Электроника 3-й семестр. Вариант 03
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Разработать интегральный усилитель на основе полевых и биполярных транзисторов, используя данные табл. 1
Разработать топологию гибридной интегральной микросхемы.
Исходные данные курсовой работы на тему "Разработка интегрального аналогового устройства"
Разработать топологию гибридной интегральной микросхемы.
Исходные данные курсовой работы на тему "Разработка интегрального аналогового устройства"
Дополнительная информация
Данная работа свежая,проверенная Игнатововым Александром Николаевичем 10.09.18 г. Оценка "хорошо"
Похожие материалы
Электроника. 3-й семестр. Экзамен
Ирина16
: 19 декабря 2017
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
120 руб.
Экзамен. Электроника. 3-й семестр.
CDT-1
: 17 марта 2015
1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные х
120 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. 3-й семестр
наташ
: 29 ноября 2011
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, п
300 руб.
Электроника. 3-й семестр. 1-й ВАРИАНТ
xadmin
: 25 июля 2018
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и ка
85 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».. 3- й семестр
VaS3012
: 24 сентября 2012
1. Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов.
2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».. 3- й семестр
Ekaterina-Arbanakova
: 20 апреля 2012
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и кан
350 руб.
Электроника. Экзамен. 3-й семестр
Студенткааа
: 19 февраля 2015
1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики
100 руб.
Электроника. 3-й семестр. Курсовая работа. Вариант 04
Ирина16
: 21 ноября 2017
Цель работы
1. Научиться составлять электрические схемы аналоговых устройств на основе биполярных и полевых транзисторов
2. Осуществлять правильный выбор типов и структур биполярных и полевых транзисторов.
3. Производить электрический расчет схем простейших аналоговых устройств.
4. Приобрести навыки в составлении топологии аналоговых интегральных микросхем.
Выбор варианта
Номер варианта определяется двумя последними цифрами пароля. Варианты заданий приведены в приложении П.1.
П.1 Исходные данные
70 руб.
Другие работы
Управление внешнеэкономической деятельностью. Контрольная работа. Для всех вариантов.
arinagyunter
: 8 ноября 2016
Методические указания и задание на выполнение контрольной работы
В процессе выполнения контрольной работы надо произвести оценку конкурентоспособности выбранных студентом товаров или услуг с использованием метода анализа иерархий (МАИ) в MS Excel.
МАИ состоит в декомпозиции проблемы на более простые составляющие и дальнейшей обработке последовательности суждений лица принимающего решения по парным сравнениям. В основе метода анализа иерархий лежат три принципа:
- принцип декомпозиции,
180 руб.
Гидравлика Пермская ГСХА Задача 115 Вариант 4
Z24
: 6 ноября 2025
Система гидроусилителя рулевого управления автомобиля «КаМАЗ» состоит из шестеренного насоса 1, нагнетательного трубопровода 2, золотникового распределителя 3 и гидроцилиндра двустороннего действия 4. Рабочей жидкостью в гидросистеме служит масло с удельным весом γ и кинематическим коэффициентом вязкости ν при температуре t = 20°C. Местные потери давления нагнетательной линии составляют k % от потерь на трение hтр. Требуется определить усилие F, создаваемое поршнем силового цилиндра, если подача
180 руб.
Разработка технологического процесса обработки вала
ник123
: 6 апреля 2009
В данной курсовой работе подробно изложена технология изготовления вала с подборкой оборудования, режущего инструмента. Учтены нормы времени на обработку
Анализ доходов и расходов бюджетных учреждений (на примере МБОУ ДОД «Детско-юношеский центр» Железнодорожного района г. Барнаула)
Алёна51
: 28 сентября 2017
Введение 3
1 Теоретические аспекты анализа доходов и расходов бюджетных учреждений 5
1.1 Особенности финансирования бюджетных учреждений 5
1.2 Формирование и исполнение сметы доходов и расходов бюджетных учреждений 13
1.3 Методика анализа доходов и расходов бюджетных учреждений 17
2 Анализ доходов и расходов МБОУ ДОД «Детско-юношеский центр» Железнодорожного района г. Барнаула 27
2.1 Краткая характеристика МБОУ ДОД «Детско-юношеский центр» Железнодорожного района г. Барнаула 27
2.2 Оценка доходо
400 руб.