сентября 2013
5 руб.
Гидравлика и нефтегазовая гидромеханика ТОГУ Задача 28 Вариант 8
Трубопровод транспортирующий воду с расходом Q, разветвляется в точке A на три параллельные ветви. Определить распределение расхода в параллельных трубопроводах, если давление в точках А и Б (рис. 24) соответственно равны р1 и р2. Трубы чугунные, не новые.
User Z24 : 28 ноября 2025
250 руб.
Гидравлика и нефтегазовая гидромеханика ТОГУ Задача 28 Вариант 8
Химия радиоматериалов. Вариант №1
Задача 3.1.1. Определить падение напряжения в линии электропередач длиной L при температуре То1 , То2 , То3 , если провод имеет сечение S и по нему течет ток I. Дано: Материал Al(алюминий) Задача 3.1.2 Определить длину проволоки для намотки проволочного резистора с номиналом R, и допустимой мощностью рассеяния P. Дано: Материал Al(алюминий) R=100Ом P=100 Вт Задача 3.2.1 Определить концентрацию электронов и дырок в собственном и примесном полупроводнике, содержащем N атомов примеси при комна
User sxesxe : 3 ноября 2016
200 руб.
up Наверх