Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
100 Физика. Спец. главы. Лабораторная работа №6.8. Вариант №3ID: 197684Дата закачки: 15 Января 2019 Продавец: Студенткааа (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Работа Лабораторная Форматы файлов: Microsoft Office Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ Описание: Лабораторная работа 6.8 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: (1) где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда. В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n+ = n- = n Тогда (2) Здесь µn и µp- подвижность электронов проводимости и дырок, соответственно. Строго говоря, от температуры зависят и концентрация, и подвижности носителей заряда. Однако, во многих случаях в узком диапазоне температур зависимостью подвижностей от температуры можно пренебречь и считать подвижности постоянными, не зависящими от температуры. В данной работе рассматривается именно этот случай. Зависимость концентрации собственных носителей от температуры описывается экспонентой: (3) Здесь Eg - ширина запрещенной зоны, k- постоянная Больцмана, T- температура образца, n0- концентрация носителей при высоких температурах. Отсюда (4) Обозначим n0 e(µn+µp)= и условно назовем это электропроводностью образца при бесконечно большой температуре. В результате получим выражение для электропроводности образца: (5) Таким образом, зависимость электропроводности собственного полупроводника от температуры является экспоненциальной. Уравнение (5) поддается экспериментальной проверке и позволяет определить ширину запрещенной зоны полупроводника Eg . Именно это и является целью данной лабораторной работы. Прологарифмируем формулу (5). Получим: (6) Отсюда следует, что график зависимости от представляет собой прямую линию, что легко проверить практически. Для вычисления ширины запрещенной зоны Eg поступим следующим образом. Построим прямую (6). В уравнении (6) имеем два неизвестных: ширину запрещенной зоны Eg и логарифм электропроводности при бесконечно большой температуре lns 0. Возьмем на прямой (6) две произвольные точки. Уравнение (6) для этих точек запишется как (7) Решив эту систему относительно Eg получим: (8) Формула (8) является рабочей для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника. В данной работе полупроводниковый образец выполнен в виде параллелепипеда, имеющего длину l, ширину a и высоту b. Для вычисления электропроводности образца воспользуемся законом Ома. Электрическое сопротивление образца по закону Ома равно (9) где U- электрическое напряжение на образце, I- сила тока через образец. Приняв во внимание геометрию образца и связь электропроводности и удельного сопротивления найдем выражение для электропроводности полупроводникового образца (10) где S=ab- площадь поперечного сечения образца. Комментарии: Уважаемый студент, дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Физика (спец. главы) Вид работы: Лабораторная работа 1 Оценка:Зачет Дата оценки: 05.12.2017 Рецензия:Уважаемый , Ваша лабораторная работа проверена. Экспериментальный результат правильный. В ответах на контрольные вопросы ошибка не найдены Размер файла: 116,9 Кбайт Фаил: ![]() ------------------- Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные! Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку. Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот. -------------------
Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать! Некоторые похожие работы:Лабораторная работа По дисциплине: Физика (спецглавы). Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант №1. СИБГУТИЛабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (спец. главы). Вариант №5. Лабораторная работа №3 по дисциплине: Физика(спецглавы). Тема:"Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников". Вариант 7. (2-й семестр) Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (специальные главы) Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №3 Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: «Физика (спец.главы)». Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант 08 Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (спец. главы) Тема: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников». Вариант №2 Лабораторная работа №6.8 по дисциплине: Физика (специальные главы). Вариант №1 Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами. |
||||
Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! От 350 руб. за реферат, низкие цены. Спеши, предложение ограничено ! |
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Физика. Спецглавы. / Физика. Спец. главы. Лабораторная работа №6.8. Вариант №3
Вход в аккаунт: