Электроника. 3-й семестр. Экзамен

Цена:
120 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 535B3140-5477-45EF-A664-B21611F28B84.rar [ 158 KB ]
material.view.file_icon Электроника экзамен хорошо.docx [ 173 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Работа сдана в ноябре 2017г. Преподаватель Игнатов А.Н. Оценка "хорошо"

Похожие материалы

Экзамен. Электроника. 3-й семестр.
1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные х
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User CDT-1 : 17 марта 2015
120 руб.
Электроника. Экзамен. 3-й семестр
1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Студенткааа : 19 февраля 2015
100 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника, 2-й семестр.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встрое
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User alexip23 : 26 сентября 2015
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. 3-й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, п
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User наташ : 29 ноября 2011
300 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен. 4-й семестр
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные ха
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User karapulka : 22 января 2017
50 руб.
Электроника. Экзамен. СБТ/МБТ. 4-й семестр
Вопрос 1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы. Вопрос 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User sanco25 : 16 февраля 2014
59 руб.
Электроника. Экзамен. СБТ/МБТ. 4-й семестр
Электроника. Экзамен. 5-й семестр. Билет № 13
1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покаж
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User chester : 10 января 2013
150 руб.
Электроника. Экзамен. 3-й семестр. 13-й вариант
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом. Транзисторы этого типа являются униполярными в отличие от бездрейфовых и дрейфовых транзисторов, в принципе работы которых лежит использование носителей заряда двух типов: электронов и дырок, и которые поэтому называются биполярными. В униполярных транзисторах явление инжекции не используется и в принципе их работы лежит использование носителей 2.Изобразите принципиальную схему базового эл
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User nataliykokoreva : 17 ноября 2013
50 руб.

Другие работы

Ресурсы и качество вод озер
В крупных озерах доля ежегодно возобновляемых вод составляет всего 1,5% от их общего объема, хотя этот показатель и варьирует в довольно широких пределах (в Байкале - 0,3%, в Чудско-Псковском - 57%). По территории России озера распространены крайне неравномерно. В одних районах они встречаются довольно редко, зато в других занимают значительную часть поверхности - иногда до 10-50% общей площади района. Озера северо-запада европейской территории России. Озеро Умбозеро - крупный рыбохозяйственный
Рефераты Экология и защита окружающей среды
User evelin : 11 марта 2013
5 руб.
ВЫПУСКНАЯ КВАЛИФИКАЦИОННАЯ РАБОТА БАКАЛАВРА. Проектирование системы электронной очереди на предоставление услуг в территориально распределенной государственной организации
Целью выпускной квалификационной работы являлось проектирование системы электронной очереди на предоставление услуг в территориально распределенной государственной организации. В рамках данной работы был проведен анализ деятельности управлений социальной защиты населения Алтайского края при организации приема граждан, обращающихся за получением государственных услуг и проанализирована возможность внедрения системы управления электронной очередью (СУЭО) путем интеграции с ведомственной информацио
Диплом и связанное с ним СибГУТИ Дипломные проекты
User const30 : 13 марта 2018
1340 руб.
Внeбюджeтныe фoнды
ТEOPEТИЧEСКAЯ ЧAСТЬ. ВНEБЮДЖEТНЫE ФOНДЫ. ВВEДEНИE 3 1 ВНEБЮДЖEТНЫE ФOНДЫ КAК СOСТAВНAЯ ЧAСТЬ ФИНAНСOВOЙ СИСТEМЫ PФ 5 1.1 Сущнoсть и нaзнaчeниe внeбюджeтных фoндoв 5 1.2 Истoчники, пopядoк фopмиpoвaния и испoльзoвaния сpeдств внeбюджeтных фoндoв сoциaльнoгo нaзнaчeния 7 2 СOЦИAЛЬНЫE ВНEБЮДЖEТНЫE ФOНДЫ PФ 14 2.1 Пeнсиoнный фoнд Poссийскoй Фeдepaции 14 2.2 Фoнд сoциaльнoгo стpaхoвaния 21 2.3 Фoнд oбязaтeльнoгo мeдицинскoгo стpaхoвaния 25 3 ЭКOНOМИЧEСКИE ВНEБЮДЖEТНЫE ФOНДЫ PФ 33 3.1 Poссийский ф
Финансы и кредиты СибГУТИ Работа Курсовая
User sweetsmyle : 18 октября 2012
250 руб.
БУ-3000 ЭУК-1М-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
БУ-3000 ЭУК-1М-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
Нефтяная промышленность ИНиГ Чертежи
User https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27 : 23 мая 2016
297 руб.
БУ-3000 ЭУК-1М-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
up Наверх