Устройство оптоэлектроники. контрольная работа 3 семестр
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Устройство оптоэлектроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
22.10.2018
-
Размер:
136 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
xadmin
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
устройство оптоэлектроники контрольная работа 3 семестр.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Решение:
Фотодиоды с p–i–n структурой
Структура фотодиода
Расширение частотного диапазона фотодиода без снижения его чувствительности возможно в p-i-n структурах (рис. 1). Фотодиоды p-i-n отличаются простотой конструкции, высокой надежностью, низкой стоимостью.
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников
Вариант Тип фотоприемника (ФП)
1 Фотодиод со структурой р-i-n
Решение:
Фотодиоды с p–i–n структурой
Структура фотодиода
Расширение частотного диапазона фотодиода без снижения его чувствительности возможно в p-i-n структурах (рис. 1). Фотодиоды p-i-n отличаются простотой конструкции, высокой надежностью, низкой стоимостью.
Дополнительная информация
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 17.04.2018
Рецензия:Уважаемый ............................,Вы неверно указали положение граничной длины волны
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Устройства оптоэлектроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 17.04.2018
Рецензия:Уважаемый ............................,Вы неверно указали положение граничной длины волны
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Устройства оптоэлектроники
alru
: 22 сентября 2016
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
alru
: 22 сентября 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
arkadij
: 9 марта 2016
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
arkadij
: 9 марта 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
arkadij
: 13 февраля 2016
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр.
тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7
Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
arkadij
: 13 февраля 2016
500 руб.
Устройства оптоэлектроники
alyonka249
: 25 декабря 2015
Раздел: Физические основы оптоэлектроники
1.Закон Снеллиуса.
Раздел Излучатели.
2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы.
Раздел «Фотоприемные приборы и устройства»
3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой.
Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств».
4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
alyonka249
: 25 декабря 2015
70 руб.
Устройства оптоэлектроники
женя68
: 6 декабря 2010
Контр. Раб.вариант No08.4 сем
Задача No1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника(ФП). Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприёмника.(фототиристор)
Задача No2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приёмника.Изобразить вид спектральной характеристики ФП и указать на ней λгр Тип ПП материала - Ge(германий)
Квантовая эффективной ŋ = 0,2 Ширина запрещённой зоны ∆W = 0,6 ЭВ.
Задача No3.
Изобразить принципиальную
женя68
: 6 декабря 2010
80 руб.
Устройства оптоэлектроники
nat2744
: 13 ноября 2009
СибГУТИ. Контрольная работа. Вариант 10.
Задача № 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника.
Задача №3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора соответств
nat2744
: 13 ноября 2009
100 руб.
500 руб.
Устройства оптоэлектроники и нанофотоники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Задача №1
Изобразить структуру фотоприёмника. Изобразить ВАХ фотоприёмника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фоторезистора. Номер варианта для 1 задачи соответствует последней цифре студенческого билета 21.
№ варианта Тип фотоприёмника (ФП)
1 Фотодиод со структурой p-i-n
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Другие работы
Модернизация системы очистки вентиляционных выбросов арматурного цеха ОАО “КСМ-1”
Proffrr6699
: 19 октября 2014
СОДЕРЖАНИЕ
Введение.......................................................................................................6
1. Характеристика предприятия-завода как источника загрязнения окружающей среды……………………………….……………………..….. 8
1.1. Общая характеристика предприятия и технологии производства в ОАО «КСМ-1» г. Ростов-на-Дону…………….. ……………………..…….8
1.2. Характеристика источников загрязнения атмосфе-ры…………….
Proffrr6699
: 19 октября 2014
1000 руб.
Техническая термодинамика и теплотехника УГНТУ Задача 6 Вариант 40
Z24
: 16 декабря 2025
Газ — воздух с начальной температурой t1=27ºC сжимается в одноступенчатом поршневом компрессоре от давления p1=0,1 МПа до давления р2. Сжатие может происходить по изотерме, по адиабате и по политропе с показателем политропы n. Определить для каждого из трех процессов сжатия:
— конечную температуру газа t2,ºC;
— отведенную от газа теплоту Q,кВт;
— теоретическую мощность компрессора N, если его производительность G.
Дать сводную таблицу и изображение процессов в p-υ и T-s — диаграммах.
Z24
: 16 декабря 2025
220 руб.
Расчет и проектирование дома культуры на 600 мест
evelin
: 24 февраля 2015
Будинок культури призначений для проведення концертів, спектаклів, зустрічів з визначними людьми. В ньому є також клас хору та клас оркестру, де співаки та музиканти можуть відточувати своє мистецтво. В класі театрального мистецтва є усі умови для репетицій спектаклів. В студії образотворчого мистецтва передбачається створити гуртки для занять юних художників. Не обійшли увагою людей з технічними талантами. Запроектовано кабінет технічної творчості , де люди зможуть зустрічатися для обміну ідеям
evelin
: 24 февраля 2015
400 руб.
Теория электрических цепей (часть 2-я). Экзамен. Билет №3
TAUQOT
: 10 июня 2016
1. Сущность задачи аппроксимации фильтров Баттерворта и Чебышева.
2. Задача
Дискретная цепь описывается разностным уравнением:
y[n]=x[n]=1.5*x[n-1]-x[n-2]+0.6*x[n-3]
а) Записать передаточную функцию H(z) цепи;
б) Записать АЧХ H() цепи;
в) Привести схему дискретной цепи;
г) Определить отсчеты дискретной импульсной характеристики h[n] цепи;
д) Используя уравнение дискретной свертки, рассчитать отсчеты реакции y[n] цепи на воздействие x[n]=[-1; 1.5; 0; 2].
3. Задача
Дано:
R=XL=100 Ом
а) Н
TAUQOT
: 10 июня 2016
300 руб.
