Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №4. СибГути. Заочно ускоренное обучение

Цена:
50 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon ФОЭ 04.docx
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты уси-ления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеива-емую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия ?.

Исходные данные:
транзистор КТ605А
напряжение питания Eк=12
сопротивление нагрузки Rн=240
постоянный ток смещения в цепи базы Iбо=500
амплитуда переменной составляющей тока базы Iбм=250


Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.


Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры тран-зистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты Н21/h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.


Задача 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По вы-ходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить пе-редаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависи-мость от напряжения на затворе.

Исходные данные:
Полевой транзистор типа КП 103 К
UСИ0 = 18 В
UЗИ0 = 8 В

Дополнительная информация

Работа получила оценку зачет. Если вас интересуют другие работы, то вы можете посмотреть их нажав "Посмотреть другие работы этого продавца".
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №2. СибГути. Заочно ускоренное обучение
No 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в
User Twinki : 15 сентября 2016
200 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №9. СибГути. Заочно ускоренное обучение".
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
User Twinki : 15 сентября 2016
200 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Контрольная работа. Вариант №14. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
User TheMrAlexey : 21 мая 2016
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 07. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
User TheMrAlexey : 20 декабря 2015
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 09. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
User TheMrAlexey : 20 декабря 2015
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №17. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
User TheMrAlexey : 20 декабря 2015
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант №19. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
User TheMrAlexey : 20 декабря 2015
50 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 02. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По ста-тическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектор
User TheMrAlexey : 20 декабря 2015
50 руб.
Оправка с рожковой мембраной - И34.29.00.00 СБ
Иванов Ю.Б. Атлас чертежей общих видов для деталирования. Вариант И34.29.00.00 - Оправка с рожковой мембраной. Сборочный чертеж. Деталирование. Модели. Центровая оправка с рожковой мембраной, применяемая в массовом производстве при обработке тонкостенных втулок и колец большого диаметра, обеспечивает высокую концентричность обрабатываемых поверхностей относительно базовой. Установку и съем обрабатываемой детали производят на оправке, которая закрепляется в специальном пневматическом приспособле
User .Инженер. : 2 ноября 2023
750 руб.
Оправка с рожковой мембраной - И34.29.00.00 СБ promo
Антикризисные меры правительства РФ
СОДЕРЖАНИЕ Лист ВВЕДЕНИЕ 1 ПОНЯТИЕ ЭКОНОМИЧЕСКОГО КРИЗИСА 4 1.1 Причины экономических кризисов 4 1.2 История экономических кризисов 5 2 СОВРЕМЕННЫЙ ЭКОНОМИЧСКИЙ КРИЗИС В РОССИИ 8 2.1 Американская финансовая катастрофа 8 2.2 Падение цен на нефть 9 2.3 Политические ошибки российского руководства 12 3 СЦЕНИРИИ РАЗВИТИЯ КРИЗИСА 14 4 ВЛИЯНИЕ КРИЗИСА НА РОССИЙСКУЮ ЭКОНОМИКУ В ЦЕЛОМ И НА ЖИЗНЬ ЛЮДЕЙ 16 4.1 Макроэкономические показатели 17 5 АНТИКРИЗИСНЫЕ МЕРЫ ПРАВИТЕЛЬСТВА РОССИЙСКОЙ ФЕД
User Elfa254 : 25 октября 2013
10 руб.
Чертеж сливного прибора цистерны
Чертеж сливного прибора цистерны-Детали машин-Деталировка-Сборочный чертеж-Чертежи-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Графическая часть-Оборудование-Машины и механизмы-Агрегаты-Установки-Комплексы-Узлы-Детали-Курсовая работа-Дипломная работа-Автомобили-Транспорт-Строительная техника-Электрооборудование-Грузоподъёмные механизмы-Железнодорожный транспорт
252 руб.
Чертеж сливного прибора цистерны
Электромагнитная совместимость РЭС (ФМО ЭМС РЭС). Физико-математические основы электромагнитной совместимости РЭС. Вариант 90. СибГути. Заочно ускоренное обучение
Вариант 90 1. Рассчитать максимальный радиус зоны обслуживания ТВ радиосети для заданных параметров радиотехнических средств, среды распро-странения с учетом условий ЭМС по естественным радиошумам. 2. Рассчитать необходимый частотно-территориальный разнос ТВ радио-сетей, использующих совмещенные частотные каналы, с учетом усло-вий ЭМС по радиопомехам на границе зон обслуживания, полученных в п.1 . 3. Выбрать частотные каналы для группы ТВ радиосетей, обеспечиваю-щих необходимый частотно-террит
User TheMrAlexey : 13 августа 2017
50 руб.
up Наверх