Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (специальные главы) «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант 4
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Физика , Работа Лабораторная
-
Добавлен:
09.11.2016
-
Размер:
260 KB
-
Покупок:
5
-
Добавил:
Учеба "Под ключ"
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
1749D735-E67C-4929-903A-F9B5BD7158BC.doc
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Выполнение задания
Сила тока для варианта №4 равна 5,4мА
Вывод:
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(q) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Список литературы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Выполнение задания
Сила тока для варианта №4 равна 5,4мА
Вывод:
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(q) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Список литературы
Дополнительная информация
Работа зачтена без замечаний!
Дата сдачи: октябрь 2016 г.
Преподаватель: Стрельцов А.И.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru
Дата сдачи: октябрь 2016 г.
Преподаватель: Стрельцов А.И.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Другие работы
Теплотехника КемТИПП 2014 Задача Б-1 Вариант 96
Z24
: 19 января 2026
m кг воздуха с начальной температурой t1 сжимается от давления р1=0,1 МПа до давления р2. Сжатие происходит по изотерме, адиабате и политропе с показателем политропы n.
Определить для каждого из трех процессов сжатия конечную температуру воздуха, работу, отведенное тепло, изменение внутренней энергии и энтропии воздуха. Изобразить процессы сжатия в p,υ и T,s — диаграммах.
Z24
: 19 января 2026
250 руб.
Программная инженерия (часть 1-я) (новая). Билет №23
IT-STUDHELP
: 14 февраля 2022
Экзамен
По дисциплине: «Программная инженерия (часть 1)»
Экзаменационный билет № 23
Дисциплина Программная инженерия Курс III Семестр V
I. Конфигурационное управление в программной инженерии.
II. Для заданной предметной области решить следующие задачи программной инженерии:
1. Выполнить краткое системное описание предметной области на уровне бизнес-процессов; построить следующие диаграммы:
- контекстную (IDEF0);
- декомпозиции(IDEF0);
- прецедентов (UML);
- классов (UML).
2. Сформулиро
IT-STUDHELP
: 14 февраля 2022
600 руб.
Субъекты предпринимательства в республике Беларусь
evelin
: 16 ноября 2013
Содержание
1. Субъекты и формы предпринимательства в Республике Беларусь
2. Франчайзная система: цель создания, понятия, условия взаимодействия
3. Финансирование деятельности малых предприятий: коммерческое кредитование
Список использованных источников
1. Субъекты и формы предпринимательства в Республике Беларусь
Малый бизнес - предпринимательская деятельность, дающая прибыль на малых предприятиях, не входящих ни в одно монополистическое объединение. По действующему законодательст
evelin
: 16 ноября 2013
5 руб.
Государственное строительство и самоуправление Украины
ostah
: 10 сентября 2013
До відання виконавчих органів сільських, селищних, міських
рад належать:
власні (самоврядні) повноваження:
1) організація за рахунок власних коштів і на пайових засадах
будівництва, реконструкції і ремонту об'єктів комунального
господарства та соціально-культурного призначення, жилих будинків,
а також шляхів місцевого значення;
2) виконання або делегування на конкурсній основі генеральній
будівельній організації (підрядній організації) функцій замовника
на буді
ostah
: 10 сентября 2013
10 руб.
