Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)(Сибгути До, 3 вариант, контрольная)

Состав работы

F7984518-5A8B-4469-90B9-773614CE220B.rar [ 84 KB ]

ЭЭиС(часть 2).docx [ 90 KB ]

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:

Microsoft Word

Что делать, если файл не открывается

Описание

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 20.03.2018
Рецензия:Уважаемая ___,Вы правильно решили задачи

Игнатов Александр Николаевич

Дополнительная информация

2018, Сибгути До, Игнатов Александр Николаевич, зачет.

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).

1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б

Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные

Илья272 : 11 июня 2021

500 руб.

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).

Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12

******* Не известно Электротехника, электроника и схемотехника Работа Контрольная

Илья272 : 21 мая 2021

350 руб.

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)(Сибгути до, вариант 1, экзамен)

Уважаемый студент, дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2) Вид работы: Экзамен Оценка:Хорошо Дата оценки: 03.05.2018 Рецензия:Уважаемая ___,Вы изобразили схему усилительного каскада на БТ Игнатов Александр Николаевич

Электротехника и электроника ДО СИБГУТИ Билеты

MayaMy : 7 октября 2018

450 руб.

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). ВАРИАНТ №3. Контрольная работа.

Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Работа Контрольная

holm4enko87 : 17 января 2025

300 руб.

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Контрольная работа. Вариант №3.

Контрольная работа Выбор варианта задания. Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50. Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зав

Электротехника СибГУТИ Работа Контрольная

SibGUTI2 : 5 апреля 2016

100 руб.

Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен

1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,

Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные

Алексей134 : 4 марта 2021

100 руб.

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн

ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника

SibGUTI2 : 9 мая 2016

100 руб.

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.

Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная

SibGUTI2 : 9 мая 2016

100 руб.

Лабораторная работа № 4 по дисциплине: Методы оптимальных решений

Лабораторная работа № 4 По дисциплине: Методы оптимальных решений Вариант 5 Задание: Две отрасли могут осуществлять капитальные вложения в 3 объекта. Стратегии отраслей: i-я стратегия состоит в финансировании i-го объекта (i = 1, 2, 3). Учитывая особенности вкладов и местные условия, прибыли первой отрасли выражаются матрицей 3х3. Величина прибыли первой отрасли считается такой же величиной убытка для второй отрасли - представленная игра может рассматриваться как игра двух игроков с нулевой сумм

ДО СИБГУТИ Методы оптимальных решений Работа Лабораторная

greenfield77 : 18 февраля 2016

100 руб.

Теплотехника Задача 13.11 Вариант 50

Водяной пар массой 1 кг с начальным давлением р1 и степенью сухости х1 изотермически расширяется; при этом к нему подводится теплота q. Определить, пользуясь i,s — диаграммой, параметры конечного состояния пара, работу расширения, изменение внутренней энергии, энтальпии и энтропии. Решить также задачу, если расширение происходит изобарно. Изобразить процессы в p,υ- и T,s — диаграммах.

Задачи Теплотехника

Z24 : 3 февраля 2026

200 руб.