Устройства оптоэлектроники. Работа контрольная. Вариант №8.
-
Категории:
СибГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
19.04.2016
-
Размер:
234 KB
-
Покупок:
5
-
Добавил:
SemenovSam
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
КР_Технарь.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача № 1
Фототиристор. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней длинноволновую границу фотоэффекта.
Тип ПП материала Ge
Квантовая эффективность 0.2
Ширина запрещенной зоны 0.6
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3)
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Тип светодиода АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В 5
Номинал ограничительного сопротивления, Ом 510
Фототиристор. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней длинноволновую границу фотоэффекта.
Тип ПП материала Ge
Квантовая эффективность 0.2
Ширина запрещенной зоны 0.6
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (таб.3)
Задача № 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Тип светодиода АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В 5
Номинал ограничительного сопротивления, Ом 510
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка: Зачет
Дата оценки: 19.04.2016
Рецензия: Уважаемый студент,Вы неверно указали кодовую комбинацию на выходах дешифратора.
Преподаватель: Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка: Зачет
Дата оценки: 19.04.2016
Рецензия: Уважаемый студент,Вы неверно указали кодовую комбинацию на выходах дешифратора.
Преподаватель: Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №8.
Mental03
: 23 мая 2015
Контрольная работа по дисциплине устройства оптоэлектроники. 8 вариант.
Задача 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лямбда гр. и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лямбда гр.
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводник
Mental03
: 23 мая 2015
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант № 8
verunchik
: 26 февраля 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника фототиристора.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 1.
GaAsP 0,5 1,6
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного по
verunchik
: 26 февраля 2013
150 руб.
Устройство оптоэлектроники. Зачетная работа. Вариант №8.
Mental03
: 23 мая 2015
Зачетная работа по дисциплине устройство оптоэлектроники.
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Диаграмма направленности излучателя.
Раздел: Излучатели
2.Электрическая модель светоизлучающего диода.
Раздел "Фотоприемные приборы и устройства"
3.Характеристики и параметры фотоприемников.
Раздел "Применение оптоэлектронных приборов и устройств"
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронных фильтров.
Mental03
: 23 мая 2015
Устройство оптоэлектроники Контрольная работа
Галилео
: 15 марта 2018
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника фотодиод с гетероструктурой. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. и т.д.
Галилео
: 15 марта 2018
40 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа
Сергейds
: 6 февраля 2014
Задача №1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника.
Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант №07 – Фототранзистор
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах.
Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки,
либо атомов примеси.
Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, ка
Сергейds
: 6 февраля 2014
59 руб.
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники
Богарт
: 2 июня 2011
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
5 Составной фототранзистор
Богарт
: 2 июня 2011
50 руб.
Устройства оптоэлектроники
alru
: 22 сентября 2016
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
alru
: 22 сентября 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
arkadij
: 9 марта 2016
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
arkadij
: 9 марта 2016
100 руб.
Другие работы
История компании ВымпелКом
VikkiROY
: 16 ноября 2012
Компания <ВымпелКом> организована в сентябре 1992 года Дмитрием Зиминым с привлечением в качестве учредителей <КБ Импульс>, Радиотехнического института им. Минца и ряда других предприятий. В июне 1992 года <ВымпелКом> совместно с американским предпринимателем Оги Фабелой развернули в Москве небольшую пилотную систему сотовой связи стандарта AMPS с начальной емкостью 200 абонентов. В январе 1993 года АО <ВымпелКом> получило лицензию Минсвязи РФ на предоставление услуг сотовой связи в стандарте AM
VikkiROY
: 16 ноября 2012
10 руб.
Разработка электроснабжения и релейной защиты завода по выпуску меди и медного концентрата
Askar1
: 15 марта 2023
В дипломной работе разработана система электроснабжения и релейной защиты завода по выпуску меди и медного концентрата.
Разработанная система электроснабжения должна обеспечить подачу электроэнергии в необходимом количестве и соответствующего качества от энергосистемы к производственным установкам и механизмам.
При проектировании системы электроснабжения определены электрические нагрузки цеха и завода в целом, произведен расчет и выбор компенсирующих устройств, осуществлен выбор рационального н
Askar1
: 15 марта 2023
5500 руб.
Государственные и муниципальные финансы. Вариант 1.
studypro3
: 22 июля 2020
Часть 1.
Тема: Государственный и муниципальный кредит. Государственные и муниципальные заимствования (муниципальные облигации)
Текст задания:
Задание 1 (вариант 1)
По муниципальной облигации номиналом 1000 руб., выпущенной сроком на 6 лет, преду-смотрен следующий порядок начисления процентов: в первый год-10 %, в два последующих года – 12 %, в оставшиеся три года – 15 %. Рыночная норма дохода, определенная инвестором из сложив-шихся условий на финансовом рынке, - 15 %.
Требуется:
1. Не проводя
studypro3
: 22 июля 2020
500 руб.
Тест по дисциплине: Криминалистика 1
IT-STUDHELP
: 7 июля 2019
В соответствии с процессуальн. требован. по окончании видеозаписи с участием понятых осущ. ее …
В число структурных элементов криминалистической методики входят …
Видами вопросов, которые могут задаваться допрашиваемому, являются –
Видами образцов для сравнительного исслед-я явл …
Групповой обыск – это …
Для получения инф-ии. о следах пальцев рук, изъятых с мест совершения нераскрытых преступл., необходимо обратиться в … учет.
Для получения инфо. о похищенных сред-х мобильной связи необходимо о
IT-STUDHELP
: 7 июля 2019
250 руб.
