Электроника. 3-й семестр. Экзамен

Цена:
120 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 535B3140-5477-45EF-A664-B21611F28B84.rar [ 158 KB ]
material.view.file_icon Электроника экзамен хорошо.docx [ 173 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Работа сдана в ноябре 2017г. Преподаватель Игнатов А.Н. Оценка "хорошо"

Похожие материалы

Экзамен. Электроника. 3-й семестр.
1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные х
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User CDT-1 : 17 марта 2015
120 руб.
Электроника. Экзамен. 3-й семестр
1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Студенткааа : 19 февраля 2015
100 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника, 2-й семестр.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встрое
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User alexip23 : 26 сентября 2015
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. 3-й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, п
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User наташ : 29 ноября 2011
300 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен. 4-й семестр
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные ха
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User karapulka : 22 января 2017
50 руб.
Электроника. Экзамен. СБТ/МБТ. 4-й семестр
Вопрос 1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы. Вопрос 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User sanco25 : 16 февраля 2014
59 руб.
Электроника. Экзамен. СБТ/МБТ. 4-й семестр
Электроника. Экзамен. 5-й семестр. Билет № 13
1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покаж
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User chester : 10 января 2013
150 руб.
Электроника. Экзамен. 3-й семестр. 13-й вариант
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом. Транзисторы этого типа являются униполярными в отличие от бездрейфовых и дрейфовых транзисторов, в принципе работы которых лежит использование носителей заряда двух типов: электронов и дырок, и которые поэтому называются биполярными. В униполярных транзисторах явление инжекции не используется и в принципе их работы лежит использование носителей 2.Изобразите принципиальную схему базового эл
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User nataliykokoreva : 17 ноября 2013
50 руб.

Другие работы

Гидромеханика: Сборник задач и контрольных заданий УГГУ Задача 3.21 Вариант а
Определить величину, линию действия, угол наклона и глубину центра давления равнодействующей hDравн на полусферическую крышку в плоской вертикальной стенке закрытого резервуара (рис. 3.21), заполненного бензином. Принять радиус полусферы r, показание пьезометра, выведенного на уровне нижней кромки крышки Н, плотность бензина ρбенз.
Задачи Гидравлика
User Z24 : 6 октября 2025
250 руб.
Гидромеханика: Сборник задач и контрольных заданий УГГУ Задача 3.21 Вариант а
Совершенствование охраны труда в ГСХУ «Молодечненская сортоиспытательная станция» разработкой инженерно-технических решений по улучшению условий труда и повышению производственной безопасности при эксплуатации разбрасывателя твердых органических удобрений
Дипломный проект: 82 с., 16 таблиц, 2 рисунков, использованных источников – 23. Графическая часть – 9 листов формата А1. Ключевые слова: охрана труда, производственная безопасность, условия труда, техническое оснащение, производственные показатели, экологическая безопасность, пожарная безопасность, опасные и вредные производственные факторы, опасные зоны, разбрасывающие диски, разбрасыватель твердых органических удобрений. Объектом исследования являются разбрасывающие диски разбрасывателя тверды
Диплом и связанное с ним Механизация животноводства
User Samonev : 28 декабря 2023
3000 руб.
Совершенствование охраны труда в ГСХУ «Молодечненская сортоиспытательная станция» разработкой инженерно-технических решений по улучшению условий труда и повышению производственной безопасности при эксплуатации разбрасывателя твердых органических удобрений
Контрольная работа по дисциплине: Математические основы цифровой обработки сигналов. Вариант 15.
Задана структурная схема рекурсивной цепи второго порядка. Данные для расчета приведены в таблице. Номер варианта соответствует двум последним цифрам пароля. Таблица 1 Вариант 15 0,3 0 0,5 0,25 0,44 0,6; 0,7; 0,5 СОДЕРЖАНИЕ Задание……………………………………………………………………………………3 1. В соответствии со своим вариантом начертите схему цепи с учетом реальных коэффициентов ; . Период дискретизации ……………4 2. Определите передаточную функцию цепи и проверьте устойчивость цепи..5 3. Рассчитайте ампли
ДО СИБГУТИ Цифровая обработка сигналов Работа Контрольная
User freelancer : 18 апреля 2016
100 руб.
promo
Механосборочный цех по производству задвижек клиновых для годовой программы 30000шт
Дипломная работа "Механосборочный цех по производству задвижек клиновых для годовой программы 30000 штук". Восточно-Казахстанский государственный технический университет, специальность - технология машиностроения.
Диплом и связанное с ним ВКГТУ им. Серикбаева Машиностроение
User Max2304 : 18 февраля 2016
4000 руб.
Механосборочный цех по производству задвижек клиновых для годовой программы 30000шт
up Наверх