Физические основы электроники. Экзамен. Билет№15.
-
Категории:
СибГУТИ, Физические основы электроники, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
20.12.2016
-
Размер:
308 KB
-
Покупок:
8
-
Добавил:
Ste9035
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
13EF4830-7E34-43D3-8ACA-27C3BA0CEE46.docx
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. Влияние температуры на передаточные, выходные характеристики ПТ и рабочую область.
2. Аналитический расчет параметров усилительного режима.
2. Аналитический расчет параметров усилительного режима.
Похожие материалы
Физические основы электроники. Экзамен. Билет № 15
sec1or
: 15 мая 2012
Экзамен
По предмету «Физические основы Электроники»
за II семестр
Билет № 15
1. Влияние температуры на передаточные, выходные характеристики ПТ и рабочую область.
2. Аналитический расчет параметров усилительного режима.
sec1or
: 15 мая 2012
150 руб.
Физические основы электроники. Билет: №15
beke
: 11 января 2018
1. Влияние температуры на передаточные, выходные характеристики ПТ и рабочую область.
Полевые транзисторы - это полупроводниковые приборы, усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем.
Полевой транзистор (ПТ) содержит три полупроводниковые области одного и того же типа проводимости, называемые соответственно истоком, каналом и стоком, а также управляющий электрод – затвор.
beke
: 11 января 2018
200 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №15
Учеба "Под ключ"
: 18 марта 2017
Билет №15
1. Влияние температуры на передаточные, выходные характеристики ПТ и рабочую область.
2. Аналитический расчет параметров усилительного режима.
Учеба "Под ключ"
: 18 марта 2017
300 руб.
Физические основы электроники экзамен билет 4
Антон28
: 8 августа 2025
Физические основы электроники экзамен билет 4
Антон28
: 8 августа 2025
500 руб.
Экзамен. Физические основы электроники. Билет №12
nasiknice
: 2 декабря 2020
1. Стабилитрон. ВАХ. Основные параметры. Применение. Схема включения.
2. Зависимость Н-параметров БТ от частоты.
nasiknice
: 2 декабря 2020
450 руб.
Экзамен. Физические основы электроники. Билет № 16
lisii
: 12 марта 2019
Билет № 16
1 Устройство и принцип работы МДП транзисторов с индуцированным каналом. Схемы включения. Характеристики.
2. Импульсный режим работы БТ. Схема, принцип действия, причины искажения импульсов, основные параметры и характеристики.
lisii
: 12 марта 2019
30 руб.
Физические основы электроники. Экзамен. Билет №3
Студенткааа
: 16 января 2019
1.Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
Электронно-дырочным (p-n) называют такой переход, который образован двумя областями полупроводника с разными типами проводимости: электронной и дырочной. Электронно-дырочный переход нельзя создать простым соприкосновением полупроводниковых пластин n- и p-типа, так как в месте соединен
Студенткааа
: 16 января 2019
100 руб.
Физические основы электроники, Экзамен, Билет 13.
artinjeti
: 20 июня 2018
1. Варикап. Принцип работы. Вольт - фарадная характеристика. Параметры. Схема включения.
2. Методы улучшения частотных свойств БТ. Дрейфовый транзистор.
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Дата оценки: 04.05.2018
Рецензия: замечаний к Вашим ответам нет.
artinjeti
: 20 июня 2018
50 руб.
Другие работы
Лабораторная работа № 4 по дисциплине "Основы визуального программирования"
1231233
: 29 января 2012
Тема: Базы данных
ЗАДАНИЕ 1
1. Создание таблиц.
Создайте таблицы: Faculty (Название факультета, Курс, Количество групп на курсе ),
Group (Название группы, Фамилия старосты, Количество студентов в группе),
Stud (ФИО, Домашний адрес, Телефон).
(см. лекцию, п.8.3)
- При выполнении команды Save as… создайте новый каталог для хранения Приложения, а внутри – еще один каталог (н-р, Base) для хранения базы (в нем и сохраняйте таблицы).
- При необ
1231233
: 29 января 2012
23 руб.
Автоматизация вентиляционной системы жилого дома
Рики-Тики-Та
: 3 марта 2012
Введение
Краткое описание технологического процесса
Выбор и описание функциональной схемы автоматизации
Описание принципиальной электрической схемы
Выбор и описание используемых средств автоматизации
Заключение
Список литературы
Рики-Тики-Та
: 3 марта 2012
55 руб.
Многоканальные телекоммуникационные системы. 6 семестр. Лабораторная работа №1.
skaser
: 10 февраля 2012
Цель работы
Целью работы является изучение влияния частоты дискретизации на форму выходного сигнала.
Если выбрать , нижняя боковая частота, определяемая из условия:
совпадает с верхней частотой спектра модулирующего сигнала и для восстановления непрерывного сигнала из последовательности его дискретных отсчетов необходимо использовать идеальный ФНЧ с частотой среза Fc=Fв. В реальных системах частоту дискретизации выбирают из условия Fд>2Fв. Обычно Fд=(2,3...2,4) • Fв. Так, при дискретизации те
skaser
: 10 февраля 2012
50 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Системы связи с подвижными объектами. Билет №87
SibGOODy
: 20 мая 2019
Билет No87
1. Ширина одного частотного канала для стандарта GSM составляет:
25 кГц
200 кГц
1,23 МГц
8. Временное разделение каналов (TDD) по сравнению с частотным (FDD) величину занимаемой полосы
увеличивает
уменьшает
оставляет без изменения
9. Множественный доступ с временным разделением - это метод, использующий для передачи:
несколько несущих частот в разные моменты времени
одну несущую частоту в разные моменты времени
несколько несущих частот
12. Каким образом изменится затухание сигнала
SibGOODy
: 20 мая 2019
400 руб.
