Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 04

Цена:
400 руб.

Состав работы

material.view.file_icon DECD497F-5FF8-4010-89AF-B26385C757CC.doc
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Задача No1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Исходные данные.
No варианта: 4
Тип фотоприемника: Лавинный фотодиод

Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
Таблица 2. Исходные данные.
No варианта: 0
Тип ПП материала: Ge
Квантовая эффективность, n: 0,2
Ширина запрещенной зоны dW, эВ: 0,6

Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (см. таблицу 3).
No варианта: 4

Задача No4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные приведены в таблице 4.1.
Таблица 4.1. Исходные данные.
No варианта: 0
Тип светодиода: АЛ102В
Напряжение питания Uпит, В: 5
Номинал ограничительного сопротивления, Ом: 510

Дополнительная информация

Зачет без замечаний!
Дата сдачи: февраль 2017 г.
Помогу с другим вариантом.

Выполняю работы на заказ по следующим специальностям:
МТС, АЭС, МРМ, ПОВТиАС, ПМ, ФиК и др.
E-mail: help-sibguti@yandex.ru
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с гетероструктурой Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
User karimoverkin : 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 0 Фотодиод на основе р-n перехода Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр. Исходные данные Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
User Dctjnkbxyj789 : 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 9 Фоторезистор Решение: Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра. В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
User nvm1604 : 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант 4. Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
User lebed-e-va : 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
User ART1800 : 8 мая 2013
150 руб.
Контрольная работа по предмету "Устройство оптоэлектроники", Вариант 04.
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Тип фотоприемника – лавинный фотодиод. Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувстви-тельность приемника. Исходные данные для решения задачи: Тип ПП материала - Ge; Квантовая эффективность, η = 0,2; Ширина запрещенной зоны ΔW = 0,6 эВ. Задача No 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного по
User PiterBlood : 28 декабря 2014
200 руб.
Контрольная работа по предмету "Устройство оптоэлектроники", Вариант 04.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 30
Номер варианта для решения первой и третьей задач должен соответствовать последней цифре Вашего пароля, номер варианта при решении второй и четвертой задач должен соответствовать предпоследней цифре вашего пароля. Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Последняя цифра пароля: 0 Тип фотоприемника (ФП): Фотодиод на основе p-n-перехода Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэ
User Учеба "Под ключ" : 4 сентября 2022
600 руб.
promo
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 07
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1 – Исходные данные № варианта: 7 Тип фотоприемника: Фототранзистор Задача №2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2. № варианта: 0 Тип ПП материала: Ge Кван
User SibGOODy : 14 сентября 2018
400 руб.
promo
Реконструкция участка на ОАО «МИЧУРИНСКАГРОСНАБ-СЕРВИС». Конструкторская часть: "Мостовой кран"
Содержание Введение 1 АНАЛИЗ ПРОИЗВОДСТВЕННОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ ПК ОАО «МИЧУРИНСКАГРОСНАБСЕРВИС» 1.1 Общая характеристика предприятия 1.2 Климатические условия и место расположение предприятия 1.3 Краткая характеристика деятельности предприятия 1.4 Технико-экономические показатели предприятия 1.5 Расположение основных цехов, зданий, сооружений 1.6 Выводы 2 ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС ОБКАТКИ ДВИГАТЕЛЯ Д-144 2.1 Общие сведения 2.2 Ин
User Рики-Тики-Та : 2 января 2018
330 руб.
Основные методы формирования уровня цен
1. Затратные и параметрические методы определения цен В практике ценообразования используются различные методы определения соответствия между стоимостью и ценами. Среди этих методов следует назвать такие, как затратные, параметрические и нормативно-параметрические. Затратные методы определения цен. При определении стоимости товара главная задача - выявление количества общественно необходимого труда, воплощенного в товаре, т. е. учет затрат труда. Если цена отражает стоимость товара, ее уровен
User Elfa254 : 10 сентября 2013
Проектирование основания и фундаментов каркаса одноэтажного промышленного здания
Содержание. Задание на курсовой проект. Введение. Обработка физических характеристик грунтов и определение классифика- ционных, прочностных и деформационных показателей грунтов. Геологический разрез площадки. Определение глубины заложения фундамента. Определение нагрузок, действующих на основание и фундамент. Определение размеров подошвы фундамента. Расчет осадок отдельно стоящего фундамента методом. послойного суммирования. Расчет осадок с учетом взаимного влияния фундаментов. Расчет несущей сп
User GnobYTEL : 6 ноября 2015
111 руб.
Направляющие системы электросвязи. Лабораторная работа №1.Вариант №8
Исследование собственных и дополнительных затуханий в оптических кабелях связи 1. Собственное затухание из-за поглощения энергии в материале 2. Собственное затухание из-за релеевского рассеяния в материале 3. Зависимость собственного затухания от длины волны. 4. Дополнительное затухание из-за различных числовых апертур ОВ 5. Дополнительное затухание из-за различия диаметров сердцевин ОВ. 6. Дополнительное затухание из-за углового смещения ОВ. 7. Дополнительное затухание из-з
User aleksei84 : 16 июня 2013
75 руб.
up Наверх