Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №4.
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
24.04.2016
-
Размер:
120 KB
-
Покупок:
23
-
Добавил:
freelancer
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Кр04вар.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4: Лавинный фотодиод.
Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Вариант 0:
Тип ПП материала: Ge;
Квантовая эффективность η=0,2;
Ширина запрещенной зоны ΔW=0,6 эВ;
Задача No3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля (4).
Задача No4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Вариант 0:
Тип светодиода: АЛ102В;
Напряжение питания: Uпит = 5 В;
Номинал ограниченного сопротивления: Rогр = 510 Ом
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4: Лавинный фотодиод.
Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Вариант 0:
Тип ПП материала: Ge;
Квантовая эффективность η=0,2;
Ширина запрещенной зоны ΔW=0,6 эВ;
Задача No3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля (4).
Задача No4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Вариант 0:
Тип светодиода: АЛ102В;
Напряжение питания: Uпит = 5 В;
Номинал ограниченного сопротивления: Rогр = 510 Ом
Дополнительная информация
Оценка: "Зачет"
Год сдачи: 2016
Год сдачи: 2016
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
karimoverkin
: 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
nvm1604
: 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
ART1800
: 8 мая 2013
150 руб.
Экзамен. Устройства оптоэлектроники. Вариант №4
shurik79997
: 1 сентября 2015
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Световые параметры.
Раздел Излучатели.
2.Принцип действия и условия работы лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.ПЗС фотоприемник.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидко кристаллического индикатора на основе эффекта динамического рассеяния.
shurik79997
: 1 сентября 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: устройства оптоэлектроники. Вариант №5. (4-й семестр).
ua9zct
: 17 марта 2015
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
По условию задания, в соответствии с номером варианта (05), задан фотодиод- транзистор.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
По условию данные в задаче соответствуют варианту No0.
Тип ПП материала Ge
ua9zct
: 17 марта 2015
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники” 4-й вариант.
Dark
: 16 августа 2011
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные
Тип ПП материала - Ge Квантовая эффективность - 0,2, Ширина запрещенной зоны W - 0,6 эВ
Задача No3
Изобразить принципи
Dark
: 16 августа 2011
200 руб.
Другие работы
Валик. Вариант 2
lepris
: 14 марта 2022
Валик. Вариант 2
Задание: Выполнить рабочий чертёж валика
В отверстии выполнить метрическую резьбу наружным диаметром 16 мм, шаг – 2мм на глубину 20мм. Шероховатость поверхностей - Ra6,3. Материал детали – Сталь 45 ГОСТ 1050 – 2013.
3d модель и чертеж (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в компасе 3D v13, возможно открыть в 14,15,16,17,18,19,20,21,22 и выше версиях компаса.
Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно
lepris
: 14 марта 2022
150 руб.
Ответы на ГОС экзамен ДО СибГУТИ по специальности СС и СК
unclesasha
: 3 декабря 2014
По дисциплине "Системы коммутации"
(Ромашова Т.И.)
для студентов дистанционной формы обучения специальности СС и СК
1. Обобщенная структура цифровой системы коммутации. Назначение и краткая характеристика обору-дования ЦСК. Достоинства ЦСК. Особенности подключения к ЦСК абонентских и соединительных линий.
2. Алгоритм установления внутристанционного соединения в цифровой системе коммутации.
3. Алгоритм установления межстанционных соединений в цифровой системе коммутации.
4. Техническая характер
unclesasha
: 3 декабря 2014
600 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физика (спец.главы). Билет №13
Учеба "Под ключ"
: 9 февраля 2017
Билет No13
1. Соотношение неопределенностей Гейзенберга.
2. Вычислите силу тока, протекающего по вольфрамовой проволоке диаметром 0,8 мм, температура которой в вакууме поддерживается равной 2800 °C. Поверхность проволоки считать серой с коэффициентом поглощения 0,343. Удельное сопротивление проволоки при данной температуре 9,2∙10-5 Ом∙см. Температура окружающей проволоку среды 17°C.
Учеба "Под ключ"
: 9 февраля 2017
250 руб.
Материальные ресурсы железнодорожного транспорта
alfFRED
: 31 октября 2013
Содержание
1. Методы расчета потребности в материальных ресурсах
2. Организация обеспечения железнодорожного транспорта материально-техническими ресурсами, реализуемыми в порядке свободной торговли
3. Финансовый план посреднической организации
Контрольная работа 1
Контрольная работа 2
Список литературы
1. Методы расчета потребности в материальных ресурсах
Потребности предприятий в материальных ресурсах могут быть определены различными методами: прямого счета, на основе данных о рецепт
alfFRED
: 31 октября 2013
10 руб.
