Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Контрольная работа. Вариант №3.
-
Категории:
Электротехника, СибГУТИ, Работа Контрольная
-
Добавлен:
05.04.2016
-
Размер:
59 KB
-
Покупок:
17
-
Добавил:
SibGUTI2
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Контрольная работа 1.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Контрольная работа
Выбор варианта задания.
Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Таблица 1
.......
Укажите на схеме полярность источника питания, соответствующую вашему варианту. Укажите, какую логическую функцию выполняет элемент. Поясните назначение каждого транзистора. Приведите таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики рассматриваемого Вами логического элемента. Используя данные задания Вашего варианта, приведите на передаточных характеристиках эпюру входного напряжения и определите, в каком логическом состоянии находится цепь, рассматриваемого вами элемента.
Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта в соответствии с таблицей 2. Варианты схем приведены на рисунке 2.
Таблица 2
Изобразите передаточную характеристику устройства, соответствующего Вашему варианту. Поясните назначение каждого элемента устройства. Определите коэффициент усиления Вашего устройства и амплитуду выходного напряжения. Укажите, какое входное сопротивление имеет рассматриваемое Вами устройство. Приведите примерный вид амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) Вашего устройства и причины отклонения реальной АЧХ от идеальной.
Выбор варианта задания.
Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Таблица 1
.......
Укажите на схеме полярность источника питания, соответствующую вашему варианту. Укажите, какую логическую функцию выполняет элемент. Поясните назначение каждого транзистора. Приведите таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики рассматриваемого Вами логического элемента. Используя данные задания Вашего варианта, приведите на передаточных характеристиках эпюру входного напряжения и определите, в каком логическом состоянии находится цепь, рассматриваемого вами элемента.
Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта в соответствии с таблицей 2. Варианты схем приведены на рисунке 2.
Таблица 2
Изобразите передаточную характеристику устройства, соответствующего Вашему варианту. Поясните назначение каждого элемента устройства. Определите коэффициент усиления Вашего устройства и амплитуду выходного напряжения. Укажите, какое входное сопротивление имеет рассматриваемое Вами устройство. Приведите примерный вид амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) Вашего устройства и причины отклонения реальной АЧХ от идеальной.
Дополнительная информация
Коментарии: Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 03.04.2016
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 03.04.2016
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). ВАРИАНТ №3. Контрольная работа.
holm4enko87
: 17 января 2025
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
holm4enko87
: 17 января 2025
300 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
Илья272
: 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Контрольная работа. Вариант №3
SibGUTI2
: 18 марта 2016
Контрольная работа
Выбор варианта задания.
Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зав
SibGUTI2
: 18 марта 2016
90 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника Контрольная работа. Вариант №3
Legeoner13
: 6 марта 2015
Задача 3.1
Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа К, в результате чего в цепи возникает переходной процесс.
Задача 4.1
Задача посвящена расчету параметров четырехполюсника (ЧП) и анализу прохождения сигналов через него в согласованном и несогласованном режимах работы.
Электрическая цепь состоит из источника сигнала, имеющего ЭДС , частоту f = 5 кГц, начальн
Legeoner13
: 6 марта 2015
50 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
Алексей134
: 4 марта 2021
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Алексей134
: 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
SibGUTI2
: 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
SibGUTI2
: 9 мая 2016
100 руб.
Другие работы
Матричные операции в вейвлетном базисе
Qiwir
: 9 августа 2013
Введение
Вейвлет-преобразование сигналов (wavelet transform), теория которого оформилась в начале 90-х годов, является не менее общим по областям своих применений, чем классическое преобразование Фурье. Принцип ортогонального разложения по компактным волнам состоит в возможности независимого анализа функции на разных масштабах ее изменения. Вейвлет-представление сигналов (функций времени) является промежуточным между полностью спектральным и полностью временным представлениями.
Компактные волны
Qiwir
: 9 августа 2013
Предотвращение вредного воздействия шахтных и карьерных вод на состояние водоемов Донбасса
Elfa254
: 17 ноября 2013
Развитие промышленного и сельскохозяйственного производства приводит к непрерывному увеличению потребления воды, а также к деградации качества воды в природных водоемах вследствие непрерывно увеличивающейся концентрации различных загрязнителей, и, прежде всего, концентрации солей.
Это особенно отчетливо проявляется в промышленно развитых регионах, где воздействие значительных объемов промышленных сточных вод усугубляется сбросом в водные источники минерализованных шахтных и карьерных вод.
И им
Elfa254
: 17 ноября 2013
10 руб.
Лабораторная работа №1 По дисциплине: Основы схемотехники Исследование резисторного каскада предварительного усилителя на биполярном транзисторе.
pvv1962
: 5 апреля 2015
Вариант 3.
Исследование резисторного каскада предварительного
усилителя на биполярном транзисторе.
Цель работы.
Целью работы является исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики).
pvv1962
: 5 апреля 2015
75 руб.
Статистика миграции населения
Директ
: 19 мая 2014
Миграция населения как объект изучения статистики. Направления разработки и анализа данных о миграции населения. Статистическая оценка миграции населения Российской Федерации. Статистическое прогнозирование динамики миграционного прироста населения.
Директ
: 19 мая 2014
100 руб.
