Контрольная работа по дисциплине: Устройство оптоэлектроники. Вариант №13.
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 13. Фотодиод с гетероструктурой.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффектив-ность, h Ширина запрещен-ной зоны D W, эВ
1 Si 0,7 1,12
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3).
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Таблица 4. Варианты и исходные данные задачи №4
№ варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
1 АЛ316А 9 680
Литература:
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 13. Фотодиод с гетероструктурой.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффектив-ность, h Ширина запрещен-ной зоны D W, эВ
1 Si 0,7 1,12
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3).
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Таблица 4. Варианты и исходные данные задачи №4
№ варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
1 АЛ316А 9 680
Литература:
Дополнительная информация
Проверка работы ДО С**. (СБВ-52)
Работа зачтена т.к. основные пункты решения задач выполнены правильно.
2016 год.
Работа зачтена т.к. основные пункты решения задач выполнены правильно.
2016 год.
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
150 руб.
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники. Вариант №13
ZhmurovaUlia
: 11 июня 2017
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Тип фотоприемника (ФП)Фотодиод с гетероструктурой
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Тип ПП материала Si
Квантовая эффектив-ность, h 0,7
Ширина запрещен-ной зоны D W, 1,12 эВ
Задача №3
Изобразить принц
140 руб.
Устройство оптоэлектроники. Зачетная работа. Вариант №13
Mental03
: 8 апреля 2016
Зачетная работа по Устройствам оптоэлектроники. Вариант 13.
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Энергетические параметры.
Раздел Излучатели.
2.Структурная схема лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фототранзистора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидкокристаллического индикатора на основе «Твист эффекта».
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 30
Учеба "Под ключ"
: 4 сентября 2022
Номер варианта для решения первой и третьей задач должен соответствовать последней цифре Вашего пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре вашего пароля.
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 0
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод на основе p-n-перехода
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэ
600 руб.
Другие работы
Философия. Контрольная работа № 1. Вариант 01
berserkdeep
: 3 мая 2012
РАЗДЕЛ 1.
1."Материалистами называются философы, которые признают лишь существование материальных вещей и тел" /Вольф Х./ Можно ли согласиться с этим определением?
2. Что, на ваш взгляд, принципиально отличает философию от теологии и религии?
3. Определите к какому направлению в философии:
• объективный идеализм;
• субъективный идеализм;
• дуализм;
• материализм;
• деизм.
Относятся следующие высказывания:
1. начало всего – единица;
2. ни тела вызывают ощущения, а комплексы ощущений образуют тел
150 руб.
Гидравлика ИжГТУ 2007 Задача 3.6 Вариант 15
Z24
: 19 октября 2025
Вода при 20 ºС (ν=10-6 м²/c) вытекает из верхнего бака в нижний через трубопровод длиной L, имеющий n резких поворотов и один вентиль (ζвх), с расходом Q. Разность уровней в баках равна h.
Найти необходимый для пропускания такого расхода внутренний диаметр трубопровода d.
Вид трубы — см. табл.3.1 на с. 24.
Задачу решить графоаналитическим методом. Полученное значение d выразить в м и мм.
320 руб.
Проект модернизациитокарно-винторезного станка 1К62Д
Рики-Тики-Та
: 6 июня 2012
Оглавление
Введение…………………………………………………………………………2
I. Обоснование технических характеристик привода………………………...3
II. Кинематический расчет станка…………………………………..................6
III. Определение силовых и кинематических параметров привода………..11
IV. Геометрический расчет привода…………………………………………..12
V. Определение контактных напряжений и напряжений изгиба зубчатых
колес привода. Выбор материала и термообработки……………………..17
VI. Расчетные схемы валов коробки скоростей………………………………22
VII. Уточнен
55 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Химия радиоматериалов. Вариант № 1
Andrev111111
: 11 ноября 2012
Задача No 3.1.1
Определить падение напряжения в линии электропередач длиной L при температуре То1 , То2 , То3 , если провод имеет сечение S и по нему течет ток I.
Задача No 3.1.2
Определить длину проволоки для намотки проволочного резистора с номиналом R, и допустимой мощностью рассеяния P.
Задача 3.2.1
Определить концентрацию электронов и дырок в собственном и примесном полупроводнике, содержащем N атомов примеси при комнатной температуре.
Задача 3.2.2
Образец полупроводникового материала легир
80 руб.