Электроника. 3-й семестр. Экзамен
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
Работа сдана в ноябре 2017г. Преподаватель Игнатов А.Н. Оценка "хорошо"
Похожие материалы
Экзамен. Электроника. 3-й семестр.
CDT-1
: 17 марта 2015
1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные х
120 руб.
Электроника. Экзамен. 3-й семестр
Студенткааа
: 19 февраля 2015
1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики
100 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника, 2-й семестр.
alexip23
: 26 сентября 2015
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встрое
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. 3-й семестр
наташ
: 29 ноября 2011
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, п
300 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен. 4-й семестр
karapulka
: 22 января 2017
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные ха
50 руб.
Электроника. Экзамен. СБТ/МБТ. 4-й семестр
sanco25
: 16 февраля 2014
Вопрос 1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы.
Вопрос 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные
59 руб.
Электроника. Экзамен. 5-й семестр. Билет № 13
chester
: 10 января 2013
1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покаж
150 руб.
Электроника. Экзамен. 3-й семестр. 13-й вариант
nataliykokoreva
: 17 ноября 2013
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом.
Транзисторы этого типа являются униполярными в отличие от бездрейфовых и дрейфовых транзисторов, в принципе работы которых лежит использование носителей заряда двух типов: электронов и дырок, и которые поэтому называются биполярными. В униполярных транзисторах явление инжекции не используется и в принципе их работы лежит использование носителей
2.Изобразите принципиальную схему базового эл
50 руб.
Другие работы
Лабораторные работы №№1-4 по дисциплине: Человеко-машинное взаимодействие. Вариант №9
SibGOODy
: 30 марта 2018
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №1
Задание
1.1. Найдите один источник (в библиотеке или в Интернете), который говорит об опытных свидетельствах человеческих ограничений. Дайте полную ссылку на найденный источник. Опишите в пределах 15 строк (шрифт 12), что говорят результаты исследований по поводу физических ограничений человека.
1.2. Составьте семантическую сеть для выбранных вами понятий (не менее восьми) и их свойств. Приведите пример вывода утверждения с использованием этой сети.
1.3. Придумайте по одно
950 руб.
Технологическая схема Бейсугского месторождения, Установка сепарационная производительностью 1,0млн.м/сут (УСГ1,0-5,5), Деталировка-Чертежи-Графическая часть-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 18 мая 2016
Технологическая схема Бейсугского месторождения, Установка сепарационная производительностью 1,0млн.м/сут (УСГ1,0-5,5), Деталировка-Чертежи-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
994 руб.
Место политологии как система научного знания
evelin
: 12 января 2014
1.Термин «Политология» образовался от гречесих слов «politike» (государственные или общественные дела) и «logos» (слова, учение), что буквально означает «политическая наука» или «наука о политике». Предметом политологии является комплекс понятий, идей, закономерностей, отображающий политическую жизнь общества. Ключевой термин – «политическое». Он означает всё (идеи, отношения, деятельность), что имеет отношение к разработке и реализации стратегии целостных общественных изменений и общественного
15 руб.
Физико- математические основы электромагнитной совместимости. 15=й вариант
liza131992
: 11 октября 2015
Задание:
1. Рассчитать максимальный радиус зоны обслуживания ТВ радиосети для заданных параметров радиотехнических средств, среды распространения с учетом условий ЭМС по естественным радиошумам.
2. Рассчитать необходимый частотно-территориальный разнос ТВ радиосетей, использующих совмещенные частотные каналы, с учетом условий ЭМС по радиопомехам на границе зон обслуживания, полученных в п.1 .
3. Выбрать частотные каналы для группы ТВ радиосетей, обеспечивающих необходимый частотно-территориаль
290 руб.