Устройство оптоэлектроники. Вариант №11
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
31.01.2018
-
Размер:
119 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
konst1992
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Контрольная работа по устройству оптоэлектроники.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача № 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Решение:
Структура фотодиода
Расширение частотного диапазона фотодиода без снижения его чувствительности возможно в p-i-n структурах (рис. 1). Фотодиоды p-i-n отличаются простотой конструкции, высокой надежностью, низкой
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Решение:
Структура фотодиода
Расширение частотного диапазона фотодиода без снижения его чувствительности возможно в p-i-n структурах (рис. 1). Фотодиоды p-i-n отличаются простотой конструкции, высокой надежностью, низкой
Похожие материалы
Устройства оптоэлектроники кр, вариант 11
cotikbant
: 13 сентября 2017
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратор
cotikbant
: 13 сентября 2017
50 руб.
Устройства оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант 11
Teuserer
: 19 марта 2012
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод со структурой р-i-n
Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Тип ПП материала Si
Квантовая эффективность, η 0,7
Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ 1,12
Задача No3. Изобразить принципиальную схем
Teuserer
: 19 марта 2012
150 руб.
Зачетная работа По дисциплине: «Устройство оптоэлектроники» Вариант 11
costafel
: 15 сентября 2015
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Бугера - Ламберта.
Раздел Излучатели.
2.Источники некогерентного включения.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия лавинного фотодиода.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного генератора с мостом Вина.
costafel
: 15 сентября 2015
200 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Устройство оптоэлектроники» Вариант 11
costafel
: 15 сентября 2015
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 Si 0,7 1,12
costafel
: 15 сентября 2015
250 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройство оптоэлектроники. Вариант №11
natin83
: 31 января 2015
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта l гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффективность, η Ширина запрещенной зоны ΔW, эВ
1 Si 0,7 1,12
Задача
natin83
: 31 января 2015
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
alru
: 22 сентября 2016
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
alru
: 22 сентября 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
arkadij
: 9 марта 2016
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
arkadij
: 9 марта 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
arkadij
: 13 февраля 2016
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7
Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
arkadij
: 13 февраля 2016
500 руб.
Другие работы
Анализ деятельности ОАО "РЖД"
GnobYTEL
: 21 января 2012
СОДЕРЖАНИЕ
I. Описание предприятия………………………………………………………..3
II. Оценка привлекательности стратегической зоны хозяйствования (СЗХ)
2.1 КСФ………………………………………………………………………….7
2.2 Факторы, влияющие на деятельность компании…………………………8
2.3 Возможности и угрозы……………………………………………………..8
2.4. Оценка изменений СЗХ……………………………………………………9
2.5 Оценка изменений рентабельности СЗХ………………………………...10
III. Оценка конкурентного статуса фирмы
3.1 Оценка уровня стратегии капиталовложений………………………….
GnobYTEL
: 21 января 2012
20 руб.
Экзамен по дисциплине электроника. Билет № 12
verunchik
: 25 февраля 2013
Вопрос 1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы.
Вопрос 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные х
verunchik
: 25 февраля 2013
100 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа №3
L0ki
: 29 декабря 2020
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной
работы
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах
Цель работы: 1 Изучить основные принципы работы ключевых схем
(лекции 4 и 6).
2 Приобрести начальные навыки расчёта параметров
элементов некоторых ключевых схем.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная
подготовка, состоящая в следующем:
1 Изучение темы и цели лабораторной работы.
2 Изучить теоретический материал в объеме материала лекций и
теоретического введени
L0ki
: 29 декабря 2020
200 руб.
Внутритрубные снаряды для диагностики трубы
lkjh
: 28 мая 2015
Содержание:
1,Цели и задачи диагностики
2,Виды и классифи-кация дефектов
3,Методы кон-троля дефектов
4,Подготовка трубо-проводов для диа-гностики
+ 2 черчежа
Под диагностикой понимается получение и обработка информации о состоянии технических систем в целях обнаружения их неисправностей, выявления тех элементов, ненормальное функционирование которых привело (или может привести) к возникновению неисправностей.
С технологической точки зрения техническая диагностика трубопро-водов включает в себя:
lkjh
: 28 мая 2015
80 руб.
