Выпускная квалификационная работа. Анализ элементной базы для электронных коммутационных полей

Анализ элементной базы для электронных коммутационных полей
ВВЕДЕНИЕ .............................................................................................................. 3
1. Аналитический обзор ....................................................................................... 4
1.1. Классификация ключей и коммутаторов. ................................................ 4
1.2. Электронные ключи аналоговых сигналов .............................................. 6
1.2. Технические решения электронных ключей ............................................ 10
1.2.1. Электронные ключи на основе оптронов. .......................................... 10
1.2.2. Электронные ключи на диодах. ........................................................... 12
1.2.3. Электронные ключи на транзисторах. ................................................ 14
1.2.4. Ключи на биполярных транзисторах. ................................................. 14
1.2.5 Ключи на основе полевых транзисторов с р-n переходом. ............... 15
1.2.6. Электронные ключи на полевых транзисторах с изолированным
затвором. .......................................................................................................... 17
1.2.7. Ключи на основе микро - электромеханических систем. ................. 19
1.2.8 Сравнение моделей ключей. ................................................................. 21
1.3. Общие сведения о мультиплексорах ................................................... 22
2. Широкополосные аналоговые ключи для систем передачи. ........................ 24
3. Составление элементной базы ....................................................................... 37
3.1. Подбор элементов и анализ их характеристик ...................................... 37
3.2. Составление элементной базы ключей .................................................. 37
3.3. Выводы и постановка вопросов дальнейших исследований .................. 59
4. Анализ свойств полевых транзисторов в устройствах электронной
коммутации ............................................................................................................ 61
4.1. Сравнение теоретических и экспериментальных характеристик ПТ . 61
4.2. Исследование нелинейных свойств электронных ключей на ПТ ....... 68
4.3. Исследование частотных свойств ПТ ..................................................... 72
4.3.1. Параметры ПТ на низких частотах ................................................... 72
4.3.2. Параметры ПТ на высоких частотах ................................................... 73
4.4. Исследование быстродействия ПТ ......................................................... 77
4.5. Исследование параметров микросхем на основе КМОП –
транзисторов ....................................................................................................... 80
5. Разработка параметрической модели автоматизированного поиска ........... 86
2
5.1. Алгоритм поиска перспективных элементов КМОП – микросхем. ..... 86
5.2. Разработка параметрической модели ........................................................ 88
ЗАКЛЮЧЕНИЕ ..................................................................................................... 91
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ ........................................... 92
Приложение А ....................................................................................................... 94
Приложение Б ........................................................................................................ 95

Год защиты 2018
«Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики»
Подразделение: Кафедра технической электроники (ТЭ)
Научный руководитель: Игнатов Александр Николаевич
Направление подготовки/специальность: 11.04.02 Инфокоммуникационные технологии и системы связи

Выполнение на заказ дипломных, курсовых и контрольных для студентов ДО, ЗО и ускоренной формы обучения
tokarev.const@yandex.ru