Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант 18
Состав работы
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
№ варианта: 8
Тип фотоприемника: Фототиристор
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
№ варианта: 1
Тип ПП материала: Si
Квантовая эффективность, n: 0,7
Ширина запрещенной зоны dW, эВ: 1,12
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (см. таблицу 3).
Задача №4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные приведены в таблице 4.1.
Таблица 4.1. Исходные данные.
№ варианта: 1
Тип светодиода: АЛ316А
Напряжение питания Uпит, В: 9
Номинал ограничительного сопротивления, Ом: 680
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
№ варианта: 8
Тип фотоприемника: Фототиристор
Задача №2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лгр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.
№ варианта: 1
Тип ПП материала: Si
Квантовая эффективность, n: 0,7
Ширина запрещенной зоны dW, эВ: 1,12
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответствуют индикации цифры, соответствующей последней цифре Вашего (пароля). Результаты оформить в виде таблицы истинности (см. таблицу 3).
Задача №4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные приведены в таблице 4.1.
Таблица 4.1. Исходные данные.
№ варианта: 1
Тип светодиода: АЛ316А
Напряжение питания Uпит, В: 9
Номинал ограничительного сопротивления, Ом: 680
Дополнительная информация
Зачет без замечаний!
Дата сдачи: июнь 2018 г.
Преподаватель: Игнатов А.Н.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Дата сдачи: июнь 2018 г.
Преподаватель: Игнатов А.Н.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: «Устройства оптоэлектроники». Вариант №18
kakau
: 15 декабря 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные:
Таблица 2
Вариант Тип ПП материала Квантовая эффекти
89 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
karimoverkin
: 11 июня 2017
Задача №1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Фотодиод с гетероструктурой
Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.
Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Dctjnkbxyj789
: 11 февраля 2017
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
0 Фотодиод на основе р-n перехода
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника.
Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр.
Исходные данные
Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
nvm1604
: 27 января 2016
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
9 Фоторезистор
Решение:
Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра.
В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
lebed-e-va
: 28 апреля 2015
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Вариант 4.
Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
ART1800
: 8 мая 2013
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Заданный тип - Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
150 руб.
Устройства оптоэлектроники, Контрольная работа. вариант №18
Sibur54
: 16 марта 2019
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача 2.
Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней .
Исходные данные:
Таблица 1.
Вариант Тип ПП материала Si Квантовая
эфф
150 руб.
Устройства оптоэлектроники, Зачетная работа. вариант №18
Sibur54
: 16 марта 2019
Раздел: Физические основы оптоэлектроники.
Вопрос №1: Закон Бугера - Ламберта.
Поглощение света в твердом теле происходит в соответствии с законом Бугера-Ламберта: , где - коэффициент отражения; - поток световой энергии на расстоянии от поверхности (вдоль луча.....
Раздел Излучатели.
Вопрос №2: Источники некогерентного включения.
Свет, характеризуемый соотношением , где - центральная часть в спектре, а - ширина этого спектра, обычно называют некогерентным. Некогерентное излучение
150 руб.
Другие работы
Курсовая работа по дисциплине Современные технологии программирования
1231233
: 23 января 2012
План
1. Тема…………………………………………………………….3
2. Цель…………………………………………………………….3
3. Задание………………………………………………………...3
4. Общие требования………………………………………….3
5. Тип числа – «Калькулятор простых дробей»…………5
6. Требования……………………………………………………5
7. необходимо предусмотреть следующие варианты (прецеденты)использования калькулятора……………5
8. Отчет…………………………………………………………6
9. Спецификации к типам данных………………………….6
10. Текст пр
23 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине: Электромагнитные поля и волны. Вариант: 11
naviS
: 14 ноября 2011
Задача 1
Плоская электромагнитная волна с частотой f падает по нормали из вакуума на границу раздела с реальной средой. Параметры среды: εа=ε0•ε, μа=μ0•μ, удельная проводимость σ. Амплитуда напряженности электрического поля Em.
1.Определить амплитуду отраженной волны.
2.Определить амплитуду прошедшей волны.
3.Определить значение вектора Пойнтинга отраженной волны.
4.Определить значение вектора Пойнтинга прошедшей волны.
5.Определить коэффициент стоячей волны.
6. Вычислить расстояние между миним
100 руб.
Правила и инструкции по охране труда
Elfa254
: 21 ноября 2013
Основы законодательства Российской Федерации об охране труда как составной части безопасности в техносфере определяют единый порядок регулирования отношений в области охраны труда между работодателями и работниками на предприятиях, в учреждениях и организациях всех форм собственности независимо от сферы хозяйственной деятельности и ведомственной подчиненности. Основы законодательства устанавливают гарантии осуществления права на охрану труда и направлены на создание условий труда, отвечающих тре
10 руб.
Оценка экологического состояния вод Сестрорецкого водохранилища и реки Малая сестра по гидробиологическим показателям
elementpio
: 19 марта 2013
1. Аннотация
2. Введение
3. Теоретическая часть
4. Обоснование программ полевых исследований для расчета гидробиологических показателей и индексов качества воды
5. Методическая часть
6. Описание водных объектов
6.1 Описание Сетрорецкого водохранилища
6.2 Описание реки Малая сестра
7. Результаты исследований
8. Обсуждение результатов
9. Выводы
10. Список использованной литературы
Приложение
1. Аннотация
В данной работе предоставлены результаты гидробиологических исследований водных о