Экзаменационная работа. Электроника.

Цена:
75 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 4F390063-110C-413C-A877-63AE09285B6C.rar [ 333 KB ]
material.view.file_icon Экзамен. Электроника.doc [ 401 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 04.10.2018

Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Электроника. Экзаменационная работа.
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характе
Электротехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User Багдат : 18 июня 2016
36 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
1.Структурные схемы и поколения ОУ. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и п
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User rambox360 : 25 января 2016
100 руб.
Экзаменационная работа по электронике
Вопрос №1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП. Вопрос №2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос №3. - Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа; - Приведите передаточную и выходные х
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User Dctjnkbxyj789 : 16 января 2016
70 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Teuserer : 18 декабря 2015
50 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзис
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User pepol : 16 декабря 2014
50 руб.
Электроника. Экзаменационная работа
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User aleks797 : 20 января 2013
100 руб.
Экзаменационная работа по Электронике
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Jurgen : 12 января 2012
170 руб.
Электроника. Экзаменационная работа.
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные хара
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User naviS : 7 ноября 2011
115 руб.

Другие работы

Контрольная работа №1 по предмету "Электромагнитные поля и волны". Вариант №1
ЗАДАЧА No1 Плоская электромагнитная волна распространяется в безграничной немаг-нитной среде с относительной диэлектрической проницаемостью и удель-ной проводимостью . Частота колебаний f ,амплитуда напряженности магнитного поля Нm. Определить: 1. Модуль и фазу волнового сопротивления среды. 2. Сдвиг фаз между составляющими поля Е и Н 3. Коэффициент затухания и фазовую постоянную. 4. Длину волны в среде и расстояние, на котором амплитуда волны затухает на 100 дБ. 5. Отношение плотностей тока
СибГУТИ Электромагнитные поля и волны Работа Контрольная
User te86 : 27 мая 2013
60 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Программирование графических процессоров. Вариант №13
Вариант №13 Задание 1. Дана спецификация графического процессора: 1. Максимальное число варпов на мультипроцессор: 64 2. Максимальное число блоков на мультипроцессор: 16 3. Максимальное количество 32-х битных регистров на мультипроцессор: 65536 4. Максимальное количество 32-х битных регистров на блок: 65536 5. Максимальное количество 32-х битных регистров на нить: 255 6. Размер разделяемой памяти мультипроцессора (байт): 32768 7. Размер разделяемой памяти блока (байт): 24576 Параметры запускае
Программирование графических процессоров СибГУТИ Работа Контрольная
User IT-STUDHELP : 14 апреля 2023
750 руб.
promo
Дисциплина «Государственные и муниципальные финансы». Расчетное задание. Вариант 1
Расчетное задание №2: Расчет основных параметров бюджета муниципального образования. Определите в процентах изменение расходов бюджета муниципального образования в прогнозируемом году по сравнению с текущим годом при следующих условиях: - в прогнозируемом году профицит муниципального бюджета составит X % от объема его доходов; - расходы муниципального бюджета в текущем году составят Y млрд. руб; - доходы бюджета муниципального бюджета в прогнозируемом году составят Z млрд. р. Показатель Вариа
Государственное и муниципальное управление ДО СИБГУТИ Работа Контрольная
User ДО Сибгути : 16 февраля 2016
100 руб.
promo
Основы информационной безопасности. Вариант №16
1. Информационные войны. 2. Проблема уязвимости информации. Методы и модели оценки уязвимостей. Рекомендации по их использованию. 3. Эффективная работа какой из функций системы защиты информации обеспечивает 100-процентную безопасность? Аргументируйте ответ. В чем сложность обеспечения данной функции на практике? оценка:зачет
Информационные технологии и системы СибГУТИ Работа Экзаменационная
User bap2 : 2 февраля 2016
100 руб.
up Наверх