Электроника. 3-й семестр. Экзамен

Цена:
120 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 535B3140-5477-45EF-A664-B21611F28B84.rar [ 158 KB ]
material.view.file_icon Электроника экзамен хорошо.docx [ 173 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Работа сдана в ноябре 2017г. Преподаватель Игнатов А.Н. Оценка "хорошо"

Похожие материалы

Экзамен. Электроника. 3-й семестр.
1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные х
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User CDT-1 : 17 марта 2015
120 руб.
Электроника. Экзамен. 3-й семестр
1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Студенткааа : 19 февраля 2015
100 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника, 2-й семестр.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встрое
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User alexip23 : 26 сентября 2015
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. 3-й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, п
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User наташ : 29 ноября 2011
300 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника. Экзамен. 4-й семестр
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные ха
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User karapulka : 22 января 2017
50 руб.
Электроника. Экзамен. СБТ/МБТ. 4-й семестр
Вопрос 1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы. Вопрос 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User sanco25 : 16 февраля 2014
59 руб.
Электроника. Экзамен. СБТ/МБТ. 4-й семестр
Электроника. Экзамен. 5-й семестр. Билет № 13
1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покаж
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User chester : 10 января 2013
150 руб.
Электроника. Экзамен. 3-й семестр. 13-й вариант
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом. Транзисторы этого типа являются униполярными в отличие от бездрейфовых и дрейфовых транзисторов, в принципе работы которых лежит использование носителей заряда двух типов: электронов и дырок, и которые поэтому называются биполярными. В униполярных транзисторах явление инжекции не используется и в принципе их работы лежит использование носителей 2.Изобразите принципиальную схему базового эл
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User nataliykokoreva : 17 ноября 2013
50 руб.

Другие работы

Проектирование системы автоматического управления температурой в области резания
Содержание 1. Введение…………………………………………………………… 2 2. Задание ……………………..……………………………………… 3 3. Анализ исходных данных…………………………………………. 4 4. Анализ процесса резания………………………………………….. 6 5. Разработка структурной схемы САР …………………………….. 8 6. Анализ устойчивости некорректированной САР……………….. 12 7. Синтез САР с заданными показателями качества………………. 13 8. Анализ качества САР……………………………………………… 15 9. Заключение………………………………………………………….18 10. Список литературы………………………………………………..19 Теория автоматического упр
Автоматизация производственных процессов Работа Курсовая
User Aronitue9 : 21 ноября 2011
11 руб.
Червячный редуктор. Сборочный.
Червячный редуктор. Сборочный. Параметры на фото ---> Компас 16
Чертежи Детали машин
User DiKey : 26 февраля 2020
50 руб.
Червячный редуктор. Сборочный.
Моделирование устройств телекоммуникаций, Лабораторная работа, Вариант 06
Временной и частотный анализ в среде PSpice 1 Цель работы Приобретение навыков моделирования временных процессов на примере простейших цепей; изучение способов представления стандартных сигналов системе PSpice; изучение особенностей проведения частотного анализа. 2 Задание к лабораторной работе 2.1 Составить схемный файл для моделирования следующих независимых источников сигналов: а) синусоидального напряжения; б) экспоненциального напряжения; в) импульсного напряжения; г) кусочно-линейного нап
СибГУТИ Работа Лабораторная Телекоммуникации
User Devide : 21 марта 2012
100 руб.
Работа 6. Эпюр 4
Работа 6. Эпюр 4 Вариант 2 Сделано в компасе 16, компас 11 и автокаде. В автокад переведено полностью, с учетом шрифтов, слоев. Открывается так же нанокадом. Сохранено в джпг, пдф
Чертежи Инженерная и компьютерная графика
User Laguz : 25 июля 2025
150 руб.
Работа 6. Эпюр 4
up Наверх