Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (специальные главы) «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант 4

Цена:
250 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 1749D735-E67C-4929-903A-F9B5BD7158BC.doc [260 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.

2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Выполнение задания
Сила тока для варианта №4 равна 5,4мА

Вывод:

5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(q) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.

Список литературы

Дополнительная информация

Работа зачтена без замечаний!
Дата сдачи: октябрь 2016 г.
Преподаватель: Стрельцов А.И.
Помогу с другим вариантом.

Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru

Похожие материалы

Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Вариант 09 Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Физика Работа
User Саша78 : 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
******* Не известно Физика Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
СибГУТИ Физика Работа Лабораторная
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
СибГУТИ Физика и энергетика Работа Лабораторная
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
СибГУТИ Физика. Физика математическая Работа Контрольная
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.

Другие работы

Проект реконструкции ООО «Акцент - Сервис» с разработкой зоны ТО
Дипломный проект состоит из графического материала в количестве 12 листов формата А1, пояснительной записки из страниц машинописного текста, рисунков, таблиц, приложений и списка использованной литературы. Пояснительная записка состоит из десяти разделов. 1 - технико-экономический анализ работы предприятия, 2 - технологический расчет предприятия, 3 - технологическая часть технического проекта зоны ТО, 4 - экономическая часть проекта, 5 - организация управления производством, 6 - строительная час
******* Не известно Диплом и связанное с ним Дипломные проекты
User Рики-Тики-Та : 8 декабря 2015
550 руб.
Кейс. Организационное поведение. СИБИТ.
Задание Вы — новый молодой руководитель одного из подразделений предприятия и чувствуете настороженное отношение к себе окружающих Вас сотрудников. Причем Вы попали в коллектив, где нет четкого распределения и выполнения своих обязанностей. А на Вас еще давит и груз долгов, оставшихся после Вашего предше-ственника. Таким образом, Вам необходимо повысить уровень эффективности труда и организовать слаженную и успешную работу Вашего подразделения. Ваши действия в этот период?
******* Не известно Теория организаций Практические занятия и отчеты
User studypro : 17 июля 2016
200 руб.
“Проект ЦС СТС на базе SI-2000” по дисциплине: Сети связи и системы коммутации 6 вариант
Задание к курсовой работе по теме: “Проект ЦС СТС на базе SI-2000” 1 Назначение АТС: центральная станция типа SI-2000/224 1. Количество абонентов, включенных в опорную АТС - 4200 2. Количество местных таксофонов - 28 3. Количество междугородных таксофонов - 13 4. Количество кабин переговорных пунктов - 6 5. Количество оконечных устройств передачи данных ______ 2 Количество УПАТС типа Квант, включенных в ЦС: 1/150; 1/420 3 Сведения о группах удаленных абонентов, включенных в ЦС: Номер группы Сред
СибГУТИ Системы коммутации Работа Курсовая
User DonTepo : 6 февраля 2013
50 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Основы оптической связи. Билет №3
Основы оптической связи. Тест. Билет 3. ПК-1 1. Перечислить оптические приборы техники связи, которые строятся на основе интерференции. 2. Что относится к передаточным характеристикам волоконных световодов? 3. Что разделяют оптические разветвители? 4. Какие конструкции лазеров используются в технике оптической связи? 5. Чем ограничена полоса частот информационного сигнала при прямой модуляции для СИД и ППЛ? 6. Что ограничивает диапазон оптических частот для фотодетектирования в полупроводников
Основы оптической связи ДО СИБГУТИ Работа Зачетная
User Учеба "Под ключ" : 19 августа 2022
600 руб.
promo
up Наверх