Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Аналоговые ключи на транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
1.Аналоговые ключи на транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
Оценка отлично. Работа выполнена и сдана в 2016 году.
Похожие материалы
Экзамен по электротехнике, электронике и схемотехнике
Alex21589
: 15 апреля 2023
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА
по дисциплине
«Электротехника, электроника и схемотехника»
Билет №15
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен
sibguter
: 5 июня 2018
№1 Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
№2 Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
№3 Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характ
29 руб.
ЭКЗАМЕН Билет№4 Электротехника, электроника и схемотехника
SOKOLOV
: 2 марта 2025
ЭКЗАМЕН по дисциплине «Электротехника, электроника и схемотехника»
БИЛЕТ №4
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада
150 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
Алексей134
: 4 марта 2021
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
100 руб.
Экзамен. Электротехника, электроника и схемотехника. Билет № 4
gnv1979
: 13 июня 2016
Задание № 1. Сущность временного анализа цепей. Интеграл Дюамеля.
Задание № 2. Рассчитать частоты нулей спектра заданного сигнала.
50 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника Экзамен. Билет №6
Legeoner13
: 6 марта 2015
1. Импульсная характеристика цепи h(t). Ее применение.
Импульсной характеристикой цепи называется реакция цепи на воздействие единичной импульсной функции . Обозначается импульсная характеристика h(t).
Импульсная характеристика цепи определяется как производная от переходной характеристики цепи g(t) (это реакция цепи на воздействие в виде единичной ступенчатой функции). Если переходная характеристика имеет скачок при t = 0, то есть , то при дифференцировании появляется дополнительное слагаемо
50 руб.
Другие работы
Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Теоретические основы современных технологий беспроводной связи. Вариант №21
IT-STUDHELP
: 16 ноября 2022
Лабораторная работа No1
По дисциплине: Беспроводные технологии передачи данных
Пример модели в системе Scicos
Цель работы:
Ознакомиться со средой моделирования динамических систем Scicos. Научиться создавать простые модели, настраивать их параметры и параметры блоков.
Задание
С помощью динамической модели в программе Scicos вычислить значения заданной по варианту функции, построить графики зависимостей на экране осциллографа и графопостроителя. Обеспечить вывод результата на цифровой диспл
900 руб.
Контрольная работа по английскому языку(СИБГУТИ)
Анна75
: 15 ноября 2015
Контрольная работа выдана студентам ДО в первом семестре
Переведите следующие предложения, выбирая правильный артикль: определённый, неопределённый или нулевой (отсутствие артикля).
1. Can you tell me ___ way to the nearest supermarket?
80 руб.
Суров Г.Я. Гидравлика и гидропривод в примерах и задачах Задача 3.58
Z24
: 13 ноября 2025
Прямоугольное отверстие высотой h=0,5 м и шириной b=0,6 м в боковой стенке закрытого резервуара с водой закрыто щитом. Определить, при какой глубине погружения центра тяжести щита сила давления будет равна нулю, если в резервуаре вакуумметрическое давление р0в=0,3·105 Па.
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Средства связи с подвижными объектами (ДВ 8.1). Вариант №02.
teacher-sib
: 3 февраля 2019
Исходные данные:
Таблица 1.1 Параметры BS, среды
Вариант (предпос-ледняя цифра пароля)
Тип
застройки F, МГц Тип
местности HBS, м GBS, дБ ф, дБ Рпд, Вт Число Ct временных каналов на
одну несущую
0 Пригород 1800 холмистая 40 18 5 50 8
Таблица 1.2 Параметры МS, качество обслуживания
Вариант
(последняя цифра пароля) Рмин,
дБВт HMS, м Защитное отношение
Аз, дБ Трафик одного абонента
А, эрл Вероятность блокировки
β Число абонентов
на одну BS
6 -120 1 16 0,015 0,02 200
Задача No 1.
Рассчита
400 руб.