Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 04
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача No1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Исходные данные.
No варианта: 4
Тип фотоприемника: Лавинный фотодиод
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Исходные данные.
No варианта: 0
Тип ПП материала: Ge
Квантовая эффективность, n: 0,2
Ширина запрещенной зоны dW, эВ: 0,6
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (см. таблицу 3).
No варианта: 4
Задача No4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные приведены в таблице 4.1.
Таблица 4.1. Исходные данные.
No варианта: 0
Тип светодиода: АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В: 5
Номинал ограничительного сопротивления, Ом: 510
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Исходные данные.
No варианта: 4
Тип фотоприемника: Лавинный фотодиод
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Исходные данные.
No варианта: 0
Тип ПП материала: Ge
Квантовая эффективность, n: 0,2
Ширина запрещенной зоны dW, эВ: 0,6
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (см. таблицу 3).
No варианта: 4
Задача No4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные приведены в таблице 4.1.
Таблица 4.1. Исходные данные.
No варианта: 0
Тип светодиода: АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В: 5
Номинал ограничительного сопротивления, Ом: 510
Дополнительная информация
Зачет без замечаний!
Дата сдачи: февраль 2017 г.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru
Дата сдачи: февраль 2017 г.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
150 руб.
Контрольная работа по предмету "Устройство оптоэлектроники", Вариант 04.
PiterBlood
: 28 декабря 2014
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Тип фотоприемника – лавинный фотодиод.
Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувстви-тельность приемника.
Исходные данные для решения задачи:
Тип ПП материала - Ge; Квантовая эффективность, η = 0,2; Ширина запрещенной зоны ΔW = 0,6 эВ.
Задача No 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного по
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 30
Учеба "Под ключ"
: 4 сентября 2022
Номер варианта для решения первой и третьей задач должен соответствовать последней цифре Вашего пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре вашего пароля.
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Последняя цифра пароля: 0
Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод на основе p-n-перехода
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэ
600 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 07
SibGOODy
: 14 сентября 2018
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1 – Исходные данные
№ варианта: 7
Тип фотоприемника: Фототранзистор
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
№ варианта: 0
Тип ПП материала: Ge
Кван
400 руб.
Другие работы
Контрольная работа по предмету «Ценообразование». Вариант № 1
xtrail
: 4 апреля 2013
Содержание
Теоретический вопрос………………………………………………….стр.3
Задача № 1……………………………………………………………….стр.5
Задача № 6……………………………………………………………….стр.7
Список использованной литературы………………………………….стр.9
Теоретический вопрос:
Государственное регулирование цен. Регулирование цен на продукцию вашего предприятия (фирмы)
Задача № 1
1. Определите:
а) розничную цену изделия при условии, что товар поступает в розничную сеть через оптовую базу;
б) Прибыль, приходящуюся на единицу продукции.
2. Составьте структуру
130 руб.
Лабораторная работа по физике № 7.3 Определение длины электромагнитной волны методом дифракции Фраунгофера
vacaba
: 20 февраля 2014
Лабораторная работа по физике № 7.3
Определение длины электромагнитной волны методом дифракции Фраунгофера
1. Цель работы
Исследовать явление дифракции электромагнитных волн. С помощью дифракционной решетки проходящего света измерить длины электромагнитных волн видимого диапазона
2. Основные теоретические сведения
Дифракцией называется совокупность явлений, наблюдаемых при распространении света в среде с резкими неоднородностями ( например, вблизи границ непрозрачных тел, сквозь малые отверстия
35 руб.
Проектирование технологического процесса изготовления детали "Шпиндель"
ostah
: 13 ноября 2015
Технологическая часть
Назначение детали в узле
Определение годового объёма выпуска и типа производства
Анализ технологичности конструкции детали
Выбор и обоснование способа получения заготовки
Выбор технологических баз
Разработка маршрута обработки заготовки
Расчет припусков
Расчет режимов резания
45 руб.
УЧР. Кейс-задание №2. Вариант №6.
studypro2
: 3 апреля 2017
Ситуация 1
Компания получила заказ от крупного клиента. От его выполнения качественно и в срок зависела не только репутация организации, но и дальнейшее сотрудничество с клиентом. Это предвещало крупные заказы почти на целый год, а значит, компания будет обеспечена прибылью. Новый заказ поручили проектному отделу, которым руководил Павел. На общем собрании он рассказал о предстоящих задачах, важности проекта, как ждет полной отдачи от коллег и надеется, что они не подведут. Со своей стороны он
500 руб.