Экзамен билет№ 10. Физические основы электроники
-
Категории:
СибГУТИ, Физические основы электроники, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
16.01.2018
-
Размер:
178 KB
-
Покупок:
3
-
Добавил:
DEKABR1973
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
ФОЭ билет № 10.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
билет № 10
1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры.
2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры.
2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
Дополнительная информация
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 16.01.2018
Рецензия: при ответе на первый вопрос Вы смешали импульсные и высокочастотные диоды.
По второму вопросу замечаний нет.
Савиных Валерий Леонидович
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 16.01.2018
Рецензия: при ответе на первый вопрос Вы смешали импульсные и высокочастотные диоды.
По второму вопросу замечаний нет.
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
erboollat
: 21 июня 2020
130 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
2. Отчет о работе
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ.
На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
erboollat
: 21 июня 2020
120 руб.
Физические основы электроники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Контрольная работа
По дисциплине: Физические основы электроники
Выполнил: Титова Ю.В.
Группа: Т-61в
Вариант: №01
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, опреде
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
300 руб.
« Физические основы электроники »
Фрося
: 25 февраля 2020
Комплексное задание по дисциплине « Физические основы
электроники »
.
1. Содержание задач комплексного задания
Задача №1. Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора ________ тип транзистора ___________
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =____В;
активное сопротивление нагрузки RН = ______ Ом;
постоянн
Фрося
: 25 февраля 2020
900 руб.
Физические основы электроники
Фрося
: 25 февраля 2020
Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора КТ819 тип транзистора Биполярный
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =9 В;
активное сопротивление нагрузки RН = 1,2 Ом;
постоянная составляющая тока базы IБ0 =120мА;
амплитудное значение переменной
составляющей тока ( амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 100
Фрося
: 25 февраля 2020
1000 руб.
Физические основы электроники
kombatowoz
: 7 декабря 2019
2 вариант 1,2,3 лабораторные работы
1,2,3 лабораторные работы,2019 год
1 Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2 ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА.
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
3
kombatowoz
: 7 декабря 2019
200 руб.
Другие работы
Лабораторные работы 4-5 по дисциплине: Архитектура ЭВМ. Вариант №8
IT-STUDHELP
: 17 мая 2023
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА N4
ИССЛЕДОВАНИЕ АРИФМЕТИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ
1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Получение практических навыков использования операций сложения, вычитания и умножения; освоение использования окон Module и Inspect программы TURBO DEBUGGER.
2. РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА
2.1. Абель П. Язык Ассемблера для IBM PC и программирования /Пер.c англ М.:Высш.шк., 1992,c 173-190.
2.2. Белецкий Я. Энциклопедия языка Си: Пер. c польск.-М.:Мир,1992, с 394-406.
3. ПОДГОТОВКА К РАБОТЕ
3.1. Изучить методические
IT-STUDHELP
: 17 мая 2023
200 руб.
Политическое манипулирование и пути его ограничения
evelin
: 16 января 2014
Социальные мифы как основа манипулирования
современном мире теория и практика политического манипулирования получили достаточно глубокую научную разработку и практическое применение. Общая технология глобального, общегосударственного манипулирования обычно основывается на систематическом внедрении в массовое сознание социально-политических мифов — иллюзорных идей, утверждающих определенные ценности и нормы и воспринимаемых преимущественно на веру, без рационального, критического осмыслени
evelin
: 16 января 2014
15 руб.
Техническая термодинамика и теплотехника УГНТУ Задача 6 Вариант 64
Z24
: 16 декабря 2025
Газ — воздух с начальной температурой t1=27ºC сжимается в одноступенчатом поршневом компрессоре от давления p1=0,1 МПа до давления р2. Сжатие может происходить по изотерме, по адиабате и по политропе с показателем политропы n. Определить для каждого из трех процессов сжатия:
— конечную температуру газа t2,ºC;
— отведенную от газа теплоту Q,кВт;
— теоретическую мощность компрессора N, если его производительность G.
Дать сводную таблицу и изображение процессов в p-υ и T-s — диаграммах.
Z24
: 16 декабря 2025
220 руб.
Анализ себестоимости
xtrail
: 2 марта 2013
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1. ЭТАПЫ И СОДЕРЖАНИЕ АНАЛИЗА СЕБЕСТОИМОСТИ ПРОДУКЦИИ
2. ВЫПОЛНЕНИЕ ПЛАНА И ДИНАМИКА ПОКАЗАТЕЛЕЙ СЕБЕСТОИМОСТИ ПРОДУКЦИИ
3. АНАЛИЗ РЕЗЕРВОВ СНИЖЕНИЯ СЕБЕСТОИМОСТИ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
xtrail
: 2 марта 2013
100 руб.
