Контрольная работа по дисциплине: Устройство оптоэлектроники. Вариант №13.

Цена:
300 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon устр. опт. контрольная Садкова.docx
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 13. Фотодиод с гетероструктурой.

Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемников
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффектив-ность, h Ширина запрещен-ной зоны D W, эВ
1 Si 0,7 1,12

Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3).

Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
Таблица 4. Варианты и исходные данные задачи №4
№ варианта Тип светодиода Напряжение питания Uпит, В Номинал ограничительного сопротивления, Ом
1 АЛ316А 9 680

Литература:

Дополнительная информация

Проверка работы ДО С**. (СБВ-52)
Работа зачтена т.к. основные пункты решения задач выполнены правильно.
2016 год.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с гетероструктурой Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
User karimoverkin : 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 0 Фотодиод на основе р-n перехода Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр. Исходные данные Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
User Dctjnkbxyj789 : 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 9 Фоторезистор Решение: Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра. В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
User nvm1604 : 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант 4. Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
User lebed-e-va : 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
User ART1800 : 8 мая 2013
150 руб.
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники. Вариант №13
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Тип фотоприемника (ФП)Фотодиод с гетероструктурой Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней l гр. Тип ПП материала Si Квантовая эффектив-ность, h 0,7 Ширина запрещен-ной зоны D W, 1,12 эВ Задача №3 Изобразить принц
User ZhmurovaUlia : 11 июня 2017
140 руб.
Устройство оптоэлектроники. Зачетная работа. Вариант №13
Зачетная работа по Устройствам оптоэлектроники. Вариант 13. Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Энергетические параметры. Раздел Излучатели. 2.Структурная схема лазера. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фототранзистора. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия жидкокристаллического индикатора на основе «Твист эффекта».
User Mental03 : 8 апреля 2016
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 30
Номер варианта для решения первой и третьей задач должен соответствовать последней цифре Вашего пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре вашего пароля. Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Последняя цифра пароля: 0 Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод на основе p-n-перехода Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэ
User Учеба "Под ключ" : 4 сентября 2022
600 руб.
promo
Философия. Контрольная работа № 1. Вариант 01
РАЗДЕЛ 1. 1."Материалистами называются философы, которые признают лишь существование материальных вещей и тел" /Вольф Х./ Можно ли согласиться с этим определением? 2. Что, на ваш взгляд, принципиально отличает философию от теологии и религии? 3. Определите к какому направлению в философии: • объективный идеализм; • субъективный идеализм; • дуализм; • материализм; • деизм. Относятся следующие высказывания: 1. начало всего – единица; 2. ни тела вызывают ощущения, а комплексы ощущений образуют тел
User berserkdeep : 3 мая 2012
150 руб.
Гидравлика ИжГТУ 2007 Задача 3.6 Вариант 15
Вода при 20 ºС (ν=10-6 м²/c) вытекает из верхнего бака в нижний через трубопровод длиной L, имеющий n резких поворотов и один вентиль (ζвх), с расходом Q. Разность уровней в баках равна h. Найти необходимый для пропускания такого расхода внутренний диаметр трубопровода d. Вид трубы — см. табл.3.1 на с. 24. Задачу решить графоаналитическим методом. Полученное значение d выразить в м и мм.
User Z24 : 19 октября 2025
320 руб.
Гидравлика ИжГТУ 2007 Задача 3.6 Вариант 15
Проект модернизациитокарно-винторезного станка 1К62Д
Оглавление Введение…………………………………………………………………………2 I. Обоснование технических характеристик привода………………………...3 II. Кинематический расчет станка…………………………………..................6 III. Определение силовых и кинематических параметров привода………..11 IV. Геометрический расчет привода…………………………………………..12 V. Определение контактных напряжений и напряжений изгиба зубчатых колес привода. Выбор материала и термообработки……………………..17 VI. Расчетные схемы валов коробки скоростей………………………………22 VII. Уточнен
User Рики-Тики-Та : 6 июня 2012
55 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Химия радиоматериалов. Вариант № 1
Задача No 3.1.1 Определить падение напряжения в линии электропередач длиной L при температуре То1 , То2 , То3 , если провод имеет сечение S и по нему течет ток I. Задача No 3.1.2 Определить длину проволоки для намотки проволочного резистора с номиналом R, и допустимой мощностью рассеяния P. Задача 3.2.1 Определить концентрацию электронов и дырок в собственном и примесном полупроводнике, содержащем N атомов примеси при комнатной температуре. Задача 3.2.2 Образец полупроводникового материала легир
User Andrev111111 : 11 ноября 2012
80 руб.
up Наверх