Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №14. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты уси-ления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеива-емую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия ?.
Исходные данные:
транзистор КТ605А
напряжение питания Eк=12
сопротивление нагрузки Rн=240
постоянный ток смещения в цепи базы Iбо=500
амплитуда переменной составляющей тока базы Iбм=250
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры тран-зистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты Н21/h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По вы-ходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить пе-редаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависи-мость от напряжения на затворе.
Исходные данные:
Полевой транзистор типа КП 103 К
UСИ0 = 7 В
UЗИ0 = 4 В
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты уси-ления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеива-емую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия ?.
Исходные данные:
транзистор КТ605А
напряжение питания Eк=12
сопротивление нагрузки Rн=240
постоянный ток смещения в цепи базы Iбо=500
амплитуда переменной составляющей тока базы Iбм=250
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры тран-зистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты Н21/h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По вы-ходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить пе-редаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависи-мость от напряжения на затворе.
Исходные данные:
Полевой транзистор типа КП 103 К
UСИ0 = 7 В
UЗИ0 = 4 В
Дополнительная информация
Работа получила оценку зачет. Если вас интересуют другие работы, то вы можете посмотреть их нажав "Посмотреть другие работы этого продавца".
Похожие материалы
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №2. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Twinki
: 15 сентября 2016
No 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в
200 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №9. СибГути. Заочно ускоренное обучение".
Twinki
: 15 сентября 2016
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
200 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 21 мая 2016
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 07. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 20 декабря 2015
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 09. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 20 декабря 2015
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №17. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 20 декабря 2015
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №19. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 20 декабря 2015
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 02. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 20 декабря 2015
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
50 руб.
Другие работы
Повышение конкурентоспособности предприятия в современных условиях
Aronitue9
: 20 августа 2012
СОДЕРЖАНИЕ
Введение 3
1 Обеспечение конкурентоспособности предприятия 5
1.1 Понятие конкурентоспособности предприятия 5
1.2 Факторы обеспечения конкурентоспособности предприятия в современных условиях 11
2 Повышение конкурентоспособности предприятия 12
2.1 Основные направления развития и совершенствования методов управления конкурентоспособностью предприятия с целью ее повышения 12
2.3 Резервы конкурентоспособности предприятия 22
3 Технология разработки и реализ
50 руб.
Насос НМ 360-460-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 24 мая 2016
Насос НМ 360-460-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
500 руб.
Мода на «компьютерный анализ»
VikkiROY
: 28 октября 2012
Появлению большинства новых зарубежных конструкций (автомобилей, самолетов, мостов, ракет, мостов, зданий и т.д.) мы обязаны программам конечно-элементного анализа [1]. Рынок, разогреваемый рекламой софтверных компаний, заставляет использовать программы анализа, зачастую не давая возможности отечественным проектировщикам реально взглянуть на их возможности. Мифы о достоверности расчетов программ конечно-элементного анализа невольно заставляют задуматься о необходимости академий, университетов, Н
10 руб.
Основы гидравлики и теплотехники МИИТ Задача 2.3 Вариант 3
Z24
: 16 октября 2025
В закрытом сосуде емкостью V=0,5 м³ содержится воздуха при давлении р1 и температуре t1. В результате охлаждения сосуда воздух, содержащийся в нем, теряет Q=100 кДж. Принимая теплоемкость воздуха постоянной, определить какое давление р2 и температура t2 устанавливаются после этого в сосуде.
150 руб.