Экзамен билет№ 10. Физические основы электроники
-
Категории:
СибГУТИ, Физические основы электроники, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
16.01.2018
-
Размер:
178 KB
-
Покупок:
3
-
Добавил:
DEKABR1973
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
ФОЭ билет № 10.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
билет № 10
1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры.
2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры.
2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
Дополнительная информация
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 16.01.2018
Рецензия: при ответе на первый вопрос Вы смешали импульсные и высокочастотные диоды.
По второму вопросу замечаний нет.
Савиных Валерий Леонидович
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 16.01.2018
Рецензия: при ответе на первый вопрос Вы смешали импульсные и высокочастотные диоды.
По второму вопросу замечаний нет.
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
erboollat
: 21 июня 2020
120 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
erboollat
: 21 июня 2020
130 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
2. Отчет о работе
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ.
На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Контрольная работа
По дисциплине: Физические основы электроники
Выполнил: Титова Ю.В.
Группа: Т-61в
Вариант: №01
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, опреде
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
300 руб.
Физические основы электроники
Фрося
: 25 февраля 2020
Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора КТ819 тип транзистора Биполярный
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =9 В;
активное сопротивление нагрузки RН = 1,2 Ом;
постоянная составляющая тока базы IБ0 =120мА;
амплитудное значение переменной
составляющей тока ( амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 100
Фрося
: 25 февраля 2020
1000 руб.
« Физические основы электроники »
Фрося
: 25 февраля 2020
Комплексное задание по дисциплине « Физические основы
электроники »
.
1. Содержание задач комплексного задания
Задача №1. Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора ________ тип транзистора ___________
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =____В;
активное сопротивление нагрузки RН = ______ Ом;
постоянн
Фрося
: 25 февраля 2020
900 руб.
Физические основы электроники
kombatowoz
: 7 декабря 2019
2 вариант 1,2,3 лабораторные работы
1,2,3 лабораторные работы,2019 год
1 Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2 ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА.
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
3
kombatowoz
: 7 декабря 2019
200 руб.
Другие работы
Построение третьей проекции по двум заданным. Задание 45. Вариант 30
.Инженер.
: 21 сентября 2025
С.К. Боголюбов. Индивидуальные задания по курсу черчения. Построение по двум проекциям модели ее третьей проекции. Задание 45. Вариант 30.
Построить третью проекцию модели по двум заданным.
В состав работы входит:
Чертежи;
3D модели.
Выполнено в программе Компас + чертежи в PDF.
.Инженер.
: 21 сентября 2025
150 руб.
ИНФОРМАТИКА Ч.1. Тема Операционная система Windows
ejanin
: 29 июня 2018
Оглавление
1.Операционная система Windows 3
2.Объектно-ориентированный подход 4
3.Перемещение и копирование объектов. OLE - технология 5
3.1Окна Windows 5
3.2Операционное меню. 6
5.Настройка свойств папки 7
6.Рабочий стол 8
7. Панель задач 9
7.1 Главное меню 9
7.2 Работа с дисками, папками и файлами 10
8. Работа с приложениями и документами 10
8.1Традиционный процедурный подход 10
8.2 Объектно-ориентированный подход 10
9. Настройка среды Windows 11
10. Стандартные программы Windows 13
Список лит
ejanin
: 29 июня 2018
100 руб.
Назначение и порядок совершения таможенных операций, предшествующих подаче таможенной декларации
Qiwir
: 28 декабря 2013
СОДЕРЖАНИЕ
СОДЕРЖАНИЕ 2
ВВЕДЕНИЕ 3
Глава 1. Общая характеристика таможенных операций, предшествующих подаче таможенной декларации. 5
1.1 Прибытие товаров на таможенную территорию ТС 5
1.2 Убытие товаров с таможенной территории ТС 7
1.3 Внутренний таможенный транзит 8
1.4 Временное хранение товаров 11
Глава 2. Назначение и порядок таможенных операций, предшествующих подаче таможенной декларации 13
2.1 Назначение и порядок таможенных операций при прибытии товаров на таможенную территорию
Qiwir
: 28 декабря 2013
19 руб.
Контрольная работа. Математический анализ. 2-й семестр. Вариант №6
Landscape
: 29 января 2014
Контрольная работа, 6 вариант
1. Даны функция z=z(x,y), точка A(x0;y0) и вектор a(ax;ay). Найти: 1) grad z в точке А. 2) производную в точке А по направлению вектора a.
2. Вычислить с помощью двойного интеграла в полярных координатах площадь фигуры, ограниченной кривой, заданной уравнением в декартовых координатах (a>0).
3. Вычислить с помощью тройного интеграла объем тела, ограниченного указанными поверхностями.
4. Исследовать сходимость числового ряда.
5. Найти интервал сходимости степенного р
Landscape
: 29 января 2014
100 руб.
