Устройства оптоэлектроники, Зачетная работа, Вариант 01
-
Категории:
******* Не известно, Устройство оптоэлектроники, Работа Зачетная
-
Добавлен:
17.05.2016
-
Размер:
155 KB
-
Покупок:
3
-
Добавил:
Александр495
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
УО зачет.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Вопросы к зачету:
Раздел: Физические основы оптоэлектроники.
1. Энергетические характеристики оптического излучения.
Раздел Излучатели.
2. Устройство и принцип действия полупроводникового монолазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3. Устройство и принцип действия фотоприёмника на основе полевого транзистора с p-n переходом.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4. Плазменные панели.
Раздел: Физические основы оптоэлектроники.
1. Энергетические характеристики оптического излучения.
Раздел Излучатели.
2. Устройство и принцип действия полупроводникового монолазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3. Устройство и принцип действия фотоприёмника на основе полевого транзистора с p-n переходом.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4. Плазменные панели.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Зачет
Оценка:Зачет
Дата оценки: 16.05.2016
Рецензия:Уважаемый… Вы правильно ответили на вопросы
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Зачет
Оценка:Зачет
Дата оценки: 16.05.2016
Рецензия:Уважаемый… Вы правильно ответили на вопросы
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Зачетная работа. Устройства оптоэлектроники
DEKABR1973
: 2 декабря 2017
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Энергетические параметры.
Раздел Излучатели.
2.Структурная схема лазера.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фототранзистора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия жидкокристаллического индикатора на основе «Твист эффекта».
DEKABR1973
: 2 декабря 2017
80 руб.
Устройства оптоэлектроники, Зачетная работа
Александр92
: 16 декабря 2016
Зачетная работа, вопросы:
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Ламберта.
Раздел Излучатели.
2.Параметры светоизлучающего диода как компоненты электронных устройств.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Принцип работы полупроводниковых фотоприемных устройств.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Применение оптоэлектронных приборов для измерения высоких напряжений и управления устройствами большой мощности.
Александр92
: 16 декабря 2016
495 руб.
Зачетная работа. Устройства оптоэлектроники
rambox360
: 12 января 2016
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Механизм генерации излучения в полупроводниках.
Раздел Излучатели.
2.Формирователь с активным низким уровнем.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Фотоприёмник со структурой МДП.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Электрическая модель оптрона.
rambox360
: 12 января 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники. Зачетная работа
Алексей119
: 9 января 2016
«Устройства оптоэлектроники».
1.Диаграмма направленности излучателя.
2.Электрическая модель светоизлучающего диода
3.Характеристики и параметры фотоприемников.
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронных фильтров.
Алексей119
: 9 января 2016
70 руб.
Зачетная работа. Устройства оптоэлектроники
Иван77717
: 26 мая 2015
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Система обозначений оптоэлектронных приборов.
Раздел Излучатели.
2.Устройство и принцип действия суперлюминсцентного диода.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия диодно-транзисторного фотоприемника.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия электрохромного индикатора.
Иван77717
: 26 мая 2015
69 руб.
Зачетная работа «Устройства оптоэлектроники»
Gav20
: 13 апреля 2015
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Особенности оптической электроники.
Раздел Излучатели.
2.Светодиодные источники повышенной яркости и белого света.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фототиристора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного генератора изменяющегося напряжения.
Gav20
: 13 апреля 2015
100 руб.
Устройство оптоэлектроники. Зачетная работа
Сергейds
: 4 июля 2014
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Особенности оптической электроники.
Раздел Излучатели.
2.Светодиодные источники повышенной яркости и белого света.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фототиристора.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного генератора изменяющегося напряжения.
Сергейds
: 4 июля 2014
89 руб.
Устройства оптоэлектроники. Зачетная работа
kisa7
: 27 июля 2012
Вопросы к зачету по курсу «Устройства оптоэлектроники».
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
kisa7
: 27 июля 2012
100 руб.
Другие работы
Алгебра и геометрия. Контрольная работа. Вариант 6
Asiksep
: 7 декабря 2019
Задача 1. Дана система трех линейных уравнений. Найти решение ее двумя способами: методом Крамера и методом Гаусса.
Задача 2. Даны координаты вершин пирамиды А1А2А3А4. Найти:
длину ребра А1А2;
угол между ребрами А1А2 и А1А4;
площадь грани А1А2А3;
уравнение плоскости А1А2А3.
объём пирамиды А1А2А3А4.
Проверил: Агульник О. Н.
Asiksep
: 7 декабря 2019
15 руб.
Основы проектирования предприятий телефонной связи
evelin
: 24 июля 2015
СибГУТИ, специальность Экономика и управление на предприятии, 7 семестр ДО, 9 вариант.
Целью курсового проекта является обоснование выбора наиболее эффективного варианта построения сети СТС в сельском административном районе. Решение этой задачи основывается на сравнении проектов двух вариантов организации СТС: проекта СТС в районе, построенный по радиальному принципу, и проекта СТС, в основу которого заложен радиально-узловой принцип.
evelin
: 24 июля 2015
42 руб.
Сальник устьевой СУС 2А-73-31 Сборочный чертёж-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 6 июня 2016
Сальник устьевой СУС 2А-73-31 Сборочный чертёж-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 6 июня 2016
400 руб.
Внешняя политика США в Афганистане после событий 11 сентября 2001 г.
Elfa254
: 11 января 2014
Определяющее влияние на политику США в отношении Афганистана после падения режима талибов оказали две группы факторов. С одной стороны, выводы, сделанные Вашингтоном на основе более чем полувековой истории своих взаимоотношений с Кабулом, с другой, – изменившиеся условия, в которых происходило формирование нового этапа афгано-американских отношений.
Представляется возможным выделить следующие основные выводы, которые сделала американская администрация на основе анализа истории своих отношений с
Elfa254
: 11 января 2014
15 руб.
