Физические основы электроники. Лабораторная работа. Вариант №03

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon A09EBC0E-CE64-4047-A497-0FA84B8E4AA2.rar [ 675 KB ]
material.view.file_icon Все лабы
material.view.file_icon Лабораторная работа №1.doc [ 288 KB ]
material.view.file_icon Лабораторная работа №2.doc [ 346 KB ]
material.view.file_icon Лабораторная работа №3.doc [ 310 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ) .
Работа № 3 Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).

Дополнительная информация

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 02.05.2018
Рецензия:Уважаемый , Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович


Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 08.05.2018
Рецензия:Уважаемый Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 3
Оценка:Зачет
Дата оценки: 26.05.2018
Рецензия:Уважаемый , Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович

Похожие материалы

Физические основы электроники. Лабораторные работы №1,2,3. Вариант №03.
ЛР№1 Цель работы. Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Подготовка к работе. 1. Изучить следующие вопросы курса: 2. Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 3. Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 4. Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых дио
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Uiktor : 22 февраля 2018
149 руб.
Физические основы электроники. Лабораторные работы №1, №2, №3 ВАРИАНТ 03
Лабораторной работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Целью работы является изучение устройства полупроводникового диода, физические процессы происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Лабораторной работе №2 "Исследование статических характеристик биполярного транзистора" Целью работы является ознакомление с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ), изучение его вольтамперных характе
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User 89370803526 : 18 марта 2020
200 руб.
Лабораторная работа.« Физические основы электроники »
Лабораторная работа № 1 Исследование выпрямительного полупроводникового диода Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров выпрямительных диодов по их вольт-амперным характе-ристикам. Результаты выполнения лабораторной работы 1. Исследование ВАХ полупроводникового выпрямительного диода. Лабораторная работа № 2 Исследование полупроводникового стабилитрона Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров
ТюмГНГУ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Фрося : 25 февраля 2020
1700 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант №03
Задача 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60В, сопротивление нагрузки RН=1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=250мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ=150 мкА. Задача 2 Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1. Задача 3 Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для
******* Не известно Физические основы электроники Работа Контрольная
User Студенткааа : 16 января 2019
200 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант №03.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: 1) построить линию нагрузки; 2) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; 3
ДО СИБГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User Uiktor : 2 марта 2018
90 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 03. Контрольная работа и Лабораторная работа №1,2,3.
Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 03. Контрольная работа и Лабораторная работа 1,2,3. Контрольная работа Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие
ДО СИБГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User glebova95 : 22 апреля 2020
75 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1,2,3
Описание: Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора Работа № 3 Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Diawol : 25 сентября 2019
40 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1,2,3
Физические основы электроники. Лабораторная работа №3
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 1. Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). 2 . Подготовка к работе 2.1. Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур. 2.1.2. Схемы включения ПТ. 2.1.3. Статические характеристики. 2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам. 2.2. Ответить на следующие контрольные вопросы: 2.2.1. О
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User sprut89 : 16 сентября 2019
100 руб.

Другие работы

Силовой двухобмоточный трансформатор
Ведение. Трансформаторы–это наиболее распространённые устройства в современной электротехнике. Трансформаторы большой мощности составляют основу систем передачи электроэнергии от электростанций в линии электропередачи. Они повышают напряжение переменного тока, что необходимо для экономной передачи электроэнергии на значительные расстояния. В местах распределения энергии между потребителями применяют трансформаторы, понижающие напряжение до требуемых для потребителей значений. Наряду с этим, тран
Электротехника Работа
User Aronitue9 : 15 ноября 2012
5 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электроника. Билет №15
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Статические характеристики полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эм
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User SibGOODy : 29 ноября 2018
350 руб.
promo
Оценка стоимости бизнеса. 8-й вариант
Используя метод рынка капитала (метод мультипликаторов) определить стоимость предприятия. Исходная информация для решения задачи представлены в таблице №1 и 2. Задача №2 Определить стоимость предприятия на пост прогнозный период 2016 год методом дисконтирования. Прогноз денежного потока выполнить путем аналитического выравнивания. Исходная информация представлена в таблице №1. Таблица №1 Исходная информация к задаче №2 Задача №3 По данным бухгалтерского баланса ф.1 и отчет о прибылях и убытках ф
СибГУТИ Экономика Работа Контрольная
User Annett222 : 17 октября 2014
200 руб.
Гидростатика и гидродинамика ТИУ Задача 1.3 Вариант 24
Определить удельный вес жидкости, не смешивающейся с водой и находящейся в левом колене U-образной стеклянной трубки на высоте h над границей раздела жидкости и воды. Вода налита в правую часть трубки. Разность уровней жидкости и воды в коленах трубки Δh. Плотность воды принять ρ = 1000 кг/м³.
Задачи
User Z24 : 31 декабря 2026
150 руб.
Гидростатика и гидродинамика ТИУ Задача 1.3 Вариант 24
up Наверх