3 семестр ДО. «Физические основы электроники». Лабораторные работы 1-3. В3
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Работа Лабораторная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
21.02.2019
-
Размер:
2 MB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
Мария60
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Лабораторная работа №1.docx
|
|
Лабораторная работа №2.docx
|
|
Лабораторная работа №3.docx
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Отчет по работе №1
по дисциплине: «Физические основы электроники»
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Отчет по работе №1
по дисциплине: «Физические основы электроники»
"ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА"
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
1. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных характеристик с ОБ приведена на рисунках 1-3.
Отчет по работе №1
по дисциплине: «Физические основы электроники»
"ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ"
Цель работы:
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
1. Схема для снятия статической передаточной вольтамперной характеристики полевого транзистора приведена на рисунке 1.
Устанавливаем постоянное напряжение UСИ=10В. Плавно изменяя напряжение на затворе от UЗИ=0В до UЗИ=-0,6В, получаем на осциллографе график IC=f(UЗИ).
Полученные в ходе эксперимента значения сводим в таблицу 1.
по дисциплине: «Физические основы электроники»
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Отчет по работе №1
по дисциплине: «Физические основы электроники»
"ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА"
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
1. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных характеристик с ОБ приведена на рисунках 1-3.
Отчет по работе №1
по дисциплине: «Физические основы электроники»
"ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ"
Цель работы:
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
1. Схема для снятия статической передаточной вольтамперной характеристики полевого транзистора приведена на рисунке 1.
Устанавливаем постоянное напряжение UСИ=10В. Плавно изменяя напряжение на затворе от UЗИ=0В до UЗИ=-0,6В, получаем на осциллографе график IC=f(UЗИ).
Полученные в ходе эксперимента значения сводим в таблицу 1.
Похожие материалы
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
3 . Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения.
Для исследован
sprut89
: 16 сентября 2019
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
ANNA
: 18 февраля 2019
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Mercuryman
: 8 июля 2017
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
Mercuryman
: 8 июля 2017
75 руб.
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
alru
: 26 января 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
alru
: 26 января 2017
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
merzavec
: 8 декабря 2014
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
merzavec
: 8 декабря 2014
50 руб.
Лабораторная работа №1. Физические основы электроники
donkirik
: 19 июня 2014
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
donkirik
: 19 июня 2014
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
parovozz
: 23 декабря 2013
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
parovozz
: 23 декабря 2013
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1.
maromash
: 30 марта 2013
Лабораторная работа № 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
maromash
: 30 марта 2013
350 руб.
Другие работы
Активный и пассивный портфельный менеджмент
evelin
: 21 декабря 2013
Рассмотрим одну из самых актуальных задач современного финансового управления, а именно портфельный менеджмент. Анализ этой проблемы интересен в первую очередь руководителям аналитических отделов банков и инвестиционных компаний и частным инвесторам.
Портфельный менеджмент, т. е. формирование инвестиционного портфеля ценных бумаг, берет свое начало примерно с тех времен, когда появились сами ценные бумаги, и является следствием естественного нежелания инвестора полностью связать свое финансовое
evelin
: 21 декабря 2013
15 руб.
Тепломассообмен КГУ Курган 2020 Задача 1 Вариант 62
Z24
: 12 января 2026
По горизонтально расположенной стальной трубе λ = 20 Вт/(м·К)) со скоростью ω течет вода, имеющая температуру tв. Снаружи труба охлаждается окружающим воздухом, температура которого tвоз при давлении 0,1 МПа. Определить коэффициенты теплоотдачи α1 и α2 соответственно от воды к стенке трубы и от стенки трубы к воздуху, коэффициент теплопередачи и тепловой поток ql, отнесенные к 1 м длины трубы, если внутренний диаметр трубы равен d1, внешний — d2. Данные, необходимые для решения задачи, выбрать и
Z24
: 12 января 2026
250 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Многоканальные телекоммуникационные системы. Билет №5
Учеба "Под ключ"
: 19 февраля 2017
Билет №5
Факультет МЭС
Дисциплина Многоканальные телекоммуникационные системы
1. Тактовая частота группового сигнала ЦСП с ИКМ - ВРК равна 1000 кГц. Данная ЦСП предназначена для передачи 15 информационных со спектром (0.4 ... 4)кГц и 2-х служебных каналов. В каждом канале применяется 8-ми разрядное кодирование. Определить, в какой полосе частот канала будут наблюдаться искажения сигнала на приемной стороне.
2. Нарисовать временную диаграмму получения линейного сигнала в коде CMI из двоичного ц
Учеба "Под ключ"
: 19 февраля 2017
750 руб.
Курсовая по экономике. Изучение себестоимости, ценообразования, оплаты труда
carlos89
: 24 января 2012
Содержание:
Введение 3
1Расчет экономии от снижения себестоимости 4
1.1 Понятие, структура, состав и классификация затрат себестоимости промышленной продукции 6
1.2 Ценообразование 10
1.3 Прибыль, ее экономическое содержание, виды и методы определения 14
1.4. Рентабельность и факторы, влияющие на повышение ее уровня. 17
1.5. Налоговая политика. 20
1.6. Оплата труда работников. 23
1.7. Капитальные вложения. 26
2. Расчетная часть. 30
Исходные данные.
2.1. Составление сметы затрат на производств
carlos89
: 24 января 2012
