3 семестр ДО. «Физические основы электроники». Лабораторные работы 1-3. В3

ID: 198928
Дата закачки: 21 Февраля 2019
Продавец: Мария (Напишите, если есть вопросы)
Посмотреть другие работы этого продавца

Тип работы: Работа Лабораторная
Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ

Описание:
Отчет по работе №1
по дисциплине: «Физические основы электроники»
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.

Отчет по работе №1
по дисциплине: «Физические основы электроники»
"ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА"
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
1. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных характеристик с ОБ приведена на рисунках 1-3.

Отчет по работе №1
по дисциплине: «Физические основы электроники»
"ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ"
Цель работы:
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
1. Схема для снятия статической передаточной вольтамперной характеристики полевого транзистора приведена на рисунке 1.
Устанавливаем постоянное напряжение UСИ=10В. Плавно изменяя напряжение на затворе от UЗИ=0В до UЗИ=-0,6В, получаем на осциллографе график IC=f(UЗИ).
Полученные в ходе эксперимента значения сводим в таблицу 1.

Размер файла: 2,3 Мбайт
Фаил: