Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (спец. главы) Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №4

Цена:
250 руб.

Состав работы

material.view.file_icon F444FCE7-B4E4-4ED1-ABC3-B8D0CC4418D3.doc [ 253 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.

2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Выполнение задания
Сила тока для варианта No4 равна 5,4мА
Вывод

5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.

Список литературы

Дополнительная информация

Зачет без замечаний!
Дата сдачи: декабрь 2016 г.
Преподаватель: Грищенко И.В.
Если по каким-либо причинам не примут работу, исправлю БЕСПЛАТНО.
Помогу с другим вариантом.

Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru

Похожие материалы

Физика(спец. главы). Работа лабораторная №6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
ПОЛНОЕ ОПИСАНИЕ РАБОТЫ НА СКРИНШОТАХ! Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
СибГУТИ Физика Работа Лабораторная
User SemenovSam : 3 мая 2016
100 руб.
Физика(спец. главы). Работа лабораторная №6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (спец. главы) Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №4
Лабораторная работа No6.8 Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. 2. Теоретическое введение 3. Описание лабораторной установки 4. Выполнение задания Сила тока для варианта No4 равна 5,4мА Вывод: 5. Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной
ДО СИБГУТИ Физика Работа Лабораторная
User Roma967 : 15 мая 2016
250 руб.
promo
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Вариант 09 Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Физика Работа
User Саша78 : 9 апреля 2020
100 руб.
Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (спец. главы) Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №6
1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. 2. Теоретическое введение 3. Описание лабораторной установки 4. Выполнение задания Сила тока для варианта No6 равна 7,0 мА Вывод 5. Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т? 3. Вывести фор
ДО СИБГУТИ Физика Работа Лабораторная
User Учеба "Под ключ" : 29 декабря 2016
250 руб.
promo
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
******* Не известно Физика Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
СибГУТИ Физика Работа Лабораторная
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
СибГУТИ Физика и энергетика Работа Лабораторная
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников

Другие работы

Лабораторная работа № 3.5 ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ СИГНАЛОВ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВЫМ ОСЦИЛЛОГРАФОМ вариант 35
1. Цель работы 1.1 Изучить принцип работы и структурную схему универсального электронно-лучевого осциллографа. 1.2 Получить практические навыки работы с электронно-лучевым осциллографом и измерительными генераторами. 1.3 Приобрести навыки измерения временных интервалов, напряжения, периода и частоты различных электрических сигналов с помощью электронного осциллографа. 1.4 Освоить методику оценки погрешности измерений, выполняемых с помощью осциллографа и получить навыки оформления результатов и
Метрология и стандартизация СибГУТИ Работа Лабораторная
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 24 февраля 2014
350 руб.
Философский анализ трансформаций свободы (логико-исторический аспект)
Оглавление стр. Введение 2-13 Глава 1.Анализ трансформаций свободы в истории классических философских учений: 14-58 §1.Онтологические компоненты свободы. 14-32 §2. Гносеологические аспекты и трансформации свободы. 33-58 Глава 2. Анализ социаль
Философия Работа
User evelin : 16 ноября 2013
10 руб.
Английский язык. Часть 2. Экзаменационная работа Билет 9.
Задание 1. Выберите правильный ответ. 1. Today polymers ______ to as materials of vital importance. a. refers b. are referred c. is referring 2. Much attention______now to the use of polymers because they have many desirable properties. a. is being paid b. is paid c. was paid 3. I _____ never_____to London. a. had visited b. was gone c. have been Задание 2. Прочтите текст и выполните задания к тексту MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS (MEMS) 1. Interest in cre
Английский язык ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User Vladimir54 : 2 декабря 2022
350 руб.
Выпускная квалификационная работа. Магистерская диссертация Разработка компьютерной программы для моделирования рентгеновских изображений при низкой интенсивности источника
Разработка компьютерной программы для моделирования рентгеновских изображений при низкой интенсивности источника Магистерская диссертация Научная новизна данной квалификационной работы заключается в особом методе разыгрывания энергии очередного фотона. Подробное описание представлено в разделе 2.3. Для того, чтобы в полной мере осветить все этапы теоретических исследований и практической реализации и указать с какими трудностями пришлось столкнуться в процессе, данная работа была разбита на нес
Диплом и связанное с ним СибГУТИ Дипломные проекты
User const30 : 10 августа 2018
1400 руб.
up Наверх