Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)(Сибгути До, 3 вариант, контрольная)
-
Категории:
Электротехника и электроника, ДО СИБГУТИ, Работа Контрольная
-
Добавлен:
07.10.2018
-
Размер:
84 KB
-
Покупок:
2
-
Добавил:
MayaMy
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
ЭЭиС(часть 2).docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 20.03.2018
Рецензия:Уважаемая ___,Вы правильно решили задачи
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 20.03.2018
Рецензия:Уважаемая ___,Вы правильно решили задачи
Игнатов Александр Николаевич
Дополнительная информация
2018, Сибгути До, Игнатов Александр Николаевич, зачет.
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
Илья272
: 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)(Сибгути до, вариант 1, экзамен)
MayaMy
: 7 октября 2018
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 03.05.2018
Рецензия:Уважаемая ___,Вы изобразили схему усилительного каскада на БТ
Игнатов Александр Николаевич
MayaMy
: 7 октября 2018
450 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). ВАРИАНТ №3. Контрольная работа.
holm4enko87
: 17 января 2025
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
holm4enko87
: 17 января 2025
300 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Контрольная работа. Вариант №3.
SibGUTI2
: 5 апреля 2016
Контрольная работа
Выбор варианта задания.
Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зав
SibGUTI2
: 5 апреля 2016
100 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
Алексей134
: 4 марта 2021
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Алексей134
: 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
SibGUTI2
: 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
SibGUTI2
: 9 мая 2016
100 руб.
Другие работы
Экзаменационная работа по дисциплине: «Объектно-ориентированное программирование». Билет №1
Roma967
: 24 марта 2015
Билет №1
1. На шахматной доске расставлены фигуры. Требуется переместить Слона в клетку с заданными координатами. Выполнит ли эту задачу следующий фрагмент кода?
{TChessMan – шахматная фигура; TKing – король; TBishop – слон}
Type TColumns=’a’..’h’;
TRows=1..8;
TChessMan=object
Column: TColumns;
Row: TRows;
procedure Move (C: TColumns; R: TRows);
procedure Clear;
procedure Display;
End;
TKing=object (TChessMan)
procedure Display;
End;
TBishop=object (TChessMan)
procedure Display;
Roma967
: 24 марта 2015
250 руб.
Лабораторная работа по дисциплине: Надежность технических систем и техногенный риск. Вариант №14
IT-STUDHELP
: 20 мая 2023
Лабораторная работа
Задание 1. Выполнить классификацию отказов.
Отказы
1. По характеру изменения выходного параметра объекта до момента возникновения отказа
2. По возможности последующего использования объекта после возникновения отказа
3. По связи между отказами объекта
4. По устойчивости состояния неработоспособности
5. По наличию внешних проявлений отказа
6. По причине возникновения отказа
7. По природе происхождения отказа
8. По времени возникновения отказа
9. По возможности устранения отка
IT-STUDHELP
: 20 мая 2023
500 руб.
ВЫПУСКНАЯ КВАЛИФИКАЦИОННАЯ РАБОТА МАГИСТРА. Исследование характеристик сети транкинговой связи Алматы – Талдыкорган Республики Казахстан Магистерская диссертация
const30
: 13 марта 2018
В ходе исследования были выделены несколько важнейших архитектурных признаков, присущих транкинговым системам. Одним из признаков является ограниченная (а значит, недорогая) инфраструктура. В многозоновых транкинговых системах она более развита.
Также это большой пространственный охват зон обслуживания базовых станций, который объясняется необходимостью поддержания групповой работы на обширных территориях и требованиями минимизации
стоимости системы. Для достижения высокой эффективности капитало
const30
: 13 марта 2018
1340 руб.
Теплотехника МГУПП 2015 Задача 1.2 Вариант 09
Z24
: 7 января 2026
Газ массой М с начальными параметрами (давлением р1 и температурой t1) изотермически расширяется до увеличения объема в ε раз, а затем адиабатно сжимается до первоначального объема. Определить:
первоначальный объем и объем в конце изотермического расширения;
давление в конце изотермического расширения и адиабатного сжатия;
температуру в конце адиабатного сжатия;
изменение энтропии в процессе изотермического сжатия;
работу изотермического расширения и адиабатного сжатия.
Изобразить данные
Z24
: 7 января 2026
200 руб.
