Устройство оптоэлектроники. контрольная работа 3 семестр

Цена:
85 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 9ED9D8D0-933A-4B83-9634-A552FB4C0986.rar [ 136 KB ]
material.view.file_icon устройство оптоэлектроники контрольная работа 3 семестр.docx [ 149 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1  Фотодиод со структурой р-i-n
Решение:
Фотодиоды с p–i–n структурой
Структура фотодиода
Расширение частотного диапазона фотодиода без снижения его чувствительности возможно в p-i-n структурах (рис. 1). Фотодиоды p-i-n отличаются простотой конструкции, высокой надежностью, низкой стоимостью.

Дополнительная информация

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 17.04.2018
Рецензия:Уважаемый ............................,Вы неверно указали положение граничной длины волны

Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Устройства оптоэлектроники
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User alru : 22 сентября 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User arkadij : 9 марта 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр. тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7 Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User arkadij : 13 февраля 2016
500 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User alyonka249 : 25 декабря 2015
70 руб.
Устройства оптоэлектроники
Контр. Раб.вариант No08.4 сем Задача No1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.(фототиристор) Задача No2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр Тип ПП материала - Ge(германий) Квантовая эффективной ŋ = 0,2 Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ. Задача No3. Изобразить принципиальную
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User женя68 : 6 декабря 2010
80 руб.
Устройства оптоэлектроники
СибГУТИ. Контрольная работа. Вариант 10. Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Задача №3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответств
СибГУТИ Электроника физическая Работа Контрольная
User nat2744 : 13 ноября 2009
100 руб.
Устройства оптоэлектроники зачет
Устройства оптоэлектроники зачет
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User Антон28 : 8 августа 2025
500 руб.
Устройства оптоэлектроники и нанофотоники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре студенческого билета 21. № варианта Тип фотоприёмника (ФП) 1 Фотодиод со структурой p-i-n
******* Не известно Оптоэлектроника и нанофотоника Работа Контрольная
User Yuliyatitova : 1 апреля 2020

Другие работы

Методы изучения внутренней и внешней среды организации
1 Введение_________________________________________3 2 Анализ внутренней структуры_______________________5 3 Анализ внешней структуры_________________________ 4 Внешняя микросреда______________________________ 5 Внешняя макросреда 6 Методы анализа внутренне и внешней среды 7 Анализ внутренней и внешней среды на примере ГКБ№13 ВВЕДЕНИЕ Важнейшим понятием в менеджменте является организация. Каждое действие всех без исключения организаций возможно только в том случае, если среда допускает его осу
Менеджмент Работа
User Elfa254 : 5 апреля 2014
5 руб.
Вариант №38. Съемник
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16 Приспособление для съемки шкивов, шестерен, подшипников качения и других деталей с неподвижными посадками. На коромысло (3) надеты захваты (1), на которые в свою очередь опирается демонтируемый узел. Винт (2), в верхнее отверстие которого вставляется рычаг, снимает (выдавливает) деталь со шкива подшипника. По бокам к коромыслу винтами (5) прикреплены пластинки-предохранители (4) свободно сидящих захватов. Чертежи деталей: 1. Захват 2. Винт силовой 3.
СФУ Чертежи Инженерная графика
User Чертежи : 7 февраля 2019
140 руб.
Вариант №38. Съемник promo
Определение размеров впускного клапана
Исходные данные. Для варианта No 2 заданы следующие параметры: – Индекс Маха Z = 0,48. – Частота вращения n = 5600 об/мин. – Диаметр цилиндра и ход поршня S = D = 0,112 м. – Температура воздуха на впуске T0) = 306 К. – Средний коэффициент расхода C̄f = 0,41. – Показатель адиабаты γ = 1,33. – Газовая постоянная R = 287 Дж/(кг·К). Задача. Требуется определить: 1. Площадь впускного клапана (Av). 2. Отношение площади впускного клапана к площади поршня (Av/Ap). Расчёт необходимо произвести для получе
Механика жидкости и газов Работа Контрольная
User Решатель : 8 февраля 2025
750 руб.
Определение размеров впускного клапана
Проектирование тележки мостового крана грузоподъемностью 80 кН
1.Составление технических данных для расчета МПГ 2.Выбор схемы размещения МПГ на тележке мостового крана 2.1.Выбор схемы подвешивания грузов 2.1.1.Схема подвешивания груза к барабану 2.1.2. Определение краткости полиспаста 2.1.3. Определение числа параллельных потоков 2.1.4. Определение КПД полиспаста 3. Выбор каната для МПГ 3.1.Определение максимального натяжения каната 3.2.Определение требуемой разрывной нагрузки каната в целом 3.3. Подбор каната 3.3.1.Обозначение к
Подъемно - транспортные устройства Работа Курсовая
User DoctorKto : 13 мая 2012
150 руб.
Проектирование тележки мостового крана грузоподъемностью 80 кН
up Наверх