Контрольная работа. Физические Основы Электроники (ФОЭ). Вариант №21

Задание из работы (вариант 21):
Задача 1.1
 В полупроводнике n типа концентрация атомов донорной примеси составляет ND = 1016 см-3 , Т = 300 К.
 По условию варианта 21 полупроводник – арсенид галлия GaAs.
 Определить концентрации основных и неосновных носителей зарядов nn и pn и положение уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны ЕFn - Ei

Задача 1.6
Отношение удельного сопротивления полупроводника n типа к удельному сопротивлению собственного полупроводника составляет рn/pi = 10-3, Т = 300 К.
Определить концентрацию атомов донорной примеси Nд
Полупроводник по условию варианта 21 – арсенид галлия GaAs.

Задача 1.13

 Полупроводник находится под стационарным внешнем воздействии, выражающемся в однородном облучении его светом. Скорость генерации электронов под действием света G = 1020 см-3/с. Время жизни неравновесных электронов в полупроводнике τ = 10-7 с.
 Определить избыточную концентрацию электронов Δn.  

Задача 2.2
Удельные сопротивления областей полупроводника, образующих резкий p-n переход равны pn = 1 Ом·см, pp = 10 Ом·см. Т = 300 К.
Определить контактную разность потенциалов φк и ширину перехода Δ при подаче на переход обратного напряжения U = 5 В
Полупроводник – Ge.

Задача 2.6
 Обратный тепловой ток резкого р-п перехода Io = 10-12 А, сопротивление тела базы = 40 Ом. Т = 300 К.
Рассчитать и построить на графике прямую ветвь ВAX р-n-перехода в интервале токов i =0...20 мА. Провести ее кусочно-линейную аппроксимацию и определить пороговое напряжение U. Определить смещение прямой ветви BAX вдоль оси напряжений ΔU при изменении температуры на ΔT = 10 К.

Задача 2.9
 Концентрации атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n переход равны: ND = 1018 см-3, NA = 1015 см-3. Площадь перехода равна S = 0,004 см2, время жизни неравновесных электронов τn = 10-6c, T = 300 K.
 Полупроводник – германий.
 Определить обратный тепловой ток перехода Iо, барьерную емкость перехода СБ в равновесном состоянии (u = 0) и диффузионную емкость перехода Сдиф при прямом токе I = 10 мА.

Задача 3.3
 МДП-транзистор с индуцированным каналом п-типа включен по схеме ОИ. Напряжения между электродами: Uзи = 3 В, Uси = 5 В, Uпор = 1 В.
 Нарисовать схему включения транзистора, показать полярности напряжений и определить в каком режиме работает транзистор.

Задача 3.7
 Биполярный транзистор p-n-p структуры, имеющий параметры α = 0,98, α1 = 0,3, I0 = 10-13 А включен по схеме ОБ. Напряжения между электродами равны: Uэб = 0,7 В, Uкб = - 8,0 В.
 Определить в каком режиме работает транзистор. Определить напряжение Uкэ, токи Iэ, Iк, Iб

Задача 3.12
 Биполярный транзистор n-p-n структуры, имеющий параметры α = 0,98, α1 = 0,3, I0 = 10-13А включен по схеме ОЭ, напряжение Uбэ = 0,7 В.
 Используя передаточную модель транзистора Эберса-Молла, рассчитать и построить на графике зависимость тока коллектора ik от напряжения uкэ в интервале Uкэ = 0 ... 10 В.

Санкт-Петербургский Государственный Университет Телекоммуникаций им. проф. М. А. Бонч-Бруевича.
Вариант 21
Оценка - отлично