Устройство оптоэлектроники. контрольная работа 3 семестр
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
22.10.2018
-
Размер:
136 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
xadmin
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
устройство оптоэлектроники контрольная работа 3 семестр.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Решение:
Фотодиоды с p–i–n структурой
Структура фотодиода
Расширение частотного диапазона фотодиода без снижения его чувствительности возможно в p-i-n структурах (рис. 1). Фотодиоды p-i-n отличаются простотой конструкции, высокой надежностью, низкой стоимостью.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Решение:
Фотодиоды с p–i–n структурой
Структура фотодиода
Расширение частотного диапазона фотодиода без снижения его чувствительности возможно в p-i-n структурах (рис. 1). Фотодиоды p-i-n отличаются простотой конструкции, высокой надежностью, низкой стоимостью.
Дополнительная информация
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 17.04.2018
Рецензия:Уважаемый ............................,Вы неверно указали положение граничной длины волны
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 17.04.2018
Рецензия:Уважаемый ............................,Вы неверно указали положение граничной длины волны
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Устройства оптоэлектроники
alru
: 22 сентября 2016
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
alru
: 22 сентября 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
arkadij
: 9 марта 2016
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
arkadij
: 9 марта 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
arkadij
: 13 февраля 2016
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7
Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
arkadij
: 13 февраля 2016
500 руб.
Устройства оптоэлектроники
alyonka249
: 25 декабря 2015
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
alyonka249
: 25 декабря 2015
70 руб.
Устройства оптоэлектроники
женя68
: 6 декабря 2010
Контр. Раб.вариант No08.4 сем
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.(фототиристор)
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр Тип ПП материала - Ge(германий)
Квантовая эффективной ŋ = 0,2 Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ.
Задача No3.
Изобразить принципиальную
женя68
: 6 декабря 2010
80 руб.
Устройства оптоэлектроники
nat2744
: 13 ноября 2009
СибГУТИ. Контрольная работа. Вариант 10.
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника.
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответств
nat2744
: 13 ноября 2009
100 руб.
500 руб.
Устройства оптоэлектроники и нанофотоники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Задача №1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре студенческого билета 21.
№ варианта Тип фотоприёмника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Другие работы
Экономическая политика германского фашизма
Elfa254
: 6 ноября 2013
I.Экономическая политика германского фашизма
1. Германия после 1 Мировой войны
1.1 Версальский мирный договор
1.2 Приход фашизма к власти
2. Милитаризация экономики Германии
2.1 Германская корпоративная экономика
2.2 Централизованный хозяйственный механизм
2.3 Финансово- кредитные проблемы
2.4 Аграрная политика
2.5 Подготовка к войне
Заключение
Список использованной литературы
Введение
Развитие особенностей экономической политики фашизма рассматриваются нами на основе анализа закон
Elfa254
: 6 ноября 2013
10 руб.
Тепломассообмен СЗТУ Задача 5 Вариант 62
Z24
: 21 февраля 2026
По паропроводу, внутренний диаметр которого d1, движется пар со средней температурой, равной tж1, коэффициент теплоотдачи от пара к стенке α1, а температура окружающей среды tж2=20 ºС. Коэффициент теплопроводности стенки λст=48 Вт/(м·К),толщина стенки δст.
Определить тепловые потери в следующих случая:
а) при оголенном паропроводе, непосредственно охлаждаемом окружающей средой; интенсивность теплоотдачи от паропровода к среде определяется величиной коэффициента теплоотдачи α2;
б) при по
Z24
: 21 февраля 2026
150 руб.
Экзамен по дисциплине: Архитектура телекоммуникационных систем и сетей. Билет №9
IT-STUDHELP
: 28 марта 2023
Билет №9
1. Характеристики технологии ATM.
2. Разновидности коммутации пакетов.
3. Задача:
Определить кратчайший путь между А и В, используя алгоритм Дейкстры.
=============================================
IT-STUDHELP
: 28 марта 2023
500 руб.
Предприятие и предпринимательство в экономике переходного периода
alfFRED
: 31 октября 2012
Содержание
Введение................................................................................................... 3
Глава I. Типы предприятий в переходной экономике........................... 4
Становление субъектов рыночных отношений................................... 4
Особенности эволюции крупных предприятий.................................. 6
Холдинги и финансово–промышленные группы............................... 9
Задачи развития малых предприятий.......................................
alfFRED
: 31 октября 2012
10 руб.
