Лабораторная работа №6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». 3 семестр. Физика. ДО СибГУТИ.

Цена:
200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Лабораторная работа №4 по физике.docx
material.view.file_icon Отчёт.bmp
material.view.file_icon Лабораторная работа №4 по физике.doc
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word
  • Программа для просмотра изображений

Описание

1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а
.........

3. Описание лабораторной установки

Схема лабораторной установки приведена на рис.1.

Сила тока источника (1) не зависит от сопротивления нагрузки. Нагрузкой источника является образец (2). Сила тока, протекающего через образец, регистрируется миллиамперметром (3), а напряжение на образце измеряется при помощи вольтметра (4). Образец ...............

4. Выполнение задания
Установим силу тока 10 мА (рис. 2)

Рис.2
Изменяя температуру образца от 250С до 800С через 50С, измеряем напряжение на образце (рис. 3)

Рис. 3
...........

{много формул и вычислений, смотреть на картинках} :)

Вывод: В данной лабораторной работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили..........

5. Контрольные вопросы

1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Ответ:
Электропроводность σ материалов определяется выражением:

где и - соответственно ........

Почему для проверки температурной зависимости электропроводности
полупроводников строится график зависимости ?
Ответ:
Зависимость электропроводности ...........

Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Ответ:
Прологарифмируем формулу , получим:


Отсюда следует, что график зависимости ............

Список литературы
1. Савельев И.В. Курс общей физики т.3.- М.: Наука, 1979
2. Айзенцон А.Е. Курс физики.- М.: Высшая школа, 1996.

Дополнительная информация

Проверил: Стрельцов А. И.
Оценка:"Отлично"!
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Вариант 09 Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
User Саша78 : 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.
Онлайн тестирование по дисциплине Теория связи
Вопрос №1 У амплитудно-модулированного колебания амплитуда огибающей равна 2 В. При амплитуде немодулированной несущей 5 В коэффициент глубины модуляции равен ….. 0,2 0,5 0,4 Вопрос №2 Диодный амплитудный детектор называется линейным, если рабочий участок ВАХ аппроксимируется выражением: i= a1u + a2u2 i= a0 i= S(u - E), u>Ecm; i= 0 при u<Ecm i= a2u2 Вопрос №3 Кодирование циклического кода осуществляется путем ……. информационной последовательности на производящий полином.: Суммирования. Наложен
User Khl : 9 января 2023
444 руб.
Онлайн тестирование по дисциплине Теория связи
Контрольная работа по дисциплине: Структуры и алгоритмы обработки данных (часть 1). Помогу с решением по вашим ФИО!
Могу помочь с выполнение контрольной работы по ФИО, пишите - ego178@mail.ru Задания для контрольной работы одинаковы для всех студентов. Начальные данные выбираются индивидуально в зависимости от задания в контрольной работе. 1. Для набора из 12 символов ФИО студента выполнить вручную сортировку методом прямого выбора (пример см. в лекциях, раздел 2.1). Определить количество необходимых сравнений и перестановок. 2. Для набора из 12 символов ФИО студента выполнить вручную шейкерную с
User IT-STUDHELP : 2 октября 2023
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Структуры и алгоритмы обработки данных (часть 1). Помогу с решением по вашим ФИО! promo
Активное администрирование приложений в Microsoft SQL Server 6.0
Особенности технологии клиент – сервер. Архитектура клиент – сервер. Microsoft SQL Server 6.0. Активное администрирование и объектный интерфейс SQL Server 6.0. Введение в Microsoft SQL Server. О Руководстве Администратора. Поиск Дополнительной Информации. Работа в Microsoft SQL Server. Системные Устройства и Базы Данных. Основная База Данных. База Данных model. База Данных msdb. База Данных tempdb. База Данных pubs. Системные Таблицы. Разрешения для Системных Таблиц. Запросы Системных Таблиц. Си
User evelin : 11 апреля 2015
30 руб.
ЭВМ и переферийные устройства. Курсовая работа. Вариант №8
Вариант задания определяется по последней цифре пароля студента (аналога номера студенческого билета или зачетной книжки). Разработать и отладить программу на языке Ассемблера, которая выполняет следующие задачи: а) Вычисляет выражение в соответствии с заданным вариантом математическое выражение (табл. 1) и для значений X от 0 до 10 и сохраняет в массив. б) Распечатывает на экране полученный в пункте а) массив в формате в соответствии с вариантом (таблица 2) в) Осуществляет операцию по обра
User Cherebas : 1 июля 2013
250 руб.
up Наверх