Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант №24.

Цена:
200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon КР Симонова Т.В. МБТ-52.docx

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача No1.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4: Лавинный фотодиод.

Задача No2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.
Вариант 2:
Тип ПП материала: GaAs;
Квантовая эффективность η=0,6;
Ширина запрещенной зоны ΔW=1,41 эВ;

Задача No3.
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля (4).

Задача No4.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр. Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Вариант 2:
Тип светодиода: АЛ307Б
Напряжение питания: 12 В
Номинал ограниченного сопротивления: Rогр = 910 Ом.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа
Оценка: Зачет
Дата оценки: 04.11.2016
Рецензия:Уважаемый С*
Игнатов А. Н.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с гетероструктурой Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
User karimoverkin : 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 0 Фотодиод на основе р-n перехода Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр. Исходные данные Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
User Dctjnkbxyj789 : 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 9 Фоторезистор Решение: Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра. В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
User nvm1604 : 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант 4. Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
User lebed-e-va : 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
User ART1800 : 8 мая 2013
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 30
Номер варианта для решения первой и третьей задач должен соответствовать последней цифре Вашего пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре вашего пароля. Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Последняя цифра пароля: 0 Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод на основе p-n-перехода Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэ
User Учеба "Под ключ" : 4 сентября 2022
600 руб.
promo
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 07
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1 – Исходные данные № варианта: 7 Тип фотоприемника: Фототранзистор Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. № варианта: 0 Тип ПП материала: Ge Кван
User SibGOODy : 14 сентября 2018
400 руб.
promo
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 18
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. № варианта: 8 Тип фотоприемника: Фототиристор Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. № варианта: 1 Тип ПП материала: Si Квантовая эффективность, n: 0,7 Ши
User SibGOODy : 7 августа 2018
450 руб.
promo
Контрольная работа по дисциплине: Компьютерные технологии в телекоммуникациях. Вариант №2
Содержание 1. Задание на контрольную работу 3 2. Выполнение контрольной работы 5 2.1. Таблица Excel 5 2.2. Графики Excel 5 2.3. Блок-схема 7 2.4. Работа с таблицей в Word 8 ОКТ. КР. Вариант №2 1. На диске С в папке ОКТ создать папку с названием КР <Фамилия, группа, вариант> 2. Открыть MS Excel. Ввести исходные данные как показано на рисунке, сделать границы таблицы видимыми. Значения z вычислить для каждой строки по формуле Pd==R^(1,5*S) (в ячейку ввести формулу). Значение функции F рассчи
User Roma967 : 9 января 2020
600 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Компьютерные технологии в телекоммуникациях. Вариант №2 promo
Контрольная работа№2 по дисциплине: «Электромагнитные поля и волны». Вариант №18.
Плоская электромагнитная волна с частотой f = 500 МГц падает по нормали из вакуума на границу раздела с реальной средой. Параметры среды: ε = 4, σ = 0,09 См/м. Амплитуда напряжённости электрического поля в падающей волне Em = 4 В/м. 1. Определить амплитуду отраженной волны. 2. Определить амплитуду прошедшей волны. 3. Определить значение вектора Пойнтинга отраженной волны. 4. Определить значение вектора Пойнтинга прошедшей волны. 5. Определить коэффициент стоячей волны. 6. Вычислить расстояние
User kakau : 25 февраля 2014
50 руб.
Теория вероятностей и математическая статистика. 4-й вариант
Вариант No 4 1. Вероятность выхода из строя каждого из 4-х блоков равна 0,8. Найти вероятность разрыва цепи. 2. Цель, по которой ведется стрельба, может находиться на первом участке c вероятностью 0,4, на втором с вероятностью 0,5, на третьем – с вероятностью 0,1. Находящаяся на первом участке цель поражается с вероятностью 0,8, на втором – с вероятностью 0,6, на третьем – с вероятностью 0,2. В результате стрельбы цель оказалось поражена. Какова вероятность, что она находилась на первом участ
User Галиина : 8 апреля 2017
140 руб.
Теория вероятностей и математическая статистика. 4-й вариант
Электропитание устройств и систем телекоммуникаций. 09 вариант
Тест 1.Зависимость тока короткого замыкания трансформатора.. 2. Для обмоток трансформаторов используют такие марки медных проводов... 3. К паспортным параметрам силового трансформатора относятся... 4. Внешняя характеристика трансформатора есть функция U2 =f (I2), которая... 5. У оптимального трансформатора Uкз =10%, потери в магнитопроводе Рст.ном =10 вт,потери в обмотках ... вт... 6. Мгновенное значение напряжения... 7. На вход идеального однофазного, мостового, неуправляемого выпрямителя... 8
User smallkatya : 27 ноября 2019
50 руб.
up Наверх