Лабораторная работа №6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». 3 семестр. Физика. ДО СибГУТИ.
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
- Программа для просмотра изображений
Описание
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а
.........
3. Описание лабораторной установки
Схема лабораторной установки приведена на рис.1.
Сила тока источника (1) не зависит от сопротивления нагрузки. Нагрузкой источника является образец (2). Сила тока, протекающего через образец, регистрируется миллиамперметром (3), а напряжение на образце измеряется при помощи вольтметра (4). Образец ...............
4. Выполнение задания
Установим силу тока 10 мА (рис. 2)
Рис.2
Изменяя температуру образца от 250С до 800С через 50С, измеряем напряжение на образце (рис. 3)
Рис. 3
...........
{много формул и вычислений, смотреть на картинках} :)
Вывод: В данной лабораторной работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили..........
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Ответ:
Электропроводность σ материалов определяется выражением:
где и - соответственно ........
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности
полупроводников строится график зависимости ?
Ответ:
Зависимость электропроводности ...........
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Ответ:
Прологарифмируем формулу , получим:
Отсюда следует, что график зависимости ............
Список литературы
1. Савельев И.В. Курс общей физики т.3.- М.: Наука, 1979
2. Айзенцон А.Е. Курс физики.- М.: Высшая школа, 1996.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а
.........
3. Описание лабораторной установки
Схема лабораторной установки приведена на рис.1.
Сила тока источника (1) не зависит от сопротивления нагрузки. Нагрузкой источника является образец (2). Сила тока, протекающего через образец, регистрируется миллиамперметром (3), а напряжение на образце измеряется при помощи вольтметра (4). Образец ...............
4. Выполнение задания
Установим силу тока 10 мА (рис. 2)
Рис.2
Изменяя температуру образца от 250С до 800С через 50С, измеряем напряжение на образце (рис. 3)
Рис. 3
...........
{много формул и вычислений, смотреть на картинках} :)
Вывод: В данной лабораторной работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили..........
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Ответ:
Электропроводность σ материалов определяется выражением:
где и - соответственно ........
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности
полупроводников строится график зависимости ?
Ответ:
Зависимость электропроводности ...........
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Ответ:
Прологарифмируем формулу , получим:
Отсюда следует, что график зависимости ............
Список литературы
1. Савельев И.В. Курс общей физики т.3.- М.: Наука, 1979
2. Айзенцон А.Е. Курс физики.- М.: Высшая школа, 1996.
Дополнительная информация
Проверил: Стрельцов А. И.
Оценка:"Отлично"!
Оценка:"Отлично"!
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
30 руб.
Другие работы
Онлайн тестирование по дисциплине Теория связи
Khl
: 9 января 2023
Вопрос №1
У амплитудно-модулированного колебания амплитуда огибающей равна 2 В. При амплитуде немодулированной несущей 5 В коэффициент глубины модуляции равен …..
0,2
0,5
0,4
Вопрос №2
Диодный амплитудный детектор называется линейным, если рабочий участок ВАХ аппроксимируется выражением:
i= a1u + a2u2
i= a0
i= S(u - E), u>Ecm; i= 0 при u<Ecm
i= a2u2
Вопрос №3
Кодирование циклического кода осуществляется путем ……. информационной последовательности на производящий полином.:
Суммирования.
Наложен
444 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Структуры и алгоритмы обработки данных (часть 1). Помогу с решением по вашим ФИО!
IT-STUDHELP
: 2 октября 2023
Могу помочь с выполнение контрольной работы по ФИО, пишите - ego178@mail.ru
Задания для контрольной работы одинаковы для всех студентов. Начальные данные выбираются индивидуально в зависимости от задания в контрольной работе.
1. Для набора из 12 символов ФИО студента выполнить вручную сортировку методом прямого выбора (пример см. в лекциях, раздел 2.1). Определить количество необходимых сравнений и перестановок.
2. Для набора из 12 символов ФИО студента выполнить вручную шейкерную с
100 руб.
Активное администрирование приложений в Microsoft SQL Server 6.0
evelin
: 11 апреля 2015
Особенности технологии клиент – сервер.
Архитектура клиент – сервер.
Microsoft SQL Server 6.0.
Активное администрирование и объектный интерфейс SQL Server 6.0.
Введение в Microsoft SQL Server.
О Руководстве Администратора.
Поиск Дополнительной Информации.
Работа в Microsoft SQL Server.
Системные Устройства и Базы Данных.
Основная База Данных.
База Данных model.
База Данных msdb.
База Данных tempdb.
База Данных pubs.
Системные Таблицы.
Разрешения для Системных Таблиц.
Запросы Системных Таблиц.
Си
30 руб.
ЭВМ и переферийные устройства. Курсовая работа. Вариант №8
Cherebas
: 1 июля 2013
Вариант задания определяется по последней цифре пароля студента (аналога номера студенческого билета или зачетной книжки).
Разработать и отладить программу на языке Ассемблера, которая выполняет следующие задачи:
а) Вычисляет выражение в соответствии с заданным вариантом математическое выражение (табл. 1) и для значений X от 0 до 10 и сохраняет в массив.
б) Распечатывает на экране полученный в пункте а) массив в формате в соответствии с вариантом (таблица 2)
в) Осуществляет операцию по обра
250 руб.