Устройства оптоэлектроники. Работа контрольная. Вариант №8.
-
Категории:
СибГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
19.04.2016
-
Размер:
234 KB
-
Покупок:
5
-
Добавил:
SemenovSam
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
КР_Технарь.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача № 1
Фототиристор. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней длинноволновую границу фотоэффекта.
Тип ПП материала Ge
Квантовая эффективность 0.2
Ширина запрещенной зоны 0.6
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3)
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Тип светодиода АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В 5
Номинал ограничительного сопротивления, Ом 510
Фототиристор. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней длинноволновую границу фотоэффекта.
Тип ПП материала Ge
Квантовая эффективность 0.2
Ширина запрещенной зоны 0.6
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3)
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Тип светодиода АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В 5
Номинал ограничительного сопротивления, Ом 510
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка: Зачет
Дата оценки: 19.04.2016
Рецензия: Уважаемый студент,Вы неверно указали кодовую комбинацию на выходах дешифратора.
Преподаватель: Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка: Зачет
Дата оценки: 19.04.2016
Рецензия: Уважаемый студент,Вы неверно указали кодовую комбинацию на выходах дешифратора.
Преподаватель: Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №8.
Mental03
: 23 мая 2015
Контрольная работа по дисциплине устройства оптоэлектроники. 8 вариант.
Задача 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лямбда гр. и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лямбда гр.
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводник
Mental03
: 23 мая 2015
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант № 8
verunchik
: 26 февраля 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника фототиристора.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 1.
GaAsP 0,5 1,6
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного по
verunchik
: 26 февраля 2013
150 руб.
Устройство оптоэлектроники. Зачетная работа. Вариант №8.
Mental03
: 23 мая 2015
Зачетная работа по дисциплине устройство оптоэлектроники.
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Диаграмма направленности излучателя.
Раздел: Излучатели
2.Электрическая модель светоизлучающего диода.
Раздел "Фотоприемные приборы и устройства"
3.Характеристики и параметры фотоприемников.
Раздел "Применение оптоэлектронных приборов и устройств"
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронных фильтров.
Mental03
: 23 мая 2015
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
Галилео
: 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
Сергейds
: 6 февраля 2014
59 руб.
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Богарт
: 2 июня 2011
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
5 Составной фототранзистор
Богарт
: 2 июня 2011
199 руб.
Устройства оптоэлектроники
alru
: 22 сентября 2016
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
alru
: 22 сентября 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
arkadij
: 9 марта 2016
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
arkadij
: 9 марта 2016
100 руб.
Другие работы
Программирование (часть 1-я). Вариант №3
sibsutisru
: 3 сентября 2021
3. Сформировать двумерный массив C размером N x 5 (N – количество строк, равное предпоследней цифре пароля +2; 5 – количество столбцов) с помощью генератора случайных чисел и вывести элементы массива на экран и в файл. Вычислить сумму положительных элементов в каждой строке матрицы C (оформить вычисление сумм в виде процедуры). Из полученных сумм составить одномерный массив D. Вывести элементы массива D на экран и в файл.
Использован массив 2*5
sibsutisru
: 3 сентября 2021
100 руб.
Проблемы и перспективы привлечения иностранных инвестиций в экономику России
Elfa254
: 20 ноября 2013
План
Введение 3
Глава 1. Теоретический аспект иностранных инвестиций в РФ
1.1.Сущность и виды иностранных инвестиций 4
1.2. Правовой аспект регулирования иностранных инвестиций в РФ 7
Глава 2. Иностранные инвестиции в экономике РФ
2.1.Иностранные инвестиции в экономику России: прямые и портфельные 9
2.2. Состояние инвестиционного климата 19
2.3. Иностранные инвестиции в условиях кризиса 23
Глава 3. Проблемы и перспективы привлечения иностранных инвестиций в экономику России
Заключение
Elfa254
: 20 ноября 2013
5 руб.
Мир глазами Поля Дирака: объединение идей квантовой механики и релятивизма
Elfa254
: 9 августа 2013
Недостаточность “классической” квантовой механики.
По своему построению квантовая механика является существенно нерелятивистской теорией: используемое в уравнении Шредингера выражение для оператора Гамильтона является обобщением классической формулы для энергии. Для множества реальных приложений теории (физика кристаллов, химия, биология) требование малости скоростей не является существенным ограничением: диапазон энергий, с которыми приходится иметь дело в земных условиях недостаточен для разго
Elfa254
: 9 августа 2013
10 руб.
Рассчитать коллинеарную антенну базовой станции стандарта GSM.
ustianna
: 18 октября 2014
Вариант 4
Рассчитать коллинеарную антенну базовой станции стандарта GSM.
Исходные данные:
1. Коэффициент усиления передающей антенны (дБ) не менее - 10
2. Мощность, подводимая к передающей антенне – 30Вт
3. Поляризация волны - вертикальная
4. Длина фидера (м) - 40
ustianna
: 18 октября 2014
1400 руб.
