Контрольная работа по предмету "Электротехника, электроника и схемотехника". Вариант № 24
-
Категории:
Электротехника, ДО СИБГУТИ, Работа Контрольная
-
Добавлен:
01.10.2016
-
Размер:
383 KB
-
Покупок:
5
-
Добавил:
Nightmare86
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Контрольная работа.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, µ полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
№ вар - 24
Тип ПТ - КП903В
Uсио, В - 14
Uзио, В - -6
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
№ вар - 24
Тип БТ - КТ605А
Uкэ, В - 10
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Таблица 1
№ вар - 2
Принципиальная схема элемента - Рис. 1в
Напряжение питания, В. - 9
Пороговые напряжения МДП транзисторов VT1 и VT2 - 1
Уровень входного напряжения, В. - 2
Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта в соответствии с таблицей 2. Варианты схем приведены на рисунке 2.
Таблица 2
№ вар - 4
Схема устройства - Рис. 2а
Напряжение питания операционного усилителя, В. - ±10
Номиналы резисторов, кОм.
R1 - 11
R2 - 330
R3 - 12
Амплитуда входного напряжения, мВ - 60
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, µ полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
№ вар - 24
Тип ПТ - КП903В
Uсио, В - 14
Uзио, В - -6
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
№ вар - 24
Тип БТ - КТ605А
Uкэ, В - 10
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Таблица 1
№ вар - 2
Принципиальная схема элемента - Рис. 1в
Напряжение питания, В. - 9
Пороговые напряжения МДП транзисторов VT1 и VT2 - 1
Уровень входного напряжения, В. - 2
Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта в соответствии с таблицей 2. Варианты схем приведены на рисунке 2.
Таблица 2
№ вар - 4
Схема устройства - Рис. 2а
Напряжение питания операционного усилителя, В. - ±10
Номиналы резисторов, кОм.
R1 - 11
R2 - 330
R3 - 12
Амплитуда входного напряжения, мВ - 60
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.)
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 12.09.2016
Рецензия:Уважаемый,Вы правильно решили задачи
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.)
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 12.09.2016
Рецензия:Уважаемый,Вы правильно решили задачи
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Контрольная работа по предмету "Электротехника, электроника и схемотехника". Вариант №13
migsvet
: 8 февраля 2014
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр
migsvet
: 8 февраля 2014
500 руб.
Контрольная работа №3 по предмету "Электротехника, электроника и схемотехника". Вариант №13
migsvet
: 8 февраля 2014
Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа К, в результате чего в цепи возникает переходной процесс.
1. Перерисуйте схему цепи (см. рис. 3.1) для Вашего варианта (таблица 1).
2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 2).
3. Рассчитайте все токи и напряжение на С или L в три момента времени t:  , , ¥.
в схемах 1 – 5,  ,  ,  в схемах 6 – 10. Прове
migsvet
: 8 февраля 2014
300 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Вариант №24
svladislav987
: 9 ноября 2021
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, µ полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1
№ вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
24 КП903В 14 -6
Используя характеристики заданного
svladislav987
: 9 ноября 2021
150 руб.
Контрольная работа по предмету "Электротехника и электроника" вариант 06
leokitty
: 16 февраля 2012
Задача №1
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Дано:
Транзистор: КП303В, UСИ0=5 В, UЗИ0=-3,2 В. Задача №2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Дано:
Транзистор: КТ815А,
leokitty
: 16 февраля 2012
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: «Электротехника, электроника и схемотехника (часть 1)» Вариант №24
svladislav987
: 6 мая 2021
Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа К, в результате чего в цепи возникает переходной процесс.
1. Перерисуйте схему цепи (см. рис. 3.1) для Вашего варианта (таблица 1).
2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 2).
3. Рассчитайте все токи и напряжение на С или L в три момента
времени t: 0- , 0+ , .
4. Рассчитайте классическим методом переходный
svladislav987
: 6 мая 2021
200 руб.
Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
Alex21589
: 15 апреля 2023
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА
по дисциплине
«Электротехника, электроника и схемотехника»
Билет №15
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе
Alex21589
: 15 апреля 2023
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
sibguter
: 5 июня 2018
№1 Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
№2 Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
№3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характ
sibguter
: 5 июня 2018
29 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
gnv1979
: 8 января 2017
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Аналоговые ключи на транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим э
gnv1979
: 8 января 2017
30 руб.
Другие работы
Природно-ресурсный и экономический потенциал Могилевской области
alfFRED
: 24 сентября 2013
Введение
1. Природно-ресурсный потенциал Могилевской области
2. Экономический потенциал Могилевской области
2.1 Демографическая ситуация
2.2 Производственно-промышленный потенциал Могилевской
области
2.3 Агропромышленный комплекс Могилевской области
2.4 Бюджет Могилевской области в 2007 г
Заключение
Список использованных источников
Введение
В IX-XII века могилевские земли входили в состав Киевской Руси. Именно тогда на берегах Днепра, бывшего торговым путем "из варяг в греки", стали в
alfFRED
: 24 сентября 2013
10 руб.
Выпускная квалификационная работа. Использование протоколов семейства SIGTRAN на оборудование Элтекс при взаимодействии сетей ТФОП и IP
const30
: 8 августа 2018
Использование протоколов семейства SIGTRAN на оборудование Элтекс при взаимодействии сетей ТФОП и IP
Целью работы является:
Разработка проекта учебной сети SIGTRAN, монтаж оборудования на
полигоне новой техники. Разработка методических указаний.
Решаемые задачи:
Разработанные решения позволяют на кафедре МЭС и ОС создать новый
учебный кластер для совершенствования технических навыков обучаемых.
Основные результаты:
Был разработан и реализован проект учебной сети SIGTRAN, произведен
монтаж и нас
const30
: 8 августа 2018
1200 руб.
Афонин Э.А., Васильев Д.А. Учебный практикум по технологии переработки продукции животноводства
GnobYTEL
: 24 августа 2012
Бактериальные культуры.
Приготовление бактериальных заквасок.
Кисломолочные продукты.
Приготовление кисломолочных продуктов.
Маслоделие.
Приготовление сладкосливочного масла.
Сыроделие.
Приготовление брынзы.
Оценка качества.
Рациональное использование побочных продуктов переработки молока.
Приготовление ацидофилина.
Технология приготовления мясных консервов.
Технология приготовления вареных колбас.
Технология приготовления полукопченых колбас.
Технология приготовления варено-копченых колбас.
Тех
GnobYTEL
: 24 августа 2012
10 руб.
Разработка комплекса маркетинга по товару (журнал Cosmopolitan)
GnobYTEL
: 31 июля 2012
СОДЕРЖАНИЕ
Введение 3
Глава 1. Анализ потребностей, удовлетворяемых товаром 5
Глава 2. Проведение маркетингового исследования 7
2.1 Анкетный опрос 7
2.2. Характеристика выборочной совокупности 12
2.3. Сегментация рынка потребителей 13
2.4. Характеристика предпочтений потребителей товара 15
2.5. Определение спроса на товар 15
2.6. Позиционирование товара на рынке 16
Глава 3. Товарно-марочный анализ 19
3.1. Определение вида товара 19
3.2. Правовая защита товара 20
3.3. Упаковка и маркировка товара
GnobYTEL
: 31 июля 2012
20 руб.
