Физические основы электроники. Билет №11
-
Категории:
******* Не известно, Физические основы электроники, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
18.02.2019
-
Размер:
106 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
ANNA
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Экзамен11.docx
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Импульсные диоды. Особенности работы диодов в импульсном режиме. Параметры.
2. Эквивалентная схема БТ в системе H - параметров и физическая T -образная эквивалентная схема.
2. Эквивалентная схема БТ в системе H - параметров и физическая T -образная эквивалентная схема.
Дополнительная информация
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 27.02.2018
Рецензия:Уважаемый при ответе на первый вопрос не рассмотрен режим пробоя диодов.
Второй вопрос - замечаний нет.
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 27.02.2018
Рецензия:Уважаемый при ответе на первый вопрос не рассмотрен режим пробоя диодов.
Второй вопрос - замечаний нет.
Похожие материалы
Физические основы электроники. Билет № 11
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники.
Билет № 11
1. Импульсные диоды. Особенности работы диодов в импульсном режиме. Параметры.
2. Эквивалентная схема БТ в системе H - параметров и физическая T -образная эквивалентная схема.
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
200 руб.
Физические основы электроники. Зачетная работа. Билет №11
14102002
: 7 мая 2012
Билет № 11
1. Импульсные диоды. Особенности работы диодов в импульсном режиме. Параметры.
2. Эквивалентная схема БТ в системе H - параметров и физическая T -образная эквивалентная схема.
14102002
: 7 мая 2012
60 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №11
Учеба "Под ключ"
: 30 июня 2017
Билет №11
1. Импульсные диоды. Особенности работы диодов в импульсном режиме. Параметры.
2. Эквивалентная схема БТ в системе H - параметров и физическая T -образная эквивалентная схема.
Учеба "Под ключ"
: 30 июня 2017
300 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
erboollat
: 21 июня 2020
130 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
erboollat
: 21 июня 2020
120 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
2. Отчет о работе
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ.
На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Контрольная работа
По дисциплине: Физические основы электроники
Выполнил: Титова Ю.В.
Группа: Т-61в
Вариант: №01
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, опреде
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
300 руб.
Другие работы
Контрольная работа по дисциплине: Техника мультисервисных сетей. Задание 4 (N=2, M=5, K=5)
SdachaNa5
: 14 июня 2022
Задание 4
Привести схемы подключения абонентов к услугам, предоставляемым по технологии PON. Количество абонентов рассчитать по данным таблицы 4.1 при 100% подключении (из расчета 1 квартира – 1 абонент).
В задании должно быть отражено:
- описание технологии PON (1-2 листа);
- описание передачи информации в восходящем и нисходящем потоке;
- техническое описание характеристики оборудования, применяемого на сети PON (оборудование, применяемое на станционной и абонентской стороне);
- схемы для по
SdachaNa5
: 14 июня 2022
400 руб.
Статистический анализ производства зерна, сахарной свеклы, подсолнечника
alfFRED
: 16 ноября 2013
Содержание
Введение
1.Анализ рядов динамики
1.1. Показатели себестоимости и производственных затрат, их сущность, методика расчета
1.2. Динамики производственных затрат на производство зерна, сахарной свеклы, подсолнечника за 6 лет
1.3. Динамика себестоимости 1 ц. зерна (сахарной свеклы, подсолнечника). Темпы ее роста и прироста, показатели вариации за 9 лет. Выявление тенденций изменения себестоимости 1 ц. за 9 лет
2. Индексный метод анализа
2.1. Сущность индекса, их виды
2.2. Индексный
alfFRED
: 16 ноября 2013
10 руб.
Математическое моделирование технологических процессов
Aronitue9
: 1 января 2011
Содержание
Введение………………………………………………………………………………………………….3
1. Определение режимов резания…………………………………………………………..…5
2. Определение качества поверхности…………………………………………………….…7
3. Получение математической модели процесса точения
цилиндрической поверхности. Оптимизация режимов резания……..…..8
Список литературы……………………………………………………………………..………….11
Приложение1...……………………………………………………………………….………………12
Приложение2………………………………………………………….……………………………...15
Приложение3……………………………………………………………………………….………...17
Aronitue9
: 1 января 2011
42 руб.
ЭМПиВ билет №8 Зачет
syberiangod
: 16 марта 2011
Билет №8
Направленность излучения, мощность и сопротивление излучения элементарного электрического излучателя.
Задача 1
Волна H распространяется в пустом ( =1, =1) круглом волноводе радиусом 1 см. Длина волны генератора, возбуждающего волновод - = 3 см. Определить: 1.Критическую длину волны.
2.Отношение фазовой скорости к скорости света. 3.Продольную постоянную распростран
syberiangod
: 16 марта 2011
150 руб.
