Исследование фотоэлектрических свойств полупроводниковых материалов

ID: 175262
Дата закачки: 26 Ноября 2016
Продавец: muradza (Напишите, если есть вопросы)
Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Работа Лабораторная
Сдано в учебном заведении: СПбГЭТУ "ЛЭТИ"

Описание:
Вывод: выполнив данную работу на примере образца 1 (фоторезистор на основе сульфида кадмия (CdS), я пришел к выводу, что при увеличении длины волны сопротивление уменьшается и увеличивается фотопроводимость полупроводника, но до определенного значения, после которого оно снова увеличивается до значения, близкого к первоначальному, так как возрастает интенсивность оптических переходов и показатель оптического поглощения и уменьшается глубина проникновения света в полупроводник.

Размер файла: 160 Кбайт
Фаил: