Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №16

Состав работы

CDDF46B5-3F68-41BF-8486-76636B854D58.doc [ 208 KB ]

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:

Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».

1. Параметры полевого транзистора.

2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Оценка - отлично!
Дата сдачи: июнь 2018 г.
Преподаватель: Игнатов А.Н.
Помогу с другим билетом.

Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru

Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №13

Билет №13 1. Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзи

Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная

Roma967 : 23 октября 2023

600 руб.

Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет 9

1. Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и

Электротехника и электроника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная

SibGOODy : 22 июля 2018

350 руб.

Экзаменационная работа по дисциплине: «Электротехника, электроника и схемотехника»

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-

Электротехника СибГУТИ Работа Экзаменационная

selkup : 16 марта 2017

250 руб.

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).

1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б

Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные

Илья272 : 11 июня 2021

500 руб.

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).

Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12

******* Не известно Электротехника, электроника и схемотехника Работа Контрольная

Илья272 : 21 мая 2021

350 руб.

Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен

1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,

Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные

Алексей134 : 4 марта 2021

100 руб.

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн

Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная

SibGUTI2 : 9 мая 2016

100 руб.

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.

ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника

SibGUTI2 : 9 мая 2016

100 руб.

К вопросу о "высокотемпературных" осцилляциях магнетосопротивления висмута в ультраквантовом пределе

Проанализированы свойства "высокотемпературных" осцилляций магнетосопротивления висмута в ультраквантовом пределе. Имеющиеся экспериментальные результаты несовместимы с физической моделью [22-24] и описываются с помощью модели [20,21]. "Высокотемпературные" осцилляции (ВТО) впервые наблюдались в 1973г. [1] при изучении магнетосопротивления висмута. Одной из отличительных особенностей, послужившей причиной выбора названия эффекта, является слабое температурное затухание амплитуды осцилляци

Физика и энергетика Работа

Qiwir : 9 августа 2013

5 руб.

Чертеж - Агрегатный участок. Технологическая планировка

Автомобили и технологическое обслуживание Чертежи

Рики-Тики-Та : 15 июля 2018

11 руб.

Расчетная часть-Расчет цементировачного насоса Т-9-Курсовая работа-Дипломная работа-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин

Расчетная часть-Расчет цементировачного насоса Т-9: РАСЧЁТ ПОЛЕЗНОЙ МОЩНОСТИ И К.П.Д. НАСОСА, РАСЧЁТ ДАВЛЕНИЯ НАГНЕТАНИЯ, РАСЧЁТ НА ПРОЧНОСТЬ, ГИДРАВЛИЧЕСКАЯ КОРОБКА, ЦИЛИНДРОВАЯ ВТУЛКА, ШТОК НАСОСА, КЛАПАН НАСОСА, РАСЧЁТ НАТЯГА РЕЗЬБЫ ГАЙКИ-Курсовая работа-Дипломная работа-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин

Нефтяная промышленность Диплом и связанное с ним

lesha.nakonechnyy.92@mail.ru : 19 января 2017

368 руб.

Лабораторная работа №1 Работа с функциями языка Си Задание 1 : Используя функцию, написать программу по своему варианту. Варианты задания 1

Варианты задания 1 Задание 1 : Используя функцию, написать программу по своему варианту. Варианты задания 1 1. Написать функцию, сортирующую в порядке возрастания элементы одномерного массива. В главной программе вызвать функцию для двух разных массивов. 2. Написать функцию вычисления произведения прямоугольной матрицы A размера k x m на прямоугольную матрицу B размера m x n. В главной программе обратиться к этой функции. 3. Написать функцию вычисления суммы ряда s=s(1)+…+s(n), где s(n)=(-1)n x(

ДО СИБГУТИ Программирование Работа Лабораторная

Alexey19901 : 29 октября 2023

100 руб.

Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №16

Состав работы

Описание

Дополнительная информация

Похожие материалы

Другие работы

Вход