Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №4.
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
24.04.2016
-
Размер:
120 KB
-
Покупок:
23
-
Добавил:
freelancer
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Кр04вар.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача No1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4: Лавинный фотодиод.
Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Вариант 0:
Тип ПП материала: Ge;
Квантовая эффективность η=0,2;
Ширина запрещенной зоны ΔW=0,6 эВ;
Задача No3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля (4).
Задача No4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Вариант 0:
Тип светодиода: АЛ102В;
Напряжение питания: Uпит = 5 В;
Номинал ограниченного сопротивления: Rогр = 510 Ом
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4: Лавинный фотодиод.
Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Вариант 0:
Тип ПП материала: Ge;
Квантовая эффективность η=0,2;
Ширина запрещенной зоны ΔW=0,6 эВ;
Задача No3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля (4).
Задача No4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Вариант 0:
Тип светодиода: АЛ102В;
Напряжение питания: Uпит = 5 В;
Номинал ограниченного сопротивления: Rогр = 510 Ом
Дополнительная информация
Оценка: "Зачет"
Год сдачи: 2016
Год сдачи: 2016
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
karimoverkin
: 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
nvm1604
: 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
ART1800
: 8 мая 2013
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники” 4-й вариант.
Dark
: 16 августа 2011
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные
Тип ПП материала - Ge Квантовая эффективность - 0,2, Ширина запрещенной зоны W - 0,6 эВ
Задача No3
Изобразить принципи
Dark
: 16 августа 2011
200 руб.
Экзамен. Устройства оптоэлектроники. Вариант №4
shurik79997
: 1 сентября 2015
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Световые параметры.
Раздел Излучатели.
2.Принцип действия и условия работы лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.ПЗС фотоприемник.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидко кристаллического индикатора на основе эффекта динамического рассеяния.
shurik79997
: 1 сентября 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: устройства оптоэлектроники. Вариант №5. (4-й семестр).
ua9zct
: 17 марта 2015
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
По условию задания, в соответствии с номером варианта (05), задан фотодиод- транзистор.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
По условию данные в задаче соответствуют варианту No0.
Тип ПП материала Ge
ua9zct
: 17 марта 2015
50 руб.
Другие работы
Техническая термодинамика и теплотехника УГНТУ Задача 8 Вариант 14
Z24
: 20 декабря 2025
Водяной пар с начальным давлением р1=5 МПа и степенью сухости х1=0,95 поступает в пароперегреватель, где его температура повышается на Δt; после перегревателя пар изоэнтропно (адиабатно) расширяется в турбине до давления p2. Пользуясь h-s — диаграммой для водяного пара (приложение Д, рисунок Д1), определить:
— количество теплоты (на 1 кг пара), подведенной к нему в пароперегревателе;
— работу цикла Ренкина и степень сухости пара х2 в конце расширения;
— термический КПД цикла;
— работ
Z24
: 20 декабря 2025
180 руб.
Задание. Педагогика.
studypro3
: 1 февраля 2019
Изучив программы дошкольного воспитания и обучения и предшкольной подготовки, составьте следующую таблицу.
Сделать выводы по анализу:
Оформить задание в виде документа в формате Microsoft Word и отправить на портал.
Таблица - Анализ содержания обучения элементарной математике и распределение его по возрастным группам и разделам программы.
studypro3
: 1 февраля 2019
300 руб.
Шакунтала, или Узнанная [по кольцу] Шакунтала (Abhijnana-Sakuntala)
Qiwir
: 27 июля 2013
Могущественный царь Душьянта попадает во время охоты в мирную лесную обитель отшельников и встречает там трех юных девушек, поливающих цветы и деревья. В одну из них, Шакунталу, он влюбляется с первого взгляда. Выдавая себя за царского слугу, Душьянта расспрашивает, кто она такая, ибо опасается, что, будучи иного, чем он, происхождения, она по закону касты не сможет ему принадлежать. Однако от подруг Шакунталы он узнает, что она тоже дочь царя Вишвамитры и божественной девы Менаки, которая остав
Qiwir
: 27 июля 2013
10 руб.
Основы инфокоммуникационных технологий LTE
avm2008
: 14 декабря 2014
LTE (Long Term Evolution) - название мобильного протокола передачи данных. LTE это продолжение развития технологии CDMA,UMTS, основанной на использовании OFDM (к клиенту), SC-FDMA (от клиента) и MIMO. Особенностью этой технологии является возможность работать с частотным (парным, FDD) и временным (непарным, TDD) разделением каналов, что позволяет применять различные технологии оборудования, находящегося у операторов. Применение антенных технологий MIMO позволяет базовой станции обслуживать в 10
avm2008
: 14 декабря 2014
