Физические основы электроники. Лабораторная работа. Вариант №03
-
Категории:
******* Не известно, Работа Лабораторная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
16.01.2019
-
Размер:
675 KB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
Студенткааа
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
|
Лабораторная работа №1.doc
|
|
Лабораторная работа №2.doc
|
|
Лабораторная работа №3.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ) .
Работа № 3 Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ) .
Работа № 3 Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Дополнительная информация
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 02.05.2018
Рецензия:Уважаемый , Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 08.05.2018
Рецензия:Уважаемый Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 3
Оценка:Зачет
Дата оценки: 26.05.2018
Рецензия:Уважаемый , Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 02.05.2018
Рецензия:Уважаемый , Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 2
Оценка:Зачет
Дата оценки: 08.05.2018
Рецензия:Уважаемый Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 3
Оценка:Зачет
Дата оценки: 26.05.2018
Рецензия:Уважаемый , Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Физические основы электроники. Лабораторные работы №1,2,3. Вариант №03.
Uiktor
: 22 февраля 2018
ЛР№1
Цель работы.
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Подготовка к работе.
1. Изучить следующие вопросы курса:
2. Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
3. Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
4. Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых дио
Uiktor
: 22 февраля 2018
149 руб.
Физические основы электроники. Лабораторные работы №1, №2, №3 ВАРИАНТ 03
89370803526
: 18 марта 2020
Лабораторной работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Целью работы является изучение устройства полупроводникового диода, физические процессы происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Лабораторной работе №2
"Исследование статических характеристик биполярного транзистора"
Целью работы является ознакомление с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ), изучение его вольтамперных характе
89370803526
: 18 марта 2020
200 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант №03
Студенткааа
: 16 января 2019
Задача 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60В, сопротивление нагрузки RН=1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=250мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ=150 мкА.
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для
Студенткааа
: 16 января 2019
200 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант №03.
Uiktor
: 2 марта 2018
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
Для этого:
1) построить линию нагрузки;
2) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
3
Uiktor
: 2 марта 2018
90 руб.
Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 03. Контрольная работа и Лабораторная работа №1,2,3.
glebova95
: 22 апреля 2020
Физические основы электроники (ФОЭ). Вариант 03. Контрольная работа и Лабораторная работа 1,2,3.
Контрольная работа
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие
glebova95
: 22 апреля 2020
75 руб.
Лабораторная работа.« Физические основы электроники »
Фрося
: 25 февраля 2020
Лабораторная работа № 1
Исследование выпрямительного полупроводникового диода
Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров выпрямительных диодов по их вольт-амперным характе-ристикам.
Результаты выполнения лабораторной работы
1. Исследование ВАХ полупроводникового выпрямительного диода.
Лабораторная работа № 2
Исследование полупроводникового стабилитрона
Цель работы: Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров
Фрося
: 25 февраля 2020
1700 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники" ВАРИАНТ 03
89370803526
: 18 марта 2020
Выбор варианта задания
Исходные данные к решаемым задачам определяются из таблиц приложения А для задач 1, 2, 3 по последней цифре пароля, для задачи 4 по предпоследней цифре пароля. Необходимые характеристики следует брать из приложения Б.
Варианты заданий для последней цифры пароля.
Таблица П.А.1
No вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc
3 КТ603А 60 1000 250 150 100 2.25 90
Варианты заданий для предпоследней цифры пароля.
Таблица П.А.2
Вариант Тип ПТ UСИ0
89370803526
: 18 марта 2020
250 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 03
Roma967
: 26 сентября 2015
Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления п
Roma967
: 26 сентября 2015
1000 руб.
Другие работы
Особливості впливу сучасної сім’ї на девіантну поведінку молоді
evelin
: 19 октября 2013
Вступ
Розділ 1. Сутність структура і функції родини
1.1 Поняття родини і шлюбу, їхні історичні типи
1.2 Функції родини
Розділ 2. Девіантна поведінка як прояв дисфункцій родини
2.1 Девіантна поведінка як соціальний феномен
2.2 Родина, як середовище прояву основних форм девіантної поведінки
Розділ 3. Конфлікти в сім’ї, як фактор стимуляції девіантної поведінки
3.1 Конфлікти в сім’ї: основні характеристики і причини
3.2 Профілактика і вирішення конфліктів, як засіб оптимізації сімейних від
evelin
: 19 октября 2013
Жуков М.Ф. (ред), Неронов В.А., Лукашов В.П. и др. Новые материалы и технологии. Экстримальные технологические процессы
GnobYTEL
: 13 октября 2012
Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1992. - 183 с.
Монография, обобщающая результаты работ по программе "Сибирь" (разд. "Новые материалы и технологии"), издана в трех книгах. в первой из них изложены перспективы развития методов получения дисперсных материалов, синтеза ультрадисперсных порошков тугоплавких соединений и алмазов, их свойства и области применения. Обсуждаются плазменные технологии получения азотной кислоты, утилизации органических отходов,обработки строительных и тугоплавких м
GnobYTEL
: 13 октября 2012
15 руб.
Стратегическое планирование деятельности коммерческого банка
OstVER
: 7 ноября 2012
План:
Введение
Глава 1. Теоретическая основа стратегического планирования
1.1. Сущность стратегического планирования
Глава 2. Содержание стратегического плана
Глава 3. Анализ стратегического планирования деятельности коммерческого банка (на примере АТФ Банк)
3.1. Общая характеристика банка
3.2. Анализ перспектив и тенденций развития
Заключение
Список использованных источников
Введение
Банки – одно из центральных звеньев системы рыночных структур. Развитие их деятельности – необходимое условие р
OstVER
: 7 ноября 2012
5 руб.
Лабораторная работа №3 по дисциплине: Информатика Вариант 3
DmitryK
: 31 декабря 2020
Лабораторная работа №3
По дисциплине: Информатика
«Типовые и бестиповые подпрограммы-функции»
Задание
В соответствии с индивидуальным заданием, номер которого совпадает с двумя последними цифрами вашего пароля, разработать алгоритмы и программу на языке Си с использованием разработанных автором функций.
Вариант №3
1. Для каждого пункта задания написать подпрограмму-функцию
- сформировать матрицу A(NxN).
- вывести на экран значения матрицы, расположив каждую строку матрицы на строку экр
DmitryK
: 31 декабря 2020
100 руб.
