Физические основы электроники. Билет №11
-
Категории:
******* Не известно, Физические основы электроники, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
18.02.2019
-
Размер:
106 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
ANNA
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Экзамен11.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Импульсные диоды. Особенности работы диодов в импульсном режиме. Параметры.
2. Эквивалентная схема БТ в системе H - параметров и физическая T -образная эквивалентная схема.
2. Эквивалентная схема БТ в системе H - параметров и физическая T -образная эквивалентная схема.
Дополнительная информация
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 27.02.2018
Рецензия:Уважаемый при ответе на первый вопрос не рассмотрен режим пробоя диодов.
Второй вопрос - замечаний нет.
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 27.02.2018
Рецензия:Уважаемый при ответе на первый вопрос не рассмотрен режим пробоя диодов.
Второй вопрос - замечаний нет.
Похожие материалы
Физические основы электроники. Билет № 11
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
Зачетная работа по дисциплине: Физические основы электроники.
Билет № 11
1. Импульсные диоды. Особенности работы диодов в импульсном режиме. Параметры.
2. Эквивалентная схема БТ в системе H - параметров и физическая T -образная эквивалентная схема.
Alexbur1971
: 9 декабря 2021
200 руб.
Физические основы электроники. Зачетная работа. Билет №11
14102002
: 7 мая 2012
Билет № 11
1. Импульсные диоды. Особенности работы диодов в импульсном режиме. Параметры.
2. Эквивалентная схема БТ в системе H - параметров и физическая T -образная эквивалентная схема.
14102002
: 7 мая 2012
60 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Билет №11
Учеба "Под ключ"
: 30 июня 2017
Билет №11
1. Импульсные диоды. Особенности работы диодов в импульсном режиме. Параметры.
2. Эквивалентная схема БТ в системе H - параметров и физическая T -образная эквивалентная схема.
Учеба "Под ключ"
: 30 июня 2017
300 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
erboollat
: 21 июня 2020
120 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
erboollat
: 21 июня 2020
130 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
2. Отчет о работе
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ.
На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Контрольная работа
По дисциплине: Физические основы электроники
Выполнил: Титова Ю.В.
Группа: Т-61в
Вариант: №01
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, опреде
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
300 руб.
Другие работы
Психическое развитие в младенческом возрасте
alfFRED
: 18 октября 2013
Содержание
1. Характеристика периода новорожденности. Кризис рождения. Комплекс оживления
2. Рефлексы новорожденного
3. Общение ведущий вид деятельности малыша
4. Движение и действия младенца
5. Развитие познавательных процессов в младенческом возрасте
6. Предпосылки развития личности в младенческом возрасте. Кризис 1 года
Литература
1) Характеристика периода новорожденности. Кризис рождения. Комплекс оживления
Рождение является для организма ребенка большим потрясением. От вег
alfFRED
: 18 октября 2013
10 руб.
Теплотехника МГУПП 2015 Задача 3.2 Вариант 31
Z24
: 8 января 2026
Определить необходимую толщину слоя теплоизоляции δиз наружной стены холодильной камеры (рис. 3), если:
толщина стены δст;
коэффициенты теплопроводности соответственно материала стены и теплоизоляции λст и λиз;
температура наружного воздуха и воздуха в холодильной камере tв1 и tв2;
коэффициенты теплоотдачи от наружного воздуха к стене α1 и от поверхности теплоизоляции к воздуху в холодильной камере α2;
заданная плотность теплового потока q.Оценить также температуры поверхностей tc1, tc2 и
Z24
: 8 января 2026
150 руб.
Вариант 1 - Контрольная работа 1 часть 2 задание 3
Чертежи СибГАУ им. Решетнева
: 15 октября 2026
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16
Вариант 1 - Контрольная работа 1 часть 2 задание 3
Задание 3:
- построить точку пересечения отрезка MN с плоскостью треугольника АВС;
- определить видимость отрезка MN относительно треугольника АВС.
A(120; 70; 20), B(30; 20; 40), C(70, 110, 90)
M(120; 40; 80), N(O; 90; 0)
В состав работы входят 2 файла:
- чертеж задачи с сохранением линий построения, расширение файла *.cdw (для открытия требуется программа компас не ниже 16 версии);
- аналог
Чертежи СибГАУ им. Решетнева
: 15 октября 2026
150 руб.
Основы построения инфокоммуникационных систем и сетей, Курсовая работа, вариант 02
alru
: 19 мая 2017
1. Введение
2. Методы регистрации.
2.1. Регистрация посылок методом стробирования.
2.2. Интегральный метод регистрации.
2.3. Сравнение методов регистрации.
2.4. Задача №1.
3. Синхронизация в системах ПДС
3.1. Устройства синхронизации с добавлением и вычитанием импульсов.
3.2. Параметры системы синхронизации с добавлением и вычитанием импульсов.
3.3. Расчет параметров системы синхронизации с добавлением и вычитанием импульсов.
3.3.1.Задача № 2.
3.3.2.Задача № 3.
3.3.3. Задача № 4.
4.
alru
: 19 мая 2017
100 руб.
