Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №14. СибГути. Заочно ускоренное обучение

Цена:
50 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon ФОЭ 14.docx
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты уси-ления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеива-емую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия ?.

Исходные данные:
транзистор КТ605А
напряжение питания Eк=12
сопротивление нагрузки Rн=240
постоянный ток смещения в цепи базы Iбо=500
амплитуда переменной составляющей тока базы Iбм=250


Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.


Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры тран-зистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты Н21/h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.


Задача 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По вы-ходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить пе-редаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависи-мость от напряжения на затворе.

Исходные данные:
Полевой транзистор типа КП 103 К
UСИ0 = 7 В
UЗИ0 = 4 В

Дополнительная информация

Работа получила оценку зачет. Если вас интересуют другие работы, то вы можете посмотреть их нажав "Посмотреть другие работы этого продавца".
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №9. СибГути. Заочно ускоренное обучение".
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
User Twinki : 15 сентября 2016
200 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №2. СибГути. Заочно ускоренное обучение
No 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в
User Twinki : 15 сентября 2016
200 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
User TheMrAlexey : 21 мая 2016
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 09. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
User TheMrAlexey : 20 декабря 2015
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №19. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
User TheMrAlexey : 20 декабря 2015
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №16. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
User TheMrAlexey : 20 декабря 2015
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №12. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
User TheMrAlexey : 20 декабря 2015
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 07. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
User TheMrAlexey : 20 декабря 2015
50 руб.
Проект автоматизированной транспортно-складской системы (АТСС)
Курсовая работа состоит из пояснительной записки и графической части. Пояснительная записка выполнена на 37 листах формата А4 и включает в себя: - титульный лист; - задание по варианту; - содержание; - введение; - основную часть, состоящую из двух разделов: - формирование достоверных исходных данных для проектирования АТСС механообрабатывающего цеха завода; - оборудование автоматизированной транспортно-складской системы (АТСС) механообрабатывающего цеха машиностроительного завода; - за
User MagicT : 31 июля 2017
25 руб.
Проект автоматизированной транспортно-складской системы (АТСС)
Контрольная работа по дисциплине: Основы антикоррупционной культуры. Тема 6
Тема: «Блат и коррупция как компоненты властных структур» Содержание Введение 3 1. Социальное представление о коррупции и блате в системе власти и их виды 4 2. Особенности правового обеспечения противодействия коррупции в Российской Федерации 6 3. Эффективное противодействие коррупции в системе власти 8 Заключение 12 Список использованных источников 13
User Учеба "Под ключ" : 24 февраля 2025
500 руб.
promo
Насос центробежный секционный ЦНс 38-220-Курсовая работа-Оборудование транспорта и хранения нефти и газа
Насос центробежный секционный ЦНс 38-220-Курсовая работа-Оборудование транспорта и хранения нефти и газа Институт Нефти и Газа СФУ, ТОиГСМ, ТИОВД, Восстановление шейки вала, Обслуживание и ремонт насоса ЦНСн 38-220 2013 Расчет параметров восстановления шейки вала, Марка насоса - ЦНСн 38-220, номинальный диаметр шейки вала - 55 мм, фактический диаметр шейки вала, 54,3 мм. В данном курсовом проекте будет рассмотрен центробежный сек-ционный горизонтальный насос ЦНСн 38-220. Восстановление изношенно
User leha.se92@mail.ru : 15 февраля 2018
1087 руб.
Насос центробежный секционный ЦНс 38-220-Курсовая работа-Оборудование транспорта и хранения нефти и газа
Тест по практикуму гражданского права
1. Стороны могут заключить договор a. строго предусмотренный ГК РФ b. установленный сторонами c. как предусмотренный, так и непредусмотренный законодательством d. в соответствии с разработанными гражданско-правовыми образцами договоров e. строго предусмотренный нормативными актами 2. Формы реорганизации юридического лица: a. слияние, присоединение, разделение, выделение, преобразования и т.д b. добровольная и принудительная c. слияние, присоединение, сокращение и увеличение d. нет правильного о
User qwerty123432 : 17 января 2022
119 руб.
Тест по практикуму гражданского права
up Наверх