Задача №1 из контрольной работы №1 (вариант 10)
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Контрольная работа 1
Вариант 10
Задача 1
Стабилизация напряжения.
1. Выберите диод, выполняющий заданную функцию. При выборе диода учтите дополнительное условие выбора: Величина ICТ max=53 мА.
2. Расшифруйте маркировку выбранного диода.
3. Перечертите его характеристику и определите по ней заданные параметры; укажите их физический смысл.
4. Начертите схему включения диода и кратко опишите принцип ее работы.
Решение:
1. Выбираем диод КС515А.
2.
1 элемент К – кремниевый
2 элемент С – стабилитрон
3 элемент 1 – малой мощности
15 – UCТ=15 В
Б – разновидность.
3.
- напряжение стабилизации стабилитрона.
- дифференциальное сопротивление стабилитрона.
Ом
4.
Схема включения стабилитрона.
Нагрузка Rн включена параллельно стабилитрону, поэтому напряжение на ней соответствует напряжению стабилитрона.
Ограничительный резистор Rогр ограничивает ток в схеме, который не должен превышать ICТ max.
Вариант 10
Задача 1
Стабилизация напряжения.
1. Выберите диод, выполняющий заданную функцию. При выборе диода учтите дополнительное условие выбора: Величина ICТ max=53 мА.
2. Расшифруйте маркировку выбранного диода.
3. Перечертите его характеристику и определите по ней заданные параметры; укажите их физический смысл.
4. Начертите схему включения диода и кратко опишите принцип ее работы.
Решение:
1. Выбираем диод КС515А.
2.
1 элемент К – кремниевый
2 элемент С – стабилитрон
3 элемент 1 – малой мощности
15 – UCТ=15 В
Б – разновидность.
3.
- напряжение стабилизации стабилитрона.
- дифференциальное сопротивление стабилитрона.
Ом
4.
Схема включения стабилитрона.
Нагрузка Rн включена параллельно стабилитрону, поэтому напряжение на ней соответствует напряжению стабилитрона.
Ограничительный резистор Rогр ограничивает ток в схеме, который не должен превышать ICТ max.
Похожие материалы
Задача №1 из контрольной работы №1 (вариант 4)
ilya01071980
: 2 сентября 2017
Решение:
1. Выбираем диод 2Д213А, так как у него максимальная величина
Iпр max=10 A и Uобр max=200 В, где Iпр max – максимальное значение прямого тока, а Uобр max – максимальное значение обратного напряжения.
2.
1 элемент 2 – кремниевый
2 элемент Д – выпрямительный диод
3 элемент 2 – большой мощности
13 – порядковый номер разработки
А – классификация.
3. По вольт-амперной характеристике определим следующие пара-метры:
Uпр=1 В, Iпр=9 мА, Uобр=1 В, Iобр=0.5 мкА, U=0.2 В,
50 руб.
Задача №1 из контрольной работы №1 (вариант 9)
ilya01071980
: 28 августа 2017
Контрольная работа 1
Вариант 9
Задача 1
Стабилизация напряжения.
1. Выберите диод, выполняющий заданную функцию. При выборе диода учтите дополнительное условие выбора: Величина ICТ max=53 мА.
2. Расшифруйте маркировку выбранного диода.
3. Перечертите его характеристику и определите по ней заданные параметры; укажите их физический смысл.
4. Начертите схему включения диода и кратко опишите принцип ее работы.
Решение:
1. Выбираем диод 2Д213А, так как у него максимальная величина
Iпр max=10
50 руб.
Задача №1 из контрольной работы №1 (вариант 5)
ilya01071980
: 25 августа 2017
Контрольная работа 1
Вариант 5
Задача 1
Подстройка резонансной частоты колебательного контура.
1. Выберите диод, выполняющий заданную функцию. При выборе диода учтите дополнительное условие выбора: максимальная величина Cmax.
2. Расшифруйте маркировку выбранного диода.
3. Перечертите его характеристику и определите по ней заданные параметры; укажите их физический смысл.
4. Начертите схему включения диода и кратко опишите принцип ее работы.
50 руб.
Задача №1 из контрольной работы №1 по дисциплине Электродинамика и РРВ
ilya01071980
: 17 июня 2016
Задача No1
Вариант No10
Плоская гармоническая, линейно поляризованная электромагнитная волна частотой f и начальной амплитудой электрического поля Em = 1 В/м распространяется в изотропной однородной среде с потерями, параметры которой: абсолютная магнитная проницаемость μа = 4π∙10-7 Гн/м, абсолютная диэлектрическая проницаемость εа и проводимость σ (табл. 1).
Необходимо определить:
1. Расстояние, при котором амплитуда поля Em уменьшается в 5 раз.
2. Расстояние, при котором набег фазы состав
100 руб.
