Разработка интегрального аналогового устройства
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Исходные данные:
1. Напряжение источника питания - Uпит = +15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению - Кu = 13.
3. Входное сопротивление - Rвх = 2,7 МОм.
4. Сопротивление нагрузки - Rн = 2 кОм.
5. Номинальное входное напряжение - Uном = 3 В.
6. Нижняя рабочая частота (НРЧ) - fн = 300 Гц.
7. Верхняя рабочая частота (ВРЧ) - fв = 3,4 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на НРЧ - Мн =3 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на ВРЧ - Мв =3 дБ.
10. Тип входа - Н.
11. Тип выхода - С.
1. Напряжение источника питания - Uпит = +15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению - Кu = 13.
3. Входное сопротивление - Rвх = 2,7 МОм.
4. Сопротивление нагрузки - Rн = 2 кОм.
5. Номинальное входное напряжение - Uном = 3 В.
6. Нижняя рабочая частота (НРЧ) - fн = 300 Гц.
7. Верхняя рабочая частота (ВРЧ) - fв = 3,4 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на НРЧ - Мн =3 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на ВРЧ - Мв =3 дБ.
10. Тип входа - Н.
11. Тип выхода - С.
Дополнительная информация
оценка - отлично
Похожие материалы
Разработка интегрального аналогового устройства
Mikhasolodovnik
: 11 февраля 2019
Вариант №10;
По указанию преподавателя напряжение питание принимаю равным 10В, так как это максимально допустимое напряжение для полевого транзистора 2П201А.
UПИТ = -10 В;
Коэффициент усиления по напряжению KU = 8 раз;
Входное сопротивление RВХ = 0,33 МОм;
Сопротивление нагрузки RН = 2 кОм;
Номинальное напряжение UНОМ = 2 В;
Нижняя рабочая частота FН = 50 Гц;
Верхняя рабочая частота FВ = 10 кГц;
Коэффициент частотных искажений на нижней частоте MН = 1 дБ;
Коэффициент частотных искажений на верх
1000 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Adam
: 26 сентября 2017
Введение 4
1. Разработка структурной схемы 7
2. Разработка принципиальной схемы 8
3. Разработка интегральной микросхемы 10
3.1 Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов 10
4. Расчёт первого каскада на VT1 13
5. Расчёт ёмкостей СР1, СК, СР2, СР3. 14
6. Расчет АЧХ. 15
7. Выбор навесных элементов и расчёт конфигурации плёночных элементов 16
8. Этапы изготовления ГИМС 21
Литература 24
300 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Dctjnkbxyj789
: 16 января 2016
Исходные данные курсовой работы:
Напряжение источника питания U_пит=-12 В;
Коэффициент усиления по напряжению K_u=8;
Входное сопротивление R_вх=0,33 МОм;
Сопротивление нагрузки R_Н=2кОм;
Номинальное выходное напряжение U_ном=2 В;
Нижняя рабочая частота f_н=50 Гц;
Верхняя рабочая частота f_в=10 кГц;
Частотные искажения (НЧ) М_н=1 дБ;
Частотные искажения (ВЧ) М_в=1 дБ;
Тип входа – несимметричный;
Тип выхода – несимметричный.
100 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
nik5590585
: 22 января 2015
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС).
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ варианта 02
1. Напряжение источника питания UПИТ = + 9 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению: Кu = 6.
3. Входное сопротивление: RВХ = 5,1 МОм.
4. Выходное сопротивление: RН = 1,0 кОм.
5. Выходное номинальное напряжение UНОМ = 1 В.
6. Нижняя рабочая частота: fН = 50 Гц.
7. Верхняя рабочая частота: FВ
360 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Amor
: 10 июня 2013
Содержание
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
150 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
paandreevna
: 28 февраля 2012
Содержание
Техническое задание………………………………………………………………….2
Введение………………………………………………………………………………3
1.Разработка структурной схемы……………………………………………………5
2.Разработка принципиальной схемы………………………………………………6
2.1 Электрический расчет…………………………………………………………….7
2.2. Расчет элементов определяющих АЧХ………………………………………..11
3.Разработка интегральной схемы………………………………………………….15
4.Этапы изготовления ГИМС……………………………………………………….18
Заключение…………………………………………………………………………..20
Литература…………………………………………………………………………...2
50 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
paandreevna
: 28 февраля 2012
Курсовая работа сдана на "4"
Вариант 06
Содержание:
Техническое задание……………………………………………………
Введение……………………………………………………………….....
1. Разработка структурной схемы……………………………………
2. Разработка принципиальной схемы....…………………………….
3. Разработка интегральной микросхемы…………………………...
3.1. Электрический расчет……………………………………………..
3.2. Расчёт элементов определяющие АЧХ………………………...
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………...
5 Этапы изготовления устройства в виде гибридной
Интегральной микросхемы……
50 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
levis434
: 17 января 2012
Содержание
Техническое задание………………………………………………………………......3
Введение…………………………………………………………………………………4
1. Разработка структурной схемы…………………………………………..4
2. Разработка принципиальной схемы………………………………………6
3. Разработка интегральной микросхемы…………………………………13
3.1 Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов………………………………………………………………….................13
3.2 Разработка топологии…………….………………………………………….14
3.3 Этапы изготовления устройства в виде гибридной интегральной м
50 руб.
Другие работы
Блок подготовки паливного и пускового газа-Схема функциональная-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
lelya.nakonechnyy.92@mail.ru
: 18 мая 2018
Блок подготовки паливного и пускового газа-Схема функциональная-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
368 руб.
Сравнительный анализ руководства и лидерства в организации
alfFRED
: 28 марта 2014
Введение………………………………………………………………………….4
Глава 1. Теоретические аспекты лидерства и руководства
1.1 Понятие лидерство и его сущность……………………………………..6
1.2 Понятие руководства и его сущность………………………………….13
1.3 Сравнительный анализ лидерства и руководства……………………..26
Глава 2. Практические аспекты лидерства и руководства в организации
2.1Общая характеристика туристической фирмы «Планета» как субъекта
экономической деятельности……………………………………….…….…31
2.2 Анализ типа управления организацией на примере т
10 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
freelancer
: 22 апреля 2016
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1
Таблица компоновки билетов
Тестовые вопросы Задача
Вариант No 24 11 13 33 41 60 2.10
Вопрос No 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во
70 руб.
Основы построения телекоммуникационных систем и сетей. Вариант №57
9236065198
: 10 сентября 2010
Задача 1. Определить мощность ТВ радиопередатчика, обеспечивающего требуемое значение напряженности эл.магнитного поля в пределах заданной площади, имеющей форму круга, находящегося в пределах зоны прямой видимости при условии, что ТВ вещание ведется в N радиоканале с оценкой качества воспроизводимых ТВ изображений, высота передающей антенны....
Задача 2. Для цифровой системы передачи ТВ сигнала с информационным сжатием определить скорость цифрового потока С при условии, что ТВ изображение харак
100 руб.