Этот материал можно скачать бесплатно

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon
material.view.file_icon
material.view.file_icon
material.view.file_icon 1-TER_-100.doc
material.view.file_icon 2 гл схема.vsd
material.view.file_icon 2_VYBOR_SKhEMY_PS.doc
material.view.file_icon 3SN_PS_skhema_gotovo (1).doc
material.view.file_icon 4Tablitsa_gotovo.doc
material.view.file_icon 4_Razdel_Raschet_K_Z.doc
material.view.file_icon 5SKhEMA_PS_moy_vatman.vsd
material.view.file_icon 5Tabl2.doc
material.view.file_icon 5_Vybor_EO1111.doc
material.view.file_icon 6_OPISANIE_KONSTRUKTsII_ZRU.doc
material.view.file_icon 6_ZRU.vsd
material.view.file_icon аннотация.docx
material.view.file_icon заземлен к ватману.docx
material.view.file_icon молниезащита заземление ОРУ.vsd
material.view.file_icon молниезащита ору к ватману.docx
material.view.file_icon ОПН и предохранители.docx
material.view.file_icon ОРУ 110.vsd
material.view.file_icon освещение.docx
material.view.file_icon
material.view.file_icon Р.З..vsd
material.view.file_icon рз к ватману.docx

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word
  • Visio

Описание

Объектом проектирования является понизительная подстанция для электроснабжения потребителей Капчагайского района города Капчагай.
Целью проектирования является выбор силовых трансформаторов, высоковольтных аппаратов, токоведущих частей и другого оборудования подстанции; расчет освещения, заземления и молниезащиты подстанции; разработка организационно-экономических вопросов.
В результате проведенных расчетов принята типовая комплектная трансформаторная подстанция из блоков заводского изготовления типа КТПБ 110/10 – 5 – М – 2 х- 10000 – 59 У1
 Выводы, сделанные при разработке темы для углубленной разработки могут быть использованы в проектной и эксплутационной практике.
КП. Проектирование тупиковой подстанции 110-10 кВ
Владивостокский государственный университет «Электроэнергетика и электротехника» 2021 г. В КП проектируется тупиковая подстанция 110/10 кВ. Связь с системой по ВЛ 110 кВ, потребитель НПЗ. Pmax10=28 МВт. В данном проекте составляется единственный вариант структурной схемы, производится выбор трансформаторов, расчет количества линий, выбор схем распределительных устройств, разрабатывается схема питания собственных нужд подстанции. Для этой схемы производится расчет токов короткого замыкания. По по
User 1000000 : 24 ноября 2024
500 руб.
Проектирование тупиковой подстанции 110-35-10 кВ
В КП разработана тупиковая подстанция 110/35/10кВ. Связь с системой осуществляется по ВЛ-110 кВ. Произведен выбор двух вариантов структурных схем, выбор числа и мощности трансформаторов связи. Произведен расчет количества линий. Выбраны схемы распределительных устройств. Для выявления наиболее оптимального варианта проведено технико-экономическое сравнение двух вариантов. Составлена схема питания собственных нужд. Рассчитаны токи короткого замыкания. Выбраны выключатели, разъединители, трансформ
User 1000000 : 29 ноября 2024
500 руб.
КП. Проектирование районной подстанции 500-110-10 кВ
Российский новый университет "Электрооборудование и электрохозяйство предприятий, организаций и учреждений" 2019 г. В КП рассмотрены и выполнены следующие разделы: Выбор главной схемы ГПП; Анализ схем РУ-ВН и РУ-НН; Выбор числа и мощности силовых трансформаторов; Расчет токов короткого замыкания; Выбор всего высоковольтного оборудования; Заземление подстанции. В ПЗ - 34 листа. Графическая часть - 2 чертежа А1 в программе "Компас". Оценка КП "Отлично".
User 1000000 : 24 ноября 2024
500 руб.
Проектирование подстанции 110/35/10 и прилегающей сети 110 кВ
Содержание Введение……………………………………………………………….. 1 Проектирование подстанции 110/35/10 кВ…………………… 1.1 Исходные данные для проектирования подстанции…………. 1.2 Выбор трансформаторов связи на подстанции ………………. 1.3 Схема перетоков мощности……………………………………. 1.4 Расчет количества линий……………………………………….. 1.5 Выбор схем распределительных устройств…………………… 1.6 Составление схемы собственных нужд……………………….. 1.7 Расчет токов короткого замыкания…………………………… 1.8 Выбор выключателе
User Sergiys : 24 мая 2011
Минаева Е.В., Жарская З.В., Ашалян Л.Н. Маркетинг
В учебно-практическом пособии в кратком и систематическом виде изложено содержание курса маркетин-га. Пособие охватывает основные аспекты маркетинга и подготавливает сту-дентов к практической деятельности в данной сфере. В пособии обобщен опыт отечественного и зарубежного маркетинга, использован широкий перечень на-учно-практической литературы, даны вопросы и тесты по каждой теме. Имеет-ся словарь основных понятий СОДЕРЖАНИЕ Введение Становление и развитие маркетинга Вопросы для самоконтроля п
User Aronitue9 : 13 января 2012
2 руб.
Электродинамика. 38-й вариант
Плоская электромагнитная волна распространяется в безграничной немагнитной среде с относительной диэлектрической проницаемостью и удельной проводимостью . Частота колебаний f, амплитуда напряженности магнитного поля Нm. Определить: 1. Модуль и фазу волнового сопротивления среды. 2. Сдвиг фаз между составляющими поля Е и Н 3. Коэффициент затухания и фазовую постоянную. 4. Длину волны в среде и расстояние, на котором амплитуда волны затухает на 100 дБ. 5. Отношение плотностей тока проводимости и
User Homa : 24 ноября 2021
200 руб.
Электродинамика. 38-й вариант
Защита информации в системах беспроводной связи
1) Ключ KI (16 байт) зависит от варианта: KI = 8749 8496 49DF A803 F278 1C87 D87B B503 2) Последовательность RAND нужно сгенерировать самостоятельно. Требования следующие: a.   Длина 16 байт. b. Записать в виде последовательности из 32 шестнадцатеричных символов. c.   Шестнадцатеричные символы: 0-9, A,B,C,D,E,F. d. Ключ KI может послужить примером, но RAND должен отличатся от KI. RAND - A6B9 ABCD 83FA 3AB3 4C09 3CED 7F6D 7A82 3) С помощью программы «2G + 3G/4G Authentication» вычислить
User s800 : 11 ноября 2025
300 руб.
Вплив легування цинком на властивості МОН-структур
Зміст Вступ 1. ЛІТЕРАТУРНИЙ ОГЛЯД 1.1. Методи вирощування плівок термічного SiO2. 1.2. Основні властивості диоксиду кремнію та меж розділу з напівпровідником та металом. 1.3 . Гетерування дефектів в технології напівпровідникових приладів. 2. МЕТОДИКА ЕКСПЕРИМЕНТУ 2.1. Методика вирощування плівок термічного SiO2 з одночасним легуванням в процесі росту. 2.2. Визначення параметрів технологічного процесу. 2.3. Методика дослідження дефектності діелектричних плівок. 2.4. Мето
User Aronitue9 : 13 ноября 2012
19 руб.
up Наверх