Лабораторная работа 6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 10
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Физика , Работа Лабораторная
-
Добавлен:
20.03.2016
-
Размер:
238 KB
-
Покупок:
7
-
Добавил:
ВитОс
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
13003825-36D7-473E-9447-B75BEB513F94.doc
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа 6.8
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
«Бухгалтерский учет». Вариант №2. 5-й семестр
Dthysq
: 26 ноября 2014
На основе данных для выполнения задания следует:
1 Провести группировку имущества приборостроительного завода по видам и источникам образования (задание 1).
2 Организовать учет основных хозяйственных процессов производственного предприятия в течение одного отчетного периода и составить Журнал хозяйственных операций (задание 2).
3 Подсчитать обороты по операциям, величина которых не задана, и объяснить порядок их расчета, определить результат от продажи продукции и списать его на счет “Прибы
Dthysq
: 26 ноября 2014
150 руб.
Таможенная территория и таможенные границы
Elfa254
: 2 августа 2013
Экономический потенциал таможенной территории России. Эконом. потенциал – это способность экономики страны, ее отраслей, предприятий и хозяйств осуществлять производственно-экономическую деятельность, выпускать продукцию, товары, услуги, и удовлетворять запросы населения, общественные потребности. Обеспечивать развитие производства и потребления. Экономический потенциал таможенной территории России – это способность наличных, трудовых и материальных ресурсов страны обеспечивать максимально возмо
Elfa254
: 2 августа 2013
10 руб.
Клапан предохранительный деталировка
coolns
: 6 февраля 2020
Клапан предохранительный сборочный чертеж
Клапан предохранительный спецификация
1_Корпус
2_Седло
3_Золотник
4_Шток
5_Тарелка
6_Втулка
7_Рукоятка
9_Пружина
Корпус 1 изготовлен из стали. В нижнем фланце корпуса 1 имеются четыре проходных отверстия для крепления корпуса винтами или шпильками к рабочей камере. Фланец рабочей камеры показан на чертеже оборванным и без номера позиции. В сферической части корпуса просверлено четыре отверстия для сброса давления при срабатывания клапана. В верхнем цил
coolns
: 6 февраля 2020
350 руб.
Циркуляционная система буровой установки БУ 3Д-76 с усовершенствованием конструкции центрифуги ОГШ-501К-10-Дипломная работа-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин
lelya.nakonechnyy.92@mail.ru
: 21 июня 2018
Циркуляционная система буровой установки БУ 3Д-76 с усовершенствованием конструкции центрифуги ОГШ-501К-10-Текст пояснительной записки выполнен на Украинском языке вы можете легко его перевести на русский язык через Яндекс Переводчик ссылка на него https://translate.yandex.ru/?lang=uk-ru или с помощью любой другой программы для перевода-Дипломная работа-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин
4 ОПИСАНИЕ ТЕХНИЧЕСКОГО ПРЕДЛОЖЕНИЯ
Уплотняющие устройства предназначены для удержания смаз
lelya.nakonechnyy.92@mail.ru
: 21 июня 2018
2584 руб.
