Физические основы электроники. Экзамен. Билет№15.
-
Категории:
СибГУТИ, Физические основы электроники, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
20.12.2016
-
Размер:
308 KB
-
Покупок:
8
-
Добавил:
Ste9035
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
13EF4830-7E34-43D3-8ACA-27C3BA0CEE46.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. Влияние температуры на передаточные, выходные характеристики ПТ и рабочую область.
2. Аналитический расчет параметров усилительного режима.
2. Аналитический расчет параметров усилительного режима.
Похожие материалы
Физические основы электроники. Экзамен. Билет № 15
sec1or
: 15 мая 2012
Экзамен
По предмету «Физические основы Электроники»
за II семестр
Билет № 15
1. Влияние температуры на передаточные, выходные характеристики ПТ и рабочую область.
2. Аналитический расчет параметров усилительного режима.
sec1or
: 15 мая 2012
150 руб.
Физические основы электроники. Билет: №15
beke
: 11 января 2018
1. Влияние температуры на передаточные, выходные характеристики ПТ и рабочую область.
Полевые транзисторы - это полупроводниковые приборы, усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем.
Полевой транзистор (ПТ) содержит три полупроводниковые области одного и того же типа проводимости, называемые соответственно истоком, каналом и стоком, а также управляющий электрод – затвор.
beke
: 11 января 2018
200 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №15
Учеба "Под ключ"
: 18 марта 2017
Билет №15
1. Влияние температуры на передаточные, выходные характеристики ПТ и рабочую область.
2. Аналитический расчет параметров усилительного режима.
Учеба "Под ключ"
: 18 марта 2017
300 руб.
Физические основы электроники экзамен билет 4
Антон28
: 8 августа 2025
Физические основы электроники экзамен билет 4
Антон28
: 8 августа 2025
500 руб.
Экзамен. Физические основы электроники. Билет №12
nasiknice
: 2 декабря 2020
1. Стабилитрон. ВАХ. Основные параметры. Применение. Схема включения.
2. Зависимость Н-параметров БТ от частоты.
nasiknice
: 2 декабря 2020
450 руб.
Экзамен. Физические основы электроники. Билет № 16
lisii
: 12 марта 2019
Билет № 16
1 Устройство и принцип работы МДП транзисторов с индуцированным каналом. Схемы включения. Характеристики.
2. Импульсный режим работы БТ. Схема, принцип действия, причины искажения импульсов, основные параметры и характеристики.
lisii
: 12 марта 2019
30 руб.
Физические основы электроники. Экзамен. Билет №3
Студенткааа
: 16 января 2019
1.Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода.
Электронно-дырочным (p-n) называют такой переход, который образован двумя областями полупроводника с разными типами проводимости: электронной и дырочной. Электронно-дырочный переход нельзя создать простым соприкосновением полупроводниковых пластин n- и p-типа, так как в месте соединен
Студенткааа
: 16 января 2019
100 руб.
Физические основы электроники, Экзамен, Билет 13.
artinjeti
: 20 июня 2018
1. Варикап. Принцип работы. Вольт - фарадная характеристика. Параметры. Схема включения.
2. Методы улучшения частотных свойств БТ. Дрейфовый транзистор.
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Экзамен
Оценка:Отлично
Дата оценки: 04.05.2018
Рецензия: замечаний к Вашим ответам нет.
artinjeti
: 20 июня 2018
50 руб.
Другие работы
Зачёт по дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1) вариант 2
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
1. Привести схемы широкополосных каскадов без коррекции и пользуясь справочными данными оценить какое усиление могут обеспечить в таких схемах при высшей частоте 5 мГц транзисторы КТ-315Д и КП-30IВ.
2. Привести схему резистивного каскада на полевом транзисторе с управляющим p-n переходом каналом типа “p”. Рассчитать резистор, обеспечивающий смещение равное 2 В при токе стока 2 мА. Рассчитать глубину ООС, обеспечивающую стабилизацию режима, если значение динамической крутизны транзистора равно 2
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
150 руб.
Статистика СИБИТ 2018 Вариант 1111
OLGA555
: 14 декабря 2018
Интерактивная деятельность (решение кейса)
Ситуация. В результате обследования в четырех цехах предприятия
станков четырех разных типов, выполняющих одну и ту же операцию, были
получены статистические данные о возрасте оборудования и об
эксплуатационных расходах, связанных с работой этих станков. Возраст
оборудования – целое число, для станка проработавшего менее одного года, –
1; от 1 года до 2 лет –2 и т.д. Эксплуатационные расходы фиксировались для
каждого станка нарастающим итогом с начала г
OLGA555
: 14 декабря 2018
200 руб.
НГТУ. Сварное соединение деталей - Вариант 4
.Инженер.
: 26 апреля 2026
НГТУ. Чертежи сборочных единиц соединенных сваркой. Вариант 4
На основании исходных данных (чертежа детали изготавливаемой литьём) необходимо:
- разработать конструкцию сварной сборочной единицы взамен литой детали;
- выбрать тип шва и метод сварки для соединения полученных деталей;
- выполнить чертеж сборочной единицы;
- составить спецификацию сборочной единицы;
- выполнить деталировку.
В состав работы входит:
-3D модели деталей;
-3D сборка;
-Сборочный чертеж;
-Спецификация;
-Че
.Инженер.
: 26 апреля 2026
400 руб.
Зачёт по дисциплине: Экономика отрасли инфокоммуникаций. Билет №9
Колька
: 23 января 2017
Вопрос : Оценка эффективности бизнес – планов, инвестиционных проектов в отрасли инфокоммуникаций
Задача: Определите увеличение доходов организации связи за счет ускорения оборачиваемости оборотных средств, если известно, что среднегодовая стоимость оборотных средств составляла 110 тыс. рублей, а доходы от реализации услуг – 5200,0 тыс. руб. Длительность одного оборота сократилась на 2 дня
Колька
: 23 января 2017
50 руб.
