Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)(Сибгути До, 3 вариант, контрольная)
-
Категории:
Электротехника и электроника, ДО СИБГУТИ, Работа Контрольная
-
Добавлен:
07.10.2018
-
Размер:
84 KB
-
Покупок:
2
-
Добавил:
MayaMy
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
ЭЭиС(часть 2).docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 20.03.2018
Рецензия:Уважаемая ___,Вы правильно решили задачи
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 20.03.2018
Рецензия:Уважаемая ___,Вы правильно решили задачи
Игнатов Александр Николаевич
Дополнительная информация
2018, Сибгути До, Игнатов Александр Николаевич, зачет.
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
Илья272
: 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)(Сибгути до, вариант 1, экзамен)
MayaMy
: 7 октября 2018
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2)
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 03.05.2018
Рецензия:Уважаемая ___,Вы изобразили схему усилительного каскада на БТ
Игнатов Александр Николаевич
MayaMy
: 7 октября 2018
450 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). ВАРИАНТ №3. Контрольная работа.
holm4enko87
: 17 января 2025
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
holm4enko87
: 17 января 2025
300 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Контрольная работа. Вариант №3.
SibGUTI2
: 5 апреля 2016
Контрольная работа
Выбор варианта задания.
Вариант задания для задач 1,2 определяется по двум последним цифрам студенческого пароля, если они до 50. Если две последние цифры больше 50, то вариант задания определяется как две последние цифры минус 50.
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зав
SibGUTI2
: 5 апреля 2016
100 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
Алексей134
: 4 марта 2021
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Алексей134
: 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
SibGUTI2
: 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
SibGUTI2
: 9 мая 2016
100 руб.
Другие работы
Соединение трубы с муфтой. Задание 73 - Вариант 1
.Инженер.
: 16 декабря 2025
С.К. Боголюбов. Индивидуальные задания по курсу черчения. Задание 73 - Вариант 1
Построить изображение соединения трубы с соединительной деталью (фитингом). На выполненном чертеже нанести обозначение резьбы. Соединительная деталь - Муфта прямая длинная (ГОСТ 8955-75)
В состав работы входит:
Чертеж;
3D модели.
Выполнено в программе Компас + чертеж в PDF.
.Инженер.
: 16 декабря 2025
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Теория связи. Цифры 26
IT-STUDHELP
: 16 мая 2022
Задача No 1
Дано:
Вольт-амперная характеристика (ВАХ) биполярного транзистора аппроксимирована выражением
i_к={(S(u_б-u_0)&u_б≥u_0@0&u_б<u_0 ),
где iк – ток коллектора транзистора;
uб – напряжение на базе транзистора;
S – крутизна ВАХ;
u0 – напряжение отсечки ВАХ.
Значения S, u0 и Um приведены в таблице 1.
Таблица 1
Предпоследняя цифра пароля 2
S, мА/В 110
Последняя цифра номера студенческого билета 6
u0, В 0,50
Um, В 0,35
Требуется:
1 Объяснить назначение модуляции несущей и описать разли
IT-STUDHELP
: 16 мая 2022
1100 руб.
НГТУ. Соединение деталей. Вариант 13 - Муфта
.Инженер.
: 24 апреля 2026
НГТУ. Чертежи сборочных единиц соединенных склеиванием и пайкой. Вариант 13 - Муфта
На основании исходных данных необходимо:
- выбрать метод соединения деталей (склеиванием или пайкой);
- подобрать материал клеящего вещества (марку клея) или припоя (марку припоя) по соответствующим нормативным документам (ГОСТам, ТУ, инструкциям)
- выполнить чертеж сборочной единицы;
- составить спецификацию сборочной единицы.
В состав работы входит:
-3D модели деталей;
-3D сборка;
-Сборочный чертеж
.Инженер.
: 24 апреля 2026
300 руб.
Проблема возникновения жизни на земле
Slolka
: 29 октября 2013
План реферата.
Введение.
Глава 1. Первые шаги.
1.1. Философские мысли о возникновении жизни.
1.2. Религиозные взгляды на жизнь.
1.3. Научный взгляд на жизнь.
1.4. Жизнь из космоса.
Глава 2. Возникновение жизни.
2.1. Предпосылки возникновения жизни на земле.
2.2. Зарождение и развитие эволюционной идеи.
2.3. Эволюция одноклеточных организмов.
2.4. Возникновение и развитие многоклеточной
организации.
2.5. Эволюция растительного мира.
2.6. Эволюция животного мира.
2.
Slolka
: 29 октября 2013
5 руб.
