Узнать подробности

Физические основы электроники. Экзамен. Билет№15.

Состав работы

13EF4830-7E34-43D3-8ACA-27C3BA0CEE46.docx [ 308 KB ]

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:

Microsoft Word

Что делать, если файл не открывается

Описание

1. Влияние температуры на передаточные, выходные характеристики ПТ и рабочую область.

2. Аналитический расчет параметров усилительного режима.

Физические основы электроники. Экзамен. Билет № 15

Экзамен По предмету «Физические основы Электроники» за II семестр Билет № 15 1. Влияние температуры на передаточные, выходные характеристики ПТ и рабочую область. 2. Аналитический расчет параметров усилительного режима.

СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная

sec1or : 15 мая 2012

150 руб.

Физические основы электроники. Билет: №15

1. Влияние температуры на передаточные, выходные характеристики ПТ и рабочую область. Полевые транзисторы - это полупроводниковые приборы, усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем. Полевой транзистор (ПТ) содержит три полупроводниковые области одного и того же типа проводимости, называемые соответственно истоком, каналом и стоком, а также управляющий электрод – затвор.

СибГУТИ Билеты экзаменационные Физические основы электроники

beke : 11 января 2018

200 руб.

Экзаменационная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №15

Билет №15 1. Влияние температуры на передаточные, выходные характеристики ПТ и рабочую область. 2. Аналитический расчет параметров усилительного режима.

ДО СИБГУТИ Физические основы электроники Работа Экзаменационная

Учеба "Под ключ" : 18 марта 2017

300 руб.

Физические основы электроники экзамен билет 4

ДО СИБГУТИ Физические основы электроники Работа Экзаменационная

Антон28 : 8 августа 2025

500 руб.

Экзамен. Физические основы электроники. Билет №12

1. Стабилитрон. ВАХ. Основные параметры. Применение. Схема включения. 2. Зависимость Н-параметров БТ от частоты.

ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Физические основы электроники

nasiknice : 2 декабря 2020

450 руб.

Экзамен. Физические основы электроники. Билет № 16

Билет № 16 1 Устройство и принцип работы МДП транзисторов с индуцированным каналом. Схемы включения. Характеристики. 2. Импульсный режим работы БТ. Схема, принцип действия, причины искажения импульсов, основные параметры и характеристики.

Физические основы электроники Работа Контрольная

lisii : 12 марта 2019

30 руб.

Физические основы электроники. Экзамен. Билет №3

1.Электронно - дырочный переход. Образование p-n перехода. Распределение носителей заряда. P-n переход в состоянии равновесия. Физические процессы. Образование контактной разности потенциалов. Толщина p-n перехода. Электронно-дырочным (p-n) называют такой переход, который образован двумя областями полупроводника с разными типами проводимости: электронной и дырочной. Электронно-дырочный переход нельзя создать простым соприкосновением полупроводниковых пластин n- и p-типа, так как в месте соединен

ДО СИБГУТИ Физические основы электроники Работа Экзаменационная

Студенткааа : 16 января 2019

100 руб.

Физические основы электроники, Экзамен, Билет 13.

1. Варикап. Принцип работы. Вольт - фарадная характеристика. Параметры. Схема включения. 2. Методы улучшения частотных свойств БТ. Дрейфовый транзистор. Уважаемый студент, дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники Вид работы: Экзамен Оценка:Отлично Дата оценки: 04.05.2018 Рецензия: замечаний к Вашим ответам нет.

ДО СИБГУТИ Физические основы электроники Работа Экзаменационная

artinjeti : 20 июня 2018

50 руб.

Циклон ЦН-15-500х8УП-Чертеж-Машины и аппараты нефтехимических производств-Курсовая работа-Дипломная работа

Циклон ЦН-15-500х8УП-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Машины и аппараты нефтехимических производств-Курсовая работа-Дипломная работа

Нефтяная промышленность Чертежи

nakonechnyy.1992@list.ru : 1 июня 2018

368 руб.

Общая теория связи. Контрольная работа, Вариант №13

Задание 1: К полупроводниковому прибору с нелинейной вольт-амперной характеристикой прикладывается бигармоническое напряжение: u(t)=U_m1 cos(ω_1 t)+U_m2 cos(ω_2 t) Вольт-амперная характеристика прибора аппроксимируется степенным полиномом: i_c=a_0+a_1 u+a_2 u^2 Где ic – протекающий через полупроводниковый прибор ток; u – воздействующее на полупроводниковый прибор напряжение. Требуется: Рассчитать спектр тока и построить спектральную диаграмму для исходных данных варианта. Задание 2:То

СибГУТИ Работа Контрольная Общая теория связи

lemma : 18 марта 2021

100 руб.

Упражнение №33. вариант №8а. По двум видам модели построить третий вид

Упражнение 33 вариант 8а По двум видам модели построить третий вид и изометрию. Проставить размеры. 3d модель и чертеж (все на скриншотах изображено) выполнены в компасе 3D v13, возможно открыть в 14,15,16,17,18,19 и выше версиях компаса. Просьба по всем вопросам писать в Л/С. Отвечу и помогу.

Начертательная геометрия и инженерная графика БГПК Практические занятия и отчеты

bublegum : 15 января 2021

60 руб.