Устройство оптоэлектроники. контрольная работа 3 семестр

Цена:
85 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 9ED9D8D0-933A-4B83-9634-A552FB4C0986.rar [136 KB]
material.view.file_icon устройство оптоэлектроники контрольная работа 3 семестр.docx [149 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1  Фотодиод со структурой р-i-n
Решение:
Фотодиоды с p–i–n структурой
Структура фотодиода
Расширение частотного диапазона фотодиода без снижения его чувствительности возможно в p-i-n структурах (рис. 1). Фотодиоды p-i-n отличаются простотой конструкции, высокой надежностью, низкой стоимостью.

Дополнительная информация

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 17.04.2018
Рецензия:Уважаемый ............................,Вы неверно указали положение граничной длины волны

Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Устройства оптоэлектроники
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User alru : 22 сентября 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User arkadij : 9 марта 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр. тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7 Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User arkadij : 13 февраля 2016
500 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User alyonka249 : 25 декабря 2015
70 руб.
Устройства оптоэлектроники
Контр. Раб.вариант No08.4 сем Задача No1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.(фототиристор) Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр Тип ПП материала - Ge(германий) Квантовая эффективной ŋ = 0,2 Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ. Задача No3. Изобразить принципиальную
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User женя68 : 6 декабря 2010
80 руб.
Устройства оптоэлектроники
СибГУТИ. Контрольная работа. Вариант 10. Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Задача №3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответств
СибГУТИ Электроника физическая Работа Контрольная
User nat2744 : 13 ноября 2009
100 руб.
Устройства оптоэлектроники зачет
Устройства оптоэлектроники зачет
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User Антон28 : 8 августа 2025
500 руб.
Устройства оптоэлектроники и нанофотоники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре студенческого билета 21. № варианта Тип фотоприёмника (ФП) 1 Фотодиод со структурой p-i-n
******* Не известно Оптоэлектроника и нанофотоника Работа Контрольная
User Yuliyatitova : 1 апреля 2020

Другие работы

Лабораторная работа по физике №1. Вариант №9. Изучение характеристик электростатического поля»
Цель работы: 1. Изобразить графически сечение эквипотенциальных поверхностей электростатического поля, созданного заданной конфигурацией электрических зарядов 2. Используя изображение эквипотенциальных поверхностей, построить силовые линии электростатического поля заданной конфигурации зарядов 3. При помощи полученной картины силовых и эквипотенциальных линий проверить справедливость формулы связи напряжённости электрического поля с его потенциалом Задание на эксперимент Задание № 1. Исследова
ДО СИБГУТИ Физика Работа Лабораторная
User Лема : 16 июля 2021
150 руб.
Экономика связи
ЗАДАЧА №4 Определите изменение себестоимости 100 рублей доходов от основной деятельности в плановом периоде по сравнению с отчетными данными, если известно, что: 1. Затраты на производство и реализацию услуг связи в отчетном периоде составляют 8000 тыс. руб., в том числе постоянные расходы - 60%, переменные - 40%. 2. Доходы основной деятельности в отчетном периоде - 12000 тыс. руб. 3. Планируемый прирост доходов - 5%.
Задачи ДО СИБГУТИ Экономика отраслевая
User mahaha : 5 марта 2017
15 руб.
Типы световодов, их параметры - Электромагнитные поля и волны. Билет №3.
Электромагнитные поля и волны. Билет №3. Типы световодов, их параметры. Структура поля симметричных и гибридных волн. Особенности критического режима. Задача 1 В волноводе прямоугольного сечения а = 48 мм, b = 22 мм распространяется основной тип волны. Амплитуда напряженности электрического поля на оси волновода равна E = 60 В/м. Стенки волновода выполнены из меди, удельная проводимость меди = 5, Сим/м. Требуется: 1.Определить частотные границы одноволнового режима. 2.Определить затухание, об
ДО СИБГУТИ Электромагнитные поля и волны Работа Зачетная
User rmn77 : 6 января 2024
5 руб.
Типы световодов, их параметры - Электромагнитные поля и волны. Билет №3. promo
Кран угловой - МЧ00.41.00.00 СБ
С.К. Боголюбов. Чтение и деталирование сборочных чертежей. Альбом. 1986 г. Задание 41. Кран угловой. Деталирование. Сборочный чертеж. Модели. Угловой кран предназначен для перекрытия пара, поступающего из парового котла через штуцер поз. 2 к рабочему органу. Чтобы не было утечки пара предусмотрено сальниковое уплотнение из колец поз. 8, которые при затяжке накидной гайкой поз. 4 плотно прилегают к шпинделю поз. 3. Для этой же цели служит прокладка поз. 9 между корпусом поз. 1 и штуцером. В сос
Чертежи Инженерная и компьютерная графика
User .Инженер. : 28 июля 2022
170 руб.
Кран угловой - МЧ00.41.00.00 СБ promo
up Наверх