Лабораторная работа №6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». 3 семестр. Физика. ДО СибГУТИ.

Цена:
200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Лабораторная работа №4 по физике.docx
material.view.file_icon Отчёт.bmp
material.view.file_icon Лабораторная работа №4 по физике.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word
  • Программа для просмотра изображений

Описание

1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а
.........

3. Описание лабораторной установки

Схема лабораторной установки приведена на рис.1.

Сила тока источника (1) не зависит от сопротивления нагрузки. Нагрузкой источника является образец (2). Сила тока, протекающего через образец, регистрируется миллиамперметром (3), а напряжение на образце измеряется при помощи вольтметра (4). Образец ...............

4. Выполнение задания
Установим силу тока 10 мА (рис. 2)

Рис.2
Изменяя температуру образца от 250С до 800С через 50С, измеряем напряжение на образце (рис. 3)

Рис. 3
...........

{много формул и вычислений, смотреть на картинках} :)

Вывод: В данной лабораторной работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили..........

5. Контрольные вопросы

1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Ответ:
Электропроводность σ материалов определяется выражением:

где и - соответственно ........

Почему для проверки температурной зависимости электропроводности
полупроводников строится график зависимости ?
Ответ:
Зависимость электропроводности ...........

Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Ответ:
Прологарифмируем формулу , получим:


Отсюда следует, что график зависимости ............

Список литературы
1. Савельев И.В. Курс общей физики т.3.- М.: Наука, 1979
2. Айзенцон А.Е. Курс физики.- М.: Высшая школа, 1996.

Дополнительная информация

Проверил: Стрельцов А. И.
Оценка:"Отлично"!
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Вариант 09 Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
User Саша78 : 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.
Тесты и ответы по металловедению
Эвтектоид стали представляет собой смесь… железа и цементита. феррита и аустенита. аустенита и перлита. + феррита и цементита. 2 Диаграммы состояния двухкомпонентных систем строят в координатах… + температура – состав. время – состав. скорость охлаждения – состав. температура – время. 3 Наибольшую теплостойкость имеют пластмассы на основе… полистирола. полиамидов. полиэтилена. + кремнийорганических полимеров. 4 При среднем отпуске углеродистых сталей мартенсит превращается в … + троостит отпуск
User Lokard : 21 апреля 2013
5 руб.
Как использование опционного контракта позволяет снизить налоговую нагрузку?
Бытует мнение, что опционные сделки касаются исключительно операций с ценными бумагами. Однако это не так. Опционный контракт может быть заключен любой компанией с любым контрагентом при приобретении или реализации любого товара, работы или услуги. Его использование позволяет группе дружественных компаний снизить налоговую нагрузку. Причем – сравнительно безопасно. Под опционом Налоговый кодекс понимает сделку, в которой одна сторона (покупатель опциона) приобретает у другой стороны (продавца о
User Elfa254 : 19 декабря 2013
15 руб.
Чертежи ВАЗ-2110
Данные чертежи выполнены в программе AutoCAD 1-й чертеж- продольный разрез двигателя ВАЗ-2110 2-й чертеж = поперечный разрез двигателя ВАЗ- 2110 3-й чертеж - спецификация, т. е. наименование деталей по порядку начиная с корпуса. Масштаб чертежей 1:1 Данные чертежи засчитаны на дипломной работе специалиста по специальности двигатель внутреннего сгорания в ХНАЛУ в 2009 году Двигатель ВАЗ-2110 16 клапанный с распределенным впрыском. С искровым зажиганием
User smaksmay : 12 апреля 2010
Проектирование теплообменного аппарата с рубашкой
В ходе проектирования была разработан аппарат, с требуемыми техническим заданием характеристиками. В пояснительной записке приведены механические расчёты, подтверждающие работоспособность проектируемого сосуда. Выполнены следующие разделы: Назначение и область применения аппарата; Выбор материалов для изготовления узлов аппарата; Расчетные параметры ТА; Толщина стенок; Укрепление отверстия; Фланцевое соединение корпуса с крышкой; Теплообменная рубашка; Определение оптимальных размеров корпуса ап
User 1000000 : 25 ноября 2024
400 руб.
up Наверх