Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
500 Контрольная работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант №21ID: 165284Дата закачки: 13 Апреля 2016 Продавец: pccat (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Работа Контрольная Форматы файлов: Microsoft Word Сдано в учебном заведении: СПбГУТ Описание: Задание из работы (вариант 21): Задача 1.1 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К. По условию варианта 21 полупроводник – арсенид галлия GaAs. Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei Задача 1.6 Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3, Т = 300 К. Определить концентрацию атомов донорной примеси Nд Полупроводник по условию варианта 21 – арсенид галлия GaAs. Задача 1.13 Полупроводник находится под стационарным внешнем воздействии, выражающемся в однородном облучении его светом. Скорость генерации электронов под действием света G = 1020 см-3/с. Время жизни неравновесных электронов в полупроводнике τ = 10-7 с. Определить избыточную концентрацию электронов Δn. Задача 2.2 Удельные сопротивления областей полупроводника, образующих резкий p-n переход равны pn = 1 Ом·см, pp = 10 Ом·см. Т = 300 К. Определить контактную разность потенциалов φк и ширину перехода Δ при подаче на переход обратного напряжения U = 5 В Полупроводник – Ge. Задача 2.6 Обратный тепловой ток резкого р-п перехода Io = 10-12 А, сопротивление тела базы = 40 Ом. Т = 300 К. Рассчитать и построить на графике прямую ветвь ВAX р-n-перехода в интервале токов i =0...20 мА. Провести ее кусочно-линейную аппроксимацию и определить пороговое напряжение U. Определить смещение прямой ветви BAX вдоль оси напряжений ΔU при изменении температуры на ΔT = 10 К. Задача 2.9 Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n переход равны: ND = 1018 см-3, NA = 1015 см-3. Площадь перехода равна S = 0,004 см2, время жизни неравновесных электронов τn = 10-6c, T = 300 K. Полупроводник – германий. Определить обратный тепловой ток перехода Iо, барьерную емкость перехода СБ в равновесном состоянии (u = 0) и диффузионную емкость перехода Сдиф при прямом токе I = 10 мА. Задача 3.3 МДП-транзистор с индуцированным каналом п-типа включен по схеме ОИ. Напряжения между электродами: Uзи = 3 В, Uси = 5 В, Uпор = 1 В. Нарисовать схему включения транзистора, показать полярности напряжений и определить в каком режиме работает транзистор. Задача 3.7 Биполярный транзистор p-n-p структуры, имеющий параметры α = 0,98, α1 = 0,3, I0 = 10-13 А включен по схеме ОБ. Напряжения между электродами равны: Uэб = 0,7 В, Uкб = - 8,0 В. Определить в каком режиме работает транзистор. Определить напряжение Uкэ, токи Iэ, Iк, Iб Задача 3.12 Биполярный транзистор n-p-n структуры, имеющий параметры α = 0,98, α1 = 0,3, I0 = 10-13А включен по схеме ОЭ, напряжение Uбэ = 0,7 В. Используя передаточную модель транзистора Эберса-Молла, рассчитать и построить на графике зависимость тока коллектора ik от напряжения uкэ в интервале Uкэ = 0 … 10 В. Комментарии: Санкт-Петербургский Государственный Университет Телекоммуникаций им. проф. М. А. Бонч-Бруевича. Вариант 21 Оценка - отлично Размер файла: 367 Кбайт Фаил: (.doc) ------------------- Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные! Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку. Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот. -------------------
Скачано: 2 Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать! Некоторые похожие работы:Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 07. Контрольная работа и Лабораторная работа 1,2,3.Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 04. Контрольная работа и Лабораторная работа №1,2,3. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №02. Контрольная работа и Лабораторная работа №№1,2,3. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 03. Контрольная работа и Лабораторная работа №1,2,3. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 08. Контрольная работа и Лабораторная работа №№1,2,3. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 09. Контрольная работа и Лабораторная работа №1,2,3. Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами. |
||||
Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! От 350 руб. за реферат, низкие цены. Спеши, предложение ограничено ! |
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Физические основы электроники / Контрольная работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант №21
Вход в аккаунт: