Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант 2

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon К.Р..docx
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а)построить линию нагрузки;
б)построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
 в)рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~, мощность, рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия η.
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты │Н21│/ h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.

Дополнительная информация

2017 год, Сибирский Государственный Университет Телекоммуникаций и Информатики. преподаватель Савиных Валерий Леонидович, оценка - зачет
Физические основы электроники/ Контрольная работа/ Вариант №2
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить вели-чины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
User Diawol : 19 сентября 2019
30 руб.
Физические основы электроники/ Контрольная работа/ Вариант №2
Физические Основы Электроники Контрольная работа
Контрольная работа по дисциплине Физические Основы Электроники для факультета ЗО. Вариант № 9
User S4M : 16 июня 2022
400 руб.
Физические Основы Электроники Контрольная работа
Контрольная работа по физическим основам электроники
Задача 1: Исходные данные для задачи надо взять из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, надо рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока
User Богарт : 5 апреля 2017
199 руб.
Контрольная работа. Физические основы электроники.
ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗАДАЧА 3 Для данного транзистора на частот
User Игуана : 10 декабря 2012
120 руб.
Контрольные работы по физическим основам электроники
ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗАДАЧА 3 Для данного транзистора на част
User Aronitue9 : 3 сентября 2011
50 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа
КР Вариант №3 ФОЭ СибГУТИ Задача 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60В, сопротивление нагрузки RН=1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=250мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ=150 мкА.
User Seregos : 4 января 2010
Физические основы электроники. Контрольная работа
Контрольная работа: Физические основы электроники
Биполярный транзистор. Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллектор
User Лесник : 17 ноября 2009
70 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа.
Содержание задач контрольной работы Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. Вариант No2. Дано: транзистор КТ605А, напряжение питания ЕК = 12 В, сопротивление нагрузки RН = 200 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы I Б0 = 625 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ= 375 мкА . По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать пар
User madamm : 17 декабря 2008
220 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа.
Лабораторные работы №№1-3. Курсовая работа. Зачётная работа
Лабораторная работа N 1 Базовое форматирование текста Задание Записать к себе в директорию шаблон html-файла. Для этого щелкнуть мышкой по данной гиперссылке: шаблон html-файла. Затем, в открывшемся окне браузера войти в пункт меню "Файл"®"Сохранить как". Задать имя файла (и путь к нему) и выбрать "Тип файла: Веб-страница, только HTML". Аналогичного результата можно добиться, если в открывшемся окне браузера щелкнуть правой кнопкой мышки в любом месте (кроме меню!), а затем выбрать "Просмотр в
User AvilCorso : 24 июля 2021
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: «Экономика отрасли инфокоммуникаций». Вариант №12
Вопрос: Система ценообразования на услуги связи. Виды тарифов. Задача: Рассчитайте для организации связи условную экономию рабочей силы, а также прирост доходов за счет роста производительности труда по следующим данным: • доходы в текущем году – 1200,0 тыс. руб. • среднесписочная численность работников – 120 ед. • темп роста доходов – 110%. • темп роста производительности труда – 105%.
User Колька : 23 января 2017
50 руб.
Криминалистика. Тест Синергия 2023г ( 58 вопросов, Итоговый тест+промежуточные тесты)
Сдано на 93 балла в 2023году скриншот с отметкой прилагается к работе После покупки Вы получите файл с ответами на вопросы которые указаны ниже: 1. ... анализ основан на том, что атом любого химического элемента имеет определенную структуру, которая обладает индивидуальным набором излучений – спектром с определенной длиной волн; применяется при исследовании следов пыли, грязи, масел, красителей, ядохимикатов, материалов документов, металлических пломб, следов выстрела и др. 2. В зависи
User annaserg : 17 июля 2024
350 руб.
А. Потебня и А. Ф. Лосев о внутренней форме слова
В Предисловии к «Философии имени» А. Ф. Лосев назвал концепции языка К.С.Аксакова и А. А. Потебни прекрасными, посетовав на то, что они, к сожалению, почти не повлияли на академическую традицию(2). Эта оценка заставляет предполагать, что между философско-лингвистической концепцией А. А. Потебни и философией языка А. Ф. Лосева есть существенное сходство. Сам А. Ф. Лосев подтверждает это по крайней мере дважды. В примечаниях к «Философии имени» он пишет: «Наша диалектика человеческого слова ближе
User Slolka : 24 февраля 2014
up Наверх