Задача №1 из контрольной работы №2 (вариант 10)
ilya01071980
: 27 августа 2017
Контрольная работа 2
Вариант 10
Задача 1
Исходные данные:
№ Вар-та Состав структурной схемы Параметры для расчета Хар-ка Показатели
10 4КПУ, ПОК, ОК = 2,5мВ;
= 10В;
= 2,5В;
= ?
Приложение 3, рис. 28 D
К
1. Приведите структурную схему усилителя с заданными каскадами; на схеме укажите заданные напряжения.
КПУ – каскад предварительного усиления.
ОК – оконечный каскад.
ПОК – предоконечный каскад.
2. Рассчитайте указанный
50 руб.
Задача №5 из контрольной работы №1 (вариант 10)
ilya01071980
: 27 августа 2017
Контрольная работа 1
Вариант 10
Задача 5
1. Перечислите электронные приборы, служащие для отображения информации.
2. Поясните принцип действия и устройство заданного индикаторного прибора, поясните маркировку.
Решение.
1. Электронные приборы, служащие для отображения информации:
- электронно-лучевые трубки (ЭЛТ);
- знаковые газоразрядные индикаторы;
- вакуумные накаливаемые индикаторы;
- полупроводниковые индикаторы;
- жидкокристаллические индикаторы (ЖКИ).
50 руб.
Задача №4 из контрольной работы №1 (вариант 10)
ilya01071980
: 27 августа 2017
Контрольная работа 1
Вариант 10
Задача 4
1. Укажите преимущества и недостатки устройств оптоэлектроники.
2. Приведите полную техническую характеристику заданного элемента оптоэлектроники.
3. Приведите УГО заданного оптрона и укажите область применения, расшифруйте маркировку.
Решение.
1. Оптоэлектроникой называют научно-техническое направление, в котором для передачи, обработки и хранения информации используются электрические и оптоэлектрические средства и методы.
К достоинствам оптоэлектр
50 руб.
Задача №3 из контрольной работы №1 (вариант 10)
ilya01071980
: 27 августа 2017
Контрольная работа 1
Вариант 10
Задача 3
1. Начертить схему включения полевого транзистора с управляющим p-n переходом и p-каналом.
2. Приведите стоковую и стоко-затворную характеристику транзистора.
3. Приведите статические параметры полевого транзистора.
Решение.
1. ПТ с управляющим p-n переходом и p-каналом.
Схема включения полевого транзистора с управляющим p-n переходом и p-каналом.
Чтобы основные носители (в данном случае дырки) двигались к стоку, к нему (к стоку) следует пр
50 руб.
Другие работы
Сравнительная характеристика поэтического творчества М. Цветаевой и А. Ахматовой.
alfFRED
: 2 сентября 2013
Содержание
I Введение
А.А. Ахматова и М.Ц. Цветаева – лирические поэты
II Бывают странные сближенья
Соприкосновение каждой поэтессы к творчеству друг друга
III Любовь к поэтам
Влияние Пушкина на творчество поэтесс
Признание мастерства талантливых поэтов
IV Поэтический язык
Основные черты поэтического языка А.А. Ахматовы
Индивидуальный ритм М.И. Цветаевы
V Любовная лирика
«Одна мне власть – страсть моя»
Любовь – «Пятое время года»
VI Тема Родины в сердце и в стихах
VII Выво
Общая теория связи. ЭКЗАМЕН БИЛЕТ 10
89370803526
: 19 марта 2020
1. Эффективная ширина спектра случайного процесса
и ее связь с интервалом корреляции.
2. Количественная мера информации. Энтропия источника дискретных сообщений с независимыми сообщениями.
350 руб.
Предприятие на рынке ценных бумаг. Контрольная робота. Вариант №6
arinagyunter
: 13 марта 2016
1.По какой максимальной цене физическому лицу выгодно купить облигацию номиналом А руб., купонной ставкой В %, сроком обращения 1 год, если процентные ставки по банковским депозитам - С% ( без учета налогообложения)?
Показатели Номер варианта
6
А 400
В 15
С 12
2. Физическое лицо желает купить на причитающийся ему годовой доход от владения пакетом ценных бумаг акции компании Х курсовой стоимостью А руб. Сколько таких акций он может купить (с учетом налогообложения), если пакет ценных бумаг
100 руб.
Расчетно-графическое задание по дисциплине «Архитектура Вычислительных Систем» Вариант № 35
ДО Сибгути
: 8 февраля 2013
1. Оценить возможности ЭВМ с SISD-архитектурой. Привести пример использования SISD-архитектуры в суперВС.
2. Построить блок-схему p-алгоритма умножения матриц:
H[1:K,1:M], B[1:N,1:K]
обеспечивающего распределение элементов результирующей матрицы по горизонтальным полосам в элементарных машинах ВС.
3. Отыскать максимум коэффициента накладных расходов при реализации р-алгоритма на вычислительной системе, имеющей следующие параметры:
разрядность l = 32
полосу пропускания канала между машинами v
100 руб.