Устройства оптоэлектроники
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
Дополнительная информация
Билет 17 Март 2016 зачёт Проверил Игнатов А.Н.
Похожие материалы
Устройства оптоэлектроники
alru
: 22 сентября 2016
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
arkadij
: 13 февраля 2016
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7
Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
500 руб.
Устройства оптоэлектроники
alyonka249
: 25 декабря 2015
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
70 руб.
Устройства оптоэлектроники
женя68
: 6 декабря 2010
Контр. Раб.вариант No08.4 сем
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.(фототиристор)
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр Тип ПП материала - Ge(германий)
Квантовая эффективной ŋ = 0,2 Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ.
Задача No3.
Изобразить принципиальную
80 руб.
Устройства оптоэлектроники
nat2744
: 13 ноября 2009
СибГУТИ. Контрольная работа. Вариант 10.
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника.
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответств
100 руб.
500 руб.
Устройства оптоэлектроники и нанофотоники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Задача №1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре студенческого билета 21.
№ варианта Тип фотоприёмника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n
Устройства оптоэлектроники. Зачёт
Gila
: 17 января 2019
Раздел: Физические основы оптоэлектроники.
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
210 руб.
Другие работы
Проектирование и исследование механизмов дизель-воздушной установки (Вариант 8-14)
yura909090
: 25 мая 2012
ОПИСАНИЕ МЕХАНИЗМА
Основной рычажный механизм V- образной дизель-воздушной установки представляет собой центральный (без эксцентриситета) кривошипно-ползунный механизм, включающий в свой состав две группы Асура II-го класса 2-го порядка 2-го вида (шатунно-поршневые группы) и исходный механизм I-го класса – кривошип 1 и стойка 0 (коленчатый вал и блок цилиндров).
Дизель имеет двухтактный цикл работы. На индикаторной диаграмме (зависимости давления газов pв цилиндрах от перемещения поршней S) стр
100 руб.
Электротехника и электроника. Экзамен. Билет №9
SkyAngel
: 3 декабря 2015
Билет № 9
для зачета по дисциплине "Электротехника и электроника"
1. Комплексная передаточная функция. Определение комплексной передаточной функции по напряжению. АЧХ и ФЧХ цепи.
2. Качественно построить спектр заданного сигнала.
Um=10 B,
tu=2 мс.
150 руб.
Коммунистическая партия Российской Федерации КПРФ в современной политической жизни страны
Qiwir
: 16 января 2014
Введение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . с. 3
КПРФ: от запрета до активизации политической
деятельности . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . с. 5
Социально-экономическая и политическая платформа
современного российского коммунизма . . . . . . . . . . . . . . . . . с.11
3. Социальная опора КПРФ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . с. 19
Заключение . . . . . . . . . . . . . . .
5 руб.
Основы гидравлики МИИТ 2018 Задача 1.4 Вариант 3
Z24
: 9 декабря 2025
Перепад уровней ртути в левом и правом коленах ртутного манометра равен hр (рис. 1.1). Возвышение уровня воды над поверхностью ртути в левом колене манометра равно H.
Определить величину абсолютного давления р0 и высоту вакуума h для точки, взятой на поверхности воды в сосуде.
Плотность ртути принять равной ρр=13600 кг/м³. Атмосферное давление принять равным рат=98 кПа.
160 руб.