Лабораторная работа №6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». 3 семестр. Физика. ДО СибГУТИ.

Цена:
200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Лабораторная работа №4 по физике.docx
material.view.file_icon Отчёт.bmp
material.view.file_icon Лабораторная работа №4 по физике.doc
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word
  • Программа для просмотра изображений

Описание

1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а
.........

3. Описание лабораторной установки

Схема лабораторной установки приведена на рис.1.

Сила тока источника (1) не зависит от сопротивления нагрузки. Нагрузкой источника является образец (2). Сила тока, протекающего через образец, регистрируется миллиамперметром (3), а напряжение на образце измеряется при помощи вольтметра (4). Образец ...............

4. Выполнение задания
Установим силу тока 10 мА (рис. 2)

Рис.2
Изменяя температуру образца от 250С до 800С через 50С, измеряем напряжение на образце (рис. 3)

Рис. 3
...........

{много формул и вычислений, смотреть на картинках} :)

Вывод: В данной лабораторной работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили..........

5. Контрольные вопросы

1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Ответ:
Электропроводность σ материалов определяется выражением:

где и - соответственно ........

Почему для проверки температурной зависимости электропроводности
полупроводников строится график зависимости ?
Ответ:
Зависимость электропроводности ...........

Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Ответ:
Прологарифмируем формулу , получим:


Отсюда следует, что график зависимости ............

Список литературы
1. Савельев И.В. Курс общей физики т.3.- М.: Наука, 1979
2. Айзенцон А.Е. Курс физики.- М.: Высшая школа, 1996.

Дополнительная информация

Проверил: Стрельцов А. И.
Оценка:"Отлично"!
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Вариант 09 Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
User Саша78 : 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.
Физика. Контрольная работа №3. Вариант №4
Колебания и волны 504. Материальная точка совершает простые гармонические колебания, так, что в начальный момент времени смещение Хо=4 см, а скорость u0=10 см/с. Определить амплитуду А и начальную фазу ф0 колебаний, если их период Т=2 c. 514. Гармонические колебания в электрическом контуре начались (t= 0) при максимальном напряжении на конденсаторе Um=15 B и токе, равном нулю на частоте v =0,5 МГц. Электроемкость конденсатора С=10 нФ. Записать уравнение колебаний тока в контуре. 524. Точка со
User zhekaersh : 20 марта 2015
120 руб.
Физика. Контрольная работа №3. Вариант №4
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 1). Контрольная работа №3. Вариант 08
Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа К, в результате чего в цепи возникает переходной процесс. 1. Перерисуйте схему цепи (см. рис. 3.1) для Вашего варианта (таблица 1). 2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 2). 3. Рассчитайте все токи и напряжение на С или L в три момента времени t: , , ¥. 4. Рассчитайте классическим методом переход
User kulin3012 : 13 января 2019
350 руб.
Отчет по производственной практике в слесарном цехе автосалона Mitsubishi г. Вологда
Содержание Введение Содержание технологического процесса на предприятии Планировка и эскиз участка со спецификацией оборудования Организация рабочего места Формы организации труда на участке Охрана труда Система оплаты труда на предприятии Работа служб и отделов Заключение
User Aronitue9 : 7 декабря 2014
30 руб.
Контрольная работа №4 по дисциплине: Физика. Вариант №10
Квантовая оптика 710. На расстоянии 70 см от фотоэлемента помещена лампа силой света 240 Кд. Определить полный световой поток лампы и силу тока, которую покажет гальванометр, присоединенный к фотоэлементу, если рабочая поверхность его равна 10 см2, а чувствительность 280 мкА/лм? Дано: r=70 см=0,7 м. I=240 Кд S=10 см2=10-3 м2 k=280 мкА/лм Найти: Ф - ? Iф - ? 720. Средняя энергетическая светимость R поверхности Земли равна 0,54 Дж/(см2мин). Какова должна быть температура Т поверхности Земли, есл
User Jack : 17 сентября 2013
400 руб.
up Наверх