Физические основы электроники. Вариант 09
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h .
Дано:
транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 75В, сопротивление нагрузки RН=1500 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 250 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150 мкА.
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (Рис. 3) задаемся приращением тока базы IБ = ± 50 = 100 мкА относительно рабочей точки IБ0 = 250 мкА.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты1⁄2 Н211⁄2 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
No вар. Тип БТ UСИ0, В UЗИ0 В,
0 КП903А 18 8
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h .
Дано:
транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 75В, сопротивление нагрузки RН=1500 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 250 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150 мкА.
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (Рис. 3) задаемся приращением тока базы IБ = ± 50 = 100 мкА относительно рабочей точки IБ0 = 250 мкА.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты1⁄2 Н211⁄2 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.А.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
No вар. Тип БТ UСИ0, В UЗИ0 В,
0 КП903А 18 8
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 09
Учеба "Под ключ"
: 30 июля 2026
Определение параметров и выбор полупроводниковых диодов
Цель работы
a) Научиться рассчитывать параметры диодов.
b) Научиться пользоваться справочной литературой по полупроводниковым диодам.
c) Научиться производить выбор диодов для конкретных радиоэлектронных устройств.
Таблица А1– Исходные данные для заданий 1,2,3
Вариант: 09
Тип диода VD: Д302
R,Ом: 0,4
U,В: 0,4
Рисунок Б27 – ВАХ диода Д302
Задание 1
Цепь состоит из последовательно включенного диода VD и резистора R (см. р
1300 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №09
FreeForMe
: 10 апреля 2015
Задача 1.
По статистическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиле
245 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
120 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
130 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
2. Отчет о работе
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ.
На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
100 руб.
Физические основы электроники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Контрольная работа
По дисциплине: Физические основы электроники
Выполнил: Титова Ю.В.
Группа: Т-61в
Вариант: №01
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, опреде
300 руб.
Физические основы электроники
Фрося
: 25 февраля 2020
Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора КТ819 тип транзистора Биполярный
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =9 В;
активное сопротивление нагрузки RН = 1,2 Ом;
постоянная составляющая тока базы IБ0 =120мА;
амплитудное значение переменной
составляющей тока ( амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 100
1000 руб.
Другие работы
Бизнес-план развития автомобильного парка
GnobYTEL
: 25 ноября 2012
Введение
Уровень развития транспортной системы государства – один из важнейших признаков ее технологического прогресса и цивилизованности. Потребность в высокоразвитой транспортной системе еще более усиливается при интеграции в европейскую и мировую экономику, транспортная система становится базисом для эффективного вхождения Беларуси в мировое сообщество и занятия в нем места, отвечающего уровню высокоразвитого государства.
Объективные условия трансформационных процессов в развитии Республики Б
15 руб.
Экономическая среда предприятия
Алёна51
: 26 июля 2015
Введение 3
1. Экономическая среда предприятия 5
2. Экономическая среда фармацевтического предприятия: микросреда и макросреда 11
3. Факторы внешней и внутренней среды предприятия 14
4. Анализ внешних и внутренних факторов аптеки 18
4.1 Анализ российского фармацевтического рынка 18
4.2 Характеристика ООО «Ригла» 19
4.3 Анализ внутренней среды ООО «Ригла» 22
4.4 Анализ внешней среды ООО «Ригла» 23
4.5 SWOT-анализ ООО «Ригла» 25
Заключение 27
Список использованной литературы 30
Приложение 31
300 руб.
Лабораторная работа №3 по дисциплине: Функциональное и логическое программирование. Вариант №06.
teacher-sib
: 29 ноября 2018
Лабораторная работа №3
Работа со строками и файлами в языке SWI-PROLOG
Условие задачи
Напишите на языке SWI-PROLOG программу для работы с текстовым файлом, состоящим из нескольких строк. При преобразовании файла должны быть сохранены переводы строк исходного файла.
Вариант 6. В текстовом файле, состоящем из нескольких строк, подсчитайте количество символов, исключая пробелы.
350 руб.
Дискретная математика. Билет №8
buktops
: 14 мая 2014
1. Проверить, является ли отношением эквивалентности на множестве всех прямых на плоскости отношение "параллельных прямых".
2. С помощью равносильных преобразований упростить булеву функцию F=xy-x&xy-y
3. Построить конечный детерминированный автомат, минимизировать его, записать канонические уравнения.
y(t)=x(t-1)-x(t)? t>2, y(1)=1
Оценка Хорошо
50 руб.