Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 18

Цена:
450 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 5393734F-E61C-4519-B013-5BEF96618149.doc [ 318 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
№ варианта: 8
Тип фотоприемника: Фототиристор

Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
№ варианта: 1
Тип ПП материала: Si
Квантовая эффективность, n: 0,7
Ширина запрещенной зоны dW, эВ: 1,12

Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (см. таблицу 3).

Задача №4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные приведены в таблице 4.1.
Таблица 4.1. Исходные данные.
№ варианта: 1
Тип светодиода: АЛ316А
Напряжение питания Uпит, В: 9
Номинал ограничительного сопротивления, Ом: 680

Дополнительная информация

Зачет без замечаний!
Дата сдачи: июнь 2018 г.
Преподаватель: Игнатов А.Н.
Помогу с другим вариантом.

Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru

Похожие материалы

Контрольная работа по дисциплине: «Устройства оптоэлектроники». Вариант №18
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Исходные данные: Таблица 2 Вариант Тип ПП материала Квантовая эффекти
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User kakau : 15 декабря 2013
89 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с гетероструктурой Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User karimoverkin : 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 0 Фотодиод на основе р-n перехода Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр. Исходные данные Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User Dctjnkbxyj789 : 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 9 Фоторезистор Решение: Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра. В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User nvm1604 : 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант 4. Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User lebed-e-va : 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User ART1800 : 8 мая 2013
150 руб.
Устройства оптоэлектроники, Зачетная работа. вариант №18
Раздел: Физические основы оптоэлектроники. Вопрос №1: Закон Бугера - Ламберта. Поглощение света в твердом теле происходит в соответствии с законом Бугера-Ламберта: , где - коэффициент отражения; - поток световой энергии на расстоянии от поверхности (вдоль луча..... Раздел Излучатели. Вопрос №2: Источники некогерентного включения. Свет, характеризуемый соотношением , где - центральная часть в спектре, а - ширина этого спектра, обычно называют некогерентным. Некогерентное излучение
******* Не известно Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User Sibur54 : 16 марта 2019
150 руб.
Устройства оптоэлектроники, Контрольная работа. вариант №18
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Исходные данные: Таблица 1. Вариант Тип ПП материала Si Квантовая эфф
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User Sibur54 : 16 марта 2019
150 руб.

Другие работы

Проект хирургического корпуса на 180 коек
Исходные данные: 6 этажное монолитное здание. Архитектурно-конструктивный раздел. Расчетно-конструктивный раздел. Раздел основания и фундаменты. Технология и организация строительного производства. Экономический раздел. Графическая часть; Фысады, план 1этажа, генплан (ф. А1), План типового этажа, разрез (ф. А1), План подвала, план кровли, узлы (ф. А1), Схема армирования монолитной плиты (ф. А1), План фундаментов, схема армирования фундаментов (ф. А1), ТК Разработка грунта в котловане (ф.А1), ТК
Диплом и связанное с ним Архитектура
User ostah : 27 ноября 2014
555 руб.
Лабораторная работа по определению ускорения свободного паде-ния с помощью математического маятника
Физика 3 семестр ТюмГНГУ Цель работы: определить ускорение свободного падения с помощью математического маятника Оборудование: 1. Математический шарик m=0.1кг 2. Нить L= 0,5 м 3. Секундомер 4. Линейка № п/п L, м t, c T=t/h,c T2, c2 1 0,5 15,2 1,52 2,3104 2 0,4375 14,5 1,45 2,1025 3 0,375 13,8 1,38 1,9044 4 0,3125 13 1,3 1,69 5 0,25 12 1,2 1,44 6 0,1875 10,8 1,08 1,1664 7 0,125 9,6 0,96 0,9216 8 0,0625 8,2 0,82 0,6724
ТюмГНГУ Физика Работа Лабораторная
User Amurka : 28 апреля 2016
250 руб.
Одно- и многоатомные спирты
Алифатические спирты - это соединения, содержащие гидроксильную группу (-ОН), связанную с sp3-гибридизованным атомом углерода. Спирты можно разделить на три большие группы: простые спирты, стерины и углеводы. Рассмотрим простые спирты, с общей формулой CnH2n+1OH. МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ СПИРТОВ 1. Гидролиз галогеналканов в водных растворах щелочей Реакция замещения галогена на ОН-группу протекает по механизму нуклеофильного замещения SN. В зависимости от строения субстрата замещение протекает по S
Химия Работа Контрольная
User wizardikoff : 8 февраля 2012
Курсовой проект. Разработка принципиальной схемы переработки нефти
Курсовой проект по теме «Разработка принципиальной схемы переработки нефти Вершинного месторождения с производительностью по установке замедленного коксования 1500 тыс. тонн в год» содержит 29 страниц текстового документа, 2 рисунка, 6 таблиц. Цель работы – разработка принципиальной схемы переработки нефти. Для выполнения цели поставлены следующие задачи: – подбор оптимальных для заданной нефти установок; – расчёт материального баланса установок в процентах на сырую нефть; – расчёт производитель
СФУ ИНиГ Химическая промышленность Работа Курсовая
User janeairas : 22 января 2018
1000 руб.
up Наверх