Лабораторная работа № 6.8 по дисциплине: Физика (часть 2-я). Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант №10

Цена:
240 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 16C390D1-AC97-47D4-BE66-91FB1F83886C.docx
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Вариант No10
Сила тока, мА = 10

Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.

1. Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.

4. Задание
1. Установить силу тока через образец в соответствии с вариантом. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
2. Изменяйте температуру образца от 250С до 800С через 50С, каждый раз записывая напряжение на образце. 3. Полученные данные занесите в таблицу в отчете по лабораторной работе.
3. Вычислить по формуле (10) электропроводности образца при всех температурах. Прологарифмировать полученные значения электропроводности.
4. Вычислите абсолютные температуры образца Т= t+273, К. Все данные занесите в таблицу измерений.
5. Построить график зависимости lns от 1/ Т.
6. На графике выбрать две точки в диапазоне температур от 400С до 800С. Определить для этих точек по графику величины lns и 1/ T и вычислить по формуле (8) ширину запрещенной зоны полупроводника.

6. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln(σ) от 1/Т?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.

Дополнительная информация

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (часть 2)
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 15.03.2017
Рецензия:Уважаемый , Ваша лабораторная работа # 4 проверена. Экспериментальный результат правильный. В ответах на контрольные вопросы ошибки не найдены.

Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович

Помогу с выполнением других работ и дисциплин.
E-mail: sneroy20@gmail.com
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Вариант 09 Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
User Саша78 : 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.
Безнапорное движение жидкости в пористой среде
Безнапорное движение - это такое движение, в котором пьезометрическая поверхность совпадает со свободной поверхностью самой жидкости, над которой имеет место постоянное давление. При фильтрации через плотины, водопонижения и т.д. гидротехникам приходится часто сталкиваться с безнапорным движением грунтового потока. Значительно чаще встречаются фильтрационные потоки, иногда называемые полу напорными, когда на одних участках движение напорное, на других безнапорное. Теоретическим
User Jon888 : 20 октября 2013
3000 руб.
Установка насосная УН1Т-100х200-Плакат-Картинка-Фотография-Чертеж-Оборудование для капитального ремонта, обработки пласта, бурения и цементирования нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа-Машины и оборудование нефтяных и газовых промыс
Установка насосная УН1Т-100х200-Плакат-Картинка-Фотография-Чертеж-Оборудование для капитального ремонта, обработки пласта, бурения и цементирования нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа-Машины и оборудование нефтяных и газовых промыслов-Технологические машины и оборудование-Формат Picture-Jpeg
User leha.nakonechnyy.92@mail.ru : 20 декабря 2017
186 руб.
Установка насосная УН1Т-100х200-Плакат-Картинка-Фотография-Чертеж-Оборудование для капитального ремонта, обработки пласта, бурения и цементирования нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа-Машины и оборудование нефтяных и газовых промыс
Микропроцессор Z80 его структура и система команд
Архитектура микропроцессора Z-80 Архитектура микропроцессора Z-80 фирмы ZILOG основывается на архитектурных принципах микропроцессора 8080 и позволяет выполнять все 78 команд этого микропроцессора, а также 80 дополнительных команд. Всего микропроцессор Z-80 имеет 696 кодов операций (в отличие от 244 кодов микропроцессора 8080). К числу особенностей микропроцессора Z-80 относятся: использование для питания лишь одного источника напряжением “+5В”, наличие однофазного внешнего синхрогенератора, 17
User alfFRED : 21 октября 2012
20 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Основы оптической связи. Вариант 08
1. Основы физической и квантовой оптики 1. Почему применяют диапазона волн 0,4 – 1,8мкм в технике оптической связи? 2. Объяснить связь энергии фотона и длины волны излучения. 3. Объяснить законы, являющиеся основой геометрической оптики. 4. В чём физический смысл показателя преломления? 5. Почему поляризуются электромагнитные волны? 6. Что является результатом интерференции волн? 7. Перечислить оптические приборы техники связи, которые строятся на основе интерференции. 8. Как устроена дифракцио
User xtrail : 27 июля 2024
1300 руб.
promo
up Наверх