Билет №3 по дисциплине "Физические основы электроники".
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Работа Зачетная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
16.04.2016
-
Размер:
80 KB
-
Покупок:
6
-
Добавил:
freelancer
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
ФОЭ3билет.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
Дополнительная информация
Год сдачи: 2015.
Похожие материалы
Билет №3 по дисциплине "Физические основы электроники"
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
100 руб.
Итоговая работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
Jerryamantipe03
: 23 июня 2021
1. Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
Jerryamantipe03
: 23 июня 2021
50 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
djo
: 8 сентября 2020
1. Электронно-дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
djo
: 8 сентября 2020
190 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №3
Roma967
: 7 декабря 2015
Билет №3
1. Электронно-дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. p-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
2. Зависимость характеристик БТ от температуры для различных схем включения.
Roma967
: 7 декабря 2015
250 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. 3-й семестр. Билет №12
58197
: 22 сентября 2013
Билет № 12
1. Стабилитрон. ВАХ. Основные параметры. Применение. Схема включения.
Стабилитрон - это полупроводниковый диод, предназначенный для стабилизации напряжения.
Напряжение стабилизации - значение напряжения на стабилитроне при прохождении заданного тока стабилизации.
Температурный коэффициент напряжения стабилизации - величина, определяемая отношением относительного изменения температуры окружающей среды при постоянном токе стабилизации.
2. Зависимость Н-параметров БТ от частоты.
В си
58197
: 22 сентября 2013
60 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет № 17 (3-й семестр)
Jack
: 30 марта 2013
Билет № 17
Вопрос №1: Устройство и принцип работы биполярного транзистора (БТ).
Вопрос №2: Определение дифференциальных параметров ПТ по характеристикам.
Jack
: 30 марта 2013
150 руб.
Другие работы
Теплотехника Часть 1 Теплопередача Задача 19 Вариант 1
Z24
: 14 октября 2025
Трубопровод диаметром d1=150 мм, имеющий температуру поверхности t1 и степень черноты ε=0,75, окружен цилиндрическим экраном диаметром d2, обе поверхности которого имеют степень черноты εэ.
Определить потери тепла излучением на 1 пог. м трубопровода при температуре окружающей среды t2=27 ºC, приняв ее поглощательную способность равной единице. На сколько процентов будут больше указанные потери при тех же условиях для трубопровода без экрана?
Z24
: 14 октября 2025
180 руб.
Дослідження методів та інструментальних засобів проектування цифрових пристроїв на основі програмованих логічних інтегральних схем (ПЛІС)
Aronitue9
: 13 ноября 2012
1. Огляд елементної бази, що застосовується для побудови логічних керуючих автоматів з паралельною архітектурою
1.1 Класифікація
Для побудови логічних керуючих автоматів з паралельною архітектурою використовують пристрої з регулярною архітектурою, які представляють собою набір стандартних елементів та вузлів, що інтегровані на одному кристалі. Існує багато різновидів таких пристроїв, але всі вони об’єднуються однією назвою – програмовані логічні інтегральні схеми.
Настроювання ПЛІС на виконання
Aronitue9
: 13 ноября 2012
5 руб.
Тактика проведения очной ставки
Алёна51
: 16 июля 2015
ВВЕДЕНИЕ 3
ГЛАВА I. ПРАВОВЫЕ ОСНОВЫ ПРОИЗВОДСТВА ОЧНОЙ СТАВКИ 6
1.1. Правовая природа и понятие очной ставки 6
1.2. Очная ставка и смежные следственные действия 18
ГЛАВА II. ОСОБЕННОСТИ ПОДГОТОВИТЕЛЬНОГО ЭТАПА ОЧНОЙ СТАВКИ 30
2.1. Принятие решения о целесообразности проведения очной ставки и выбор момента ее проведения 30
2.2. Техническое обеспечение проведения очной ставки 35
2.3. Разработка плана очной ставки 38
ГЛАВА III. ТАКТИЧЕСКИЕ ПРИЕМЫ ПРОИЗВОДСТВА ОЧНОЙ СТАВКИ 48
3.1. Общие тактические
Алёна51
: 16 июля 2015
500 руб.
Контрольная работа по электротехнике. Вариант 05.
Marimok
: 1 ноября 2016
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для полевого транзистора:
№варианта Тип
ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
05 КП 303Е 10 -8
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного
Marimok
: 1 ноября 2016
350 руб.
