Лабораторная работа 6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 10
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Физика , Работа Лабораторная
-
Добавлен:
20.03.2016
-
Размер:
238 KB
-
Покупок:
7
-
Добавил:
ВитОс
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
13003825-36D7-473E-9447-B75BEB513F94.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа 6.8
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Другие работы
Автоматизация офисной деятельности
GnobYTEL
: 24 августа 2012
СибГУТИ, 3 семестр. Опишите назначение и дайте пример использования функции Ставка. Функция СТАВКА вычисляется путем итераций и может давать нулевое значение или несколько значений. Если последовательные результаты функции СТАВКА не сходятся с точностью 0,0000001 после 20 итераций, то функция СТАВКА возвращает значение ошибки #ЧИСЛО! .
Синтаксис функции: (где функция БЗ рассчитывает будущую стоимость периодических постоянных платежей и будущее значение единой суммы вклада или займа на основе пос
GnobYTEL
: 24 августа 2012
20 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: «Цифровые системы передачи». Вариант №4
aleks797
: 9 февраля 2013
«Исследование амплитудно-импульсной модуляции»
1. Цель работы: исследование амплитудно-импульсной модуляции (дискретизации непрерывного сигнала по времени), используемой при формировании канальных цифровых сигналов, в частности исследование влияния выбора частоты дискретизации на форму и спектр передаваемого сигнала.
3. Задание:
1. Ввести одно из двух значений частоты дискретизации Fд1=7,6кГц, Fд2=6,2кГц.
2. Подключить осциллограф к выходу генератора частоты дискретизации. Зарисовать осциллограм
aleks797
: 9 февраля 2013
100 руб.
Курсовой проект по технологии возведения зданий
romanoff81
: 29 ноября 2013
Специальность ПГС. Разработка технологической карты на монтаж каркаса многоэтажного промышленного здания из сборных железобетонных конструкций. Работа состоит из трех листов формата А1 и пояснительной записки. Введение
1 Подсчет объемов работ
2 Организация доставки и складирования конструкций
3 Описание метода и способа монтажа
4 Выбор монтажных кранов
5 Описание технологической последовательности выполнения операций
7 Определение трудоемкости работ
8 Контроль качества монтажных работ
romanoff81
: 29 ноября 2013
29 руб.
Гидравлика УрИ ГПС МЧС Задание 3 Вариант 01
Z24
: 20 марта 2026
Ответить на теоретические вопросы:
Гидростатическое давление и его свойства. Что такое “эпюра давления”? Принцип построения эпюр давления. Использование эпюр давления для определения величины гидростатического давления и центра давления.
Методика определения силы и центра давления жидкости на цилиндрические поверхности.
Задача 3.
Определить на какой высоте z установится уровень ртути в сосуде относительно точки А, если манометрическое (3.избыточное) давление в этой точке составляет рa. Ж
Z24
: 20 марта 2026
110 руб.
