Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №2

Состав работы

37B93353-D87A-418F-9285-CE54A43CC86F.rar [ 205 KB ]

Оптика_Кр1.doc [ 1 MB ]

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:

Microsoft Word

Что делать, если файл не открывается

Описание

Задача №1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника (ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фото чувствительность приёмника.
Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней
Тип ПП материала -
Квантовая эффективной
Ширина запрещённой зоны .
см. скриншот
Задача №3.
Изобразить принципиальную схему включения семи сегментного полупроводникового индикатора.
Описать принцип действия индикатора.
Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего студенческого билета.
Результаты оформить в виде таблицы истинности.
Задача №4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания и номинала ограничительного сопротивления . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных и . Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.

Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники

Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с гетероструктурой Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).

СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная

karimoverkin : 11 июня 2017

100 руб.

Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”

Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 0 Фотодиод на основе р-n перехода Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр. Исходные данные Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн

СибГУТИ Электроника Работа Контрольная

Dctjnkbxyj789 : 11 февраля 2017

35 руб.

Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники

Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 9 Фоторезистор Решение: Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра. В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно

СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная

nvm1604 : 27 января 2016

50 руб.

Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники

Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант 4. Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод

СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная

lebed-e-va : 28 апреля 2015

150 руб.

Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники

Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат

СибГУТИ Электроника Работа Контрольная

ART1800 : 8 мая 2013

150 руб.

Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 30

Номер варианта для решения первой и третьей задач должен соответствовать последней цифре Вашего пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре вашего пароля. Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Последняя цифра пароля: 0 Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод на основе p-n-перехода Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэ

ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная

Учеба "Под ключ" : 4 сентября 2022

600 руб.

Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 07

Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1 – Исходные данные № варианта: 7 Тип фотоприемника: Фототранзистор Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. № варианта: 0 Тип ПП материала: Ge Кван

ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная

SibGOODy : 14 сентября 2018

400 руб.

Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 18

Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. № варианта: 8 Тип фотоприемника: Фототиристор Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. № варианта: 1 Тип ПП материала: Si Квантовая эффективность, n: 0,7 Ши

ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная

SibGOODy : 7 августа 2018

450 руб.

Контрольная работа по дисциплине: Социальная психология Вариант 04

ОСНОВНЫЕ ТЕОРЕТИКО-МЕТОДОЛОГИЧЕСКИЕ ПОДХОДЫ К ИССЛЕДОВАНИЮ СОЦИАЛЬНО-ПСИХОЛОГИЧЕСКИХ ЯВЛЕНИЙ СОДЕРЖАНИЕ Введение…………………………………………………………..…………….3 Основные методы социально-психологического исследования…………….4 Заключение…………………………………………………………………….12 Список используемой литературы

СибГУТИ Социальная психология Работа Контрольная

agentorange : 23 сентября 2017

140 руб.

Бетонная водосбросная плотина

Содержание..................................................................................................... 2 1. Компоновка сооружений гидроузла.......................................................... 3 2. Гидравлические расчеты............................................................................. 4 2.1 Расчет пропускной способности сифонного водосброса........................ 4 2.2 Расчет сопряжения бьефов........................................................................ 6 2.

Работа Курсовая Геология нефти и газа

alfFRED : 27 октября 2012

5 руб.

Устинова Е.В. Основы гидравлики ДВГУПС 2022 Задача 5.6 Вариант 4

Определить количество болтов, удерживающих полусферическую крышку радиусом R (рис. 5.4), если один болт воспринимает усилие F. К боковой поверхности резервуара на глубине H присоединен манометр, показания которого рм. Резервуар заполнен жидкостью, плотность которой ρ.

Задачи Гидравлика

Z24 : 2 марта 2026

180 руб.