Лабораторная работа №6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». 3 семестр. Физика. ДО СибГУТИ.

Цена:
200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Лабораторная работа №4 по физике.docx
material.view.file_icon Отчёт.bmp
material.view.file_icon Лабораторная работа №4 по физике.doc
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word
  • Программа для просмотра изображений

Описание

1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а
.........

3. Описание лабораторной установки

Схема лабораторной установки приведена на рис.1.

Сила тока источника (1) не зависит от сопротивления нагрузки. Нагрузкой источника является образец (2). Сила тока, протекающего через образец, регистрируется миллиамперметром (3), а напряжение на образце измеряется при помощи вольтметра (4). Образец ...............

4. Выполнение задания
Установим силу тока 10 мА (рис. 2)

Рис.2
Изменяя температуру образца от 250С до 800С через 50С, измеряем напряжение на образце (рис. 3)

Рис. 3
...........

{много формул и вычислений, смотреть на картинках} :)

Вывод: В данной лабораторной работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили..........

5. Контрольные вопросы

1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Ответ:
Электропроводность σ материалов определяется выражением:

где и - соответственно ........

Почему для проверки температурной зависимости электропроводности
полупроводников строится график зависимости ?
Ответ:
Зависимость электропроводности ...........

Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Ответ:
Прологарифмируем формулу , получим:


Отсюда следует, что график зависимости ............

Список литературы
1. Савельев И.В. Курс общей физики т.3.- М.: Наука, 1979
2. Айзенцон А.Е. Курс физики.- М.: Высшая школа, 1996.

Дополнительная информация

Проверил: Стрельцов А. И.
Оценка:"Отлично"!
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Вариант 09 Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
User Саша78 : 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.
Схема циркуляции бурового раствора, Схема комплекса оборудования циркуляционной системы буровой, Сито вибрационное ВС-1, ПАТЕНТНО - ИНФОРМАЦИОННЫЙ ОБЗОР-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
Схема циркуляции бурового раствора, Схема комплекса оборудования циркуляционной системы буровой, Сито вибрационное ВС-1, ПАТЕНТНО - ИНФОРМАЦИОННЫЙ ОБЗОР-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
796 руб.
Схема циркуляции бурового раствора, Схема комплекса оборудования циркуляционной системы буровой, Сито вибрационное ВС-1, ПАТЕНТНО - ИНФОРМАЦИОННЫЙ ОБЗОР-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
Лабораторная работа №4 по дисциплине: Методы и средства защиты компьютерной информации.
Задание Разработать программы для генерации и проверки подписей по ГОСТ Р34.10-94. Рекомендуемые значения общих открытых параметров q = 787, p = 31481, a = 1928. Остальные параметры пользователей выбрать самостоятельно. Хеш-функцию реализовать на основе блокового шифра по ГОСТ 28147-89. Рекомендации к выполнению: Сообщение брать из файла. Подпись писать в файл с таким же именем, но другим расширением (например, если сообщение в файле message.doc, то подпись помещается в файл message.doc.sign)
User xtrail : 23 октября 2013
350 руб.
Лабораторная работа 1 по дисциплине: Проектирование и эксплуатация сетей связи. Вариант 5
Задача 1: "Расчет оборудования узла мультисервисного доступа (УМСД)" Заданная структура УМСД показана на рисунке 1.1. В УМСД, состоящий из нескольких мультисервисных абонентских концентраторов (МАК), включаются: • аналоговые абонентские линии (ААЛ); • линии ADSL; • линии SHDSL; • линии PRI; • линии радиодоступа; • линии к оконечно-транзитной ЦСКк (ОТС) местной сети; • линия в направлении сети с пакетной передачей информации (IP-сети). В исходных данных для каждого типа линий доступа ука
User xtrail : 1 августа 2024
700 руб.
promo
Колесо зубчатое
Колесо зубчатое прямозубое предназначено для передачи крутящего момента от шестерни ведущей на вал. Применяется в токарно-винторезном станке. Модуль m - 2,5 Число зубьев Z - 87 Чертеж выполнен на формате А3 + 3D модель. Выполнен в Kompas-3D V16.
User kureson : 4 апреля 2020
150 руб.
Колесо зубчатое
up Наверх