Контрольная работа по дисциплине: « Устройства оптоэлектроники». 5-й вариант
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача № 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
05 Фотодиод - транзистор
Фотоприемные приборы, использующие транзисторные структуры с возможностью усиления фототока, называются фототранзисторами.
В простейшем фототранзисторе (рисунок 1) оптическое излучение попадает в рабочую область структуры - базу. Здесь обеспечивается генерация фотоносителей, которые затем разделяются р-n переходом. Разделение фотоносителей сопровождается дополнительным
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
05 Фотодиод - транзистор
Фотоприемные приборы, использующие транзисторные структуры с возможностью усиления фототока, называются фототранзисторами.
В простейшем фототранзисторе (рисунок 1) оптическое излучение попадает в рабочую область структуры - базу. Здесь обеспечивается генерация фотоносителей, которые затем разделяются р-n переходом. Разделение фотоносителей сопровождается дополнительным
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники” 4-й вариант.
Dark
: 16 августа 2011
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные
Тип ПП материала - Ge Квантовая эффективность - 0,2, Ширина запрещенной зоны W - 0,6 эВ
Задача No3
Изобразить принципи
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине «Устройства Оптоэлектроники». 11-й вариант. Сибгути
parus10810
: 13 апреля 2014
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Задача No3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 30
Учеба "Под ключ"
: 4 сентября 2022
Номер варианта для решения первой и третьей задач должен соответствовать последней цифре Вашего пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре вашего пароля.
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 0
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод на основе p-n-перехода
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэ
600 руб.
Другие работы
Управление инновациями в организации
Aronitue9
: 2 мая 2012
Содержание
Введение 3
1 Сущность инновационного менеджмента 4
2 Особенности управления инновационной деятельностью 11
2.1 Организация инновационной деятельности предприятия 11
2.2 Координация и контроль инновационной деятельности 14
2.3 Управление рисками 17
3 Формирование и выбор инновационной стратегии 23
3.1 Значение и разработка стратегии 23
3.2 Классификация стратегий 25
3.3 Виды инновационных стратегий 26
3.4 Принципы выбора инновационной стратегии 30
Заключение 33
Список использованной
20 руб.
Гибридные энергосистемы с распределённой генерацией
Анатолий32
: 27 августа 2020
Содержание
1. Введение
2. Гибридные энергосистемы с распределенной генерацией
2.1 Категории и виды распределенной генерации
2.2 Причины роста гибридных энергосистем с распределенной генерацией
2.3 Виды гибридных систем с распределенной генерацией
2.4 Экономика гибридных систем с распределенной генерацией
3. Заключение
4. Использованные источники
150 руб.
Формирование и развитие организационной культуры на примере ООО «Тригон» )
Donbass773
: 2 мая 2018
Исходные данные к работе
Аксененко, Ю.Н. и др. Социология и психология управления/ Ю. и др. – Ростов: Феникс, 2012; Виханский, О.С., Наумов А.И. Менеджмент / О.С. Виханский.- М.: Гардарики, 2013; Теория организации / Б.З. Мильнер. – М.: Инфра-М., 2012; Резник, С.Д. Организационное поведение / С.Д. Резник; М.: ИНФРА-М, 2013; Рогожин, С.В., Рогожина Т.В. Теория организации. – М.: Изд-во «Экзамен», 2012.
Индивидуальное задание
Рассмотреть сущность организационной культуры, описать организационную
1000 руб.
Геометрическое тело 1. Варинат 9 ЧЕРТЕЖ
coolns
: 24 декабря 2025
Геометрическое тело 1. Варинат 9 ЧЕРТЕЖ
Выполнить в трех проекциях чертеж изображенных геометрических тел. Построить линии пересечения поверхностей этих тел и аксонометрическую проекцию.
Чертеж выполнен на формате А3 + 3d модель (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в КОМПАС 3D.
Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмоторщиком КОМПАС-3D Viewer.
По другим вариантам и всем вопросам пишите в Л/С.
100 руб.