Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №4.

Цена:
70 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Кр04вар.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача No1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4: Лавинный фотодиод.

Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Вариант 0:
Тип ПП материала: Ge;
Квантовая эффективность η=0,2;
Ширина запрещенной зоны ΔW=0,6 эВ;

Задача No3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля (4).

Задача No4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Вариант 0:
Тип светодиода: АЛ102В;
Напряжение питания: Uпит = 5 В;
Номинал ограниченного сопротивления: Rогр = 510 Ом

Дополнительная информация

Оценка: "Зачет"
Год сдачи: 2016
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с гетероструктурой Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
User karimoverkin : 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 0 Фотодиод на основе р-n перехода Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр. Исходные данные Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
User Dctjnkbxyj789 : 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 9 Фоторезистор Решение: Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра. В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
User nvm1604 : 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант 4. Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
User lebed-e-va : 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
User ART1800 : 8 мая 2013
150 руб.
Экзамен. Устройства оптоэлектроники. Вариант №4
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники». Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Световые параметры. Раздел Излучатели. 2.Принцип действия и условия работы лазера. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.ПЗС фотоприемник. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия жидко кристаллического индикатора на основе эффекта динамического рассеяния.
User shurik79997 : 1 сентября 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники” 4-й вариант.
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Исходные данные Тип ПП материала - Ge Квантовая эффективность - 0,2, Ширина запрещенной зоны W - 0,6 эВ Задача No3 Изобразить принципи
User Dark : 16 августа 2011
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: устройства оптоэлектроники. Вариант №5. (4-й семестр).
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. По условию задания, в соответствии с номером варианта (05), задан фотодиод- транзистор. Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр. По условию данные в задаче соответствуют варианту No0. Тип ПП материала Ge
User ua9zct : 17 марта 2015
50 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Управление внешнеэкономической деятельностью. Вариант №4
Задача 1 Клиент дал поручение купить швейцарские франки за японские иены на условиях месячного форварда по курсу, не выше чем 1.0000 иены за франк. Возможна ли сделка, если курсы валют составляют: USD/ JPY USD/CHF Спот 0.9530 - 0.9548 0.8717 - 0.8725 1 мес. 13 - 15 45 - 47 Если сделка невозможна, то, до какого у
User Roma967 : 4 декабря 2014
300 руб.
promo
Гидравлика Севмашвтуз 2016 Задача 29 Вариант 2
Для системы, показанной на рис.20, определить напор Н, обеспечивающий пропуск воды расходом Q. Длины участков труб и диаметры: L1, d1 и L2, d2. Расширение выполнено под углом 30º. Уровни в резервуарах постоянные: h1=4,5 м и а=0,5 м. Скоростным напором в резервуаре пренебречь.
User Z24 : 31 октября 2025
220 руб.
Гидравлика Севмашвтуз 2016 Задача 29 Вариант 2
Курсовая работа. Учет и анализ. Вариант №5
Задание №1 По данным таблицы 1 осуществить группировку имущества компании по видам и источникам их обеспечения на отчетную дату. Подобрать синтетические счета первого уровня для учета указанных наименований объектов. Полученные данные свести в таблицы 2,3,4. Выбор варианта осуществляется по последней цифре пароля. Таблица 1 – Перечень хозяйственных средств и источников их образования тыс.руб. № п/п Наименование объекта учета Вариант 5 1 Компьютер(ы) 19 2 Подписка на журнал «Главный бухгалтер
User karinjan : 21 октября 2015
200 руб.
Заводнение нефтяного пласта горизонтальной нагнетательной скважиной
Вопросу использования горизонтальных добывающих скважин в нефтедобывающих регионах мира посвящено достаточно большое количество исследований. Как правило, существующие исследования охватывают широкий спектр вопросов техники и технологии проводки горизонтальных стволов и эксплуатации скважин. На сегодняшний день существуют также весомые работы в части разработки месторождений горизонтальными скважинами. Однако отдельные, весьма существенные аспекты разработки месторождений в части касающейся их р
User Elfa254 : 6 сентября 2013
up Наверх