Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)(Сибгути До, 3 вариант, контрольная)
-
Категории:
Электротехника и электроника, ДО СИБГУТИ, Работа Контрольная
-
Добавлен:
07.10.2018
-
Размер:
84 KB
-
Покупок:
2
-
Добавил:
MayaMy
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
ЭЭиС(часть 2).docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 20.03.2018
Рецензия:Уважаемая ___,Вы правильно решили задачи
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 20.03.2018
Рецензия:Уважаемая ___,Вы правильно решили задачи
Игнатов Александр Николаевич
Дополнительная информация
2018, Сибгути До, Игнатов Александр Николаевич, зачет.
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
Илья272
: 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)(Сибгути до, вариант 1, экзамен)
MayaMy
: 7 октября 2018
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 03.05.2018
Рецензия:Уважаемая ___,Вы изобразили схему усилительного каскада на БТ
Игнатов Александр Николаевич
MayaMy
: 7 октября 2018
450 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). ВАРИАНТ №3. Контрольная работа.
holm4enko87
: 17 января 2025
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
holm4enko87
: 17 января 2025
300 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Контрольная работа. Вариант №3.
SibGUTI2
: 5 апреля 2016
Контрольная работа
Выбор варианта задания.
Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зав
SibGUTI2
: 5 апреля 2016
100 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
Алексей134
: 4 марта 2021
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Алексей134
: 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
SibGUTI2
: 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
SibGUTI2
: 9 мая 2016
100 руб.
Другие работы
Культурно-бытовой облик учащихся начальной и средней школы XIX начала ХХ веков
Slolka
: 3 сентября 2013
. Введение. Цели и задачи. Обзор источников и литературы
Тема данной курсовой работы посвящена ученикам, получавшим начальное и среднее образование в школах в рамках общеобразовательной программы. Тема ограничена периодом XIX и начала XX века, начиная с 1803/04 годов – времени коренной перестройки всей образовательной системы, и кончая 1917 года, когда школы вошли в качественно новую фазу своего развития (в 1918 году была образована единая трудовая школа). Тема актуальна потому, что в наше врем
Slolka
: 3 сентября 2013
10 руб.
Основы менеджмента.
studypro3
: 30 ноября 2017
Задание 1.
Дайте полный ( развёрнутый) письменный ответ:
1.Системный подход как основа теории управления. Основные положения теории систем. Свойства систем. Классификация систем. Элементарная система.
2. Кибернетические (общие) принципы управления. Закономерности управления системами.
3. Роль обмена информацией в организации. Закономерность извлечения информации из сообщений. Система информационных коммуникаций. Процесс обмена информацией как система с обратной связью.
Задание 2.
studypro3
: 30 ноября 2017
500 руб.
Техническая термодинамика и теплотехника УГНТУ Задача 8 Вариант 73
Z24
: 20 декабря 2025
Водяной пар с начальным давлением р1=5 МПа и степенью сухости х1=0,95 поступает в пароперегреватель, где его температура повышается на Δt; после перегревателя пар изоэнтропно (адиабатно) расширяется в турбине до давления p2. Пользуясь h-s — диаграммой для водяного пара (приложение Д, рисунок Д1), определить:
— количество теплоты (на 1 кг пара), подведенной к нему в пароперегревателе;
— работу цикла Ренкина и степень сухости пара х2 в конце расширения;
— термический КПД цикла;
— работ
Z24
: 20 декабря 2025
180 руб.
Гидравлика БГИТУ Задача 1.2 Вариант 60
Z24
: 8 декабря 2025
На поршень одного из сообщающихся сосудов, наполненных водой, действует сила Р1. Какую силу Р2 нужно приложить ко второму поршню, чтобы уровень воды под ним был на h выше уровня воды под первым поршнем? Диаметр первого поршня d1, второго d2 (рисунок 2).
Z24
: 8 декабря 2025
150 руб.
