Лабораторная работа №6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». 3 семестр. Физика. ДО СибГУТИ.
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
- Программа для просмотра изображений
Описание
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а
.........
3. Описание лабораторной установки
Схема лабораторной установки приведена на рис.1.
Сила тока источника (1) не зависит от сопротивления нагрузки. Нагрузкой источника является образец (2). Сила тока, протекающего через образец, регистрируется миллиамперметром (3), а напряжение на образце измеряется при помощи вольтметра (4). Образец ...............
4. Выполнение задания
Установим силу тока 10 мА (рис. 2)
Рис.2
Изменяя температуру образца от 250С до 800С через 50С, измеряем напряжение на образце (рис. 3)
Рис. 3
...........
{много формул и вычислений, смотреть на картинках} :)
Вывод: В данной лабораторной работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили..........
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Ответ:
Электропроводность σ материалов определяется выражением:
где и - соответственно ........
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности
полупроводников строится график зависимости ?
Ответ:
Зависимость электропроводности ...........
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Ответ:
Прологарифмируем формулу , получим:
Отсюда следует, что график зависимости ............
Список литературы
1. Савельев И.В. Курс общей физики т.3.- М.: Наука, 1979
2. Айзенцон А.Е. Курс физики.- М.: Высшая школа, 1996.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а
.........
3. Описание лабораторной установки
Схема лабораторной установки приведена на рис.1.
Сила тока источника (1) не зависит от сопротивления нагрузки. Нагрузкой источника является образец (2). Сила тока, протекающего через образец, регистрируется миллиамперметром (3), а напряжение на образце измеряется при помощи вольтметра (4). Образец ...............
4. Выполнение задания
Установим силу тока 10 мА (рис. 2)
Рис.2
Изменяя температуру образца от 250С до 800С через 50С, измеряем напряжение на образце (рис. 3)
Рис. 3
...........
{много формул и вычислений, смотреть на картинках} :)
Вывод: В данной лабораторной работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили..........
5. Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Ответ:
Электропроводность σ материалов определяется выражением:
где и - соответственно ........
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности
полупроводников строится график зависимости ?
Ответ:
Зависимость электропроводности ...........
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Ответ:
Прологарифмируем формулу , получим:
Отсюда следует, что график зависимости ............
Список литературы
1. Савельев И.В. Курс общей физики т.3.- М.: Наука, 1979
2. Айзенцон А.Е. Курс физики.- М.: Высшая школа, 1996.
Дополнительная информация
Проверил: Стрельцов А. И.
Оценка:"Отлично"!
Оценка:"Отлично"!
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
30 руб.
Другие работы
Пересечение призм. Вариант 5 ЧЕРТЕЖ
coolns
: 5 февраля 2026
Пересечение призм. Вариант 5 ЧЕРТЕЖ
Графическая работа №7
По двум проекциям пересекающихся призм построить третью проекцию и линии их взаимного пересечения.
Чертеж выполнен на формате А3 + 3d модель + pdf (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в КОМПАС 3D.
Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмоторщиком КОМПАС-3D Viewer.
По другим вариантам и всем вопросам пишите в Л/С.
100 руб.
Профиль функциональной межполушарной асимметрии и особенности электроэнцефалографии
alfFRED
: 18 января 2013
Пизова Н.В., – кандидат медицинских наук, ассистент кафедры неврологии и медицинской генетики с курсом нейрохирургии Ярославской государственной медицинской академии, Вербицкая Е.И., – студентка VI курса Ярославской государственной медицинской академии, Хрусталёва Т.Н., – кандидат биологических наук, доцент кафедры физиологии человека и животных Ярославского государственного педагогического университета им.К.Д.Ушинского
В последние годы существенно возрос интерес к проблеме межполушарной асиммет
Матанализ. дополнительные главы. 2-й семестр
vacaba
: 24 сентября 2014
доп главы мат анализа 2 семестр кр 2 1 вариант
1 ) Вычертить область плоскости по данным условиям:
Решение:
Чертим область сплошными линиями в случае нестрогих неравенств и пунктирными линиями в случае строгих неравенств.
2) Найти все особые точки функции, определить их характер (для полюсов указать порядок) и вычислить вычеты в них.
3. При помощи вычетов вычислить данный интеграл по контуру.
200 руб.
Автоматизация учета основных средств в банке
Elfa254
: 5 марта 2013
.Предпроектное обследование объекта автоматизации 1.Описание
предметной области решаемой задачи2.Функции предметной области реализуемой задачи3.Организационно-экономическая сущность задачи 52.Разработка информационного обеспечения задачи 1.Описание входных документов2.Описание выходных документов3.Описание систем классификации и кодирования 93.Описание технологии и алгоритмов решения задачи и их машинная реализация 1.Описание технологии ввода в базу данных входной информации задачи 2.Обобщенный
15 руб.