3 семестр ДО. «Электроника». Экзаменационная работа. В3. Билет №1

Цена:
230 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 3AE624EB-0D64-4DFB-BA82-D04F8429ECA5.rar [ 137 KB ]
material.view.file_icon 1. Экзамен.doc [ 207 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».

1.Аналоговые ключи на транзисторах.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.

3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Похожие материалы

Экзаменационная работа по дисциплине: Электроника. Билет №1
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Аналоговые ключи на транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с об
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User holm4enko87 : 3 декабря 2024
300 руб.
promo
Экзаменационная работа по дисциплине: Электроника. Билет №1
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Аналоговые ключи на транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с об
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User SibGOODy : 2 апреля 2018
350 руб.
promo
Экзаменационная работа по дискретной математике. 3 семестр, Билет № 1
Зав.кафедрой Билет No 1 Дисциплина Дискретная математика 1. Проверить, является ли тавтологией формула: 2. Применяя равносильные преобразования привести булеву функцию к минимальной KНФ. 3.Построить конечный детерминированный автомат, минимизировать его, записать канонические уравнения.
СибГУТИ Дискретная математика Работа Экзаменационная
User Jurgen : 21 октября 2011
200 руб.
Физические основы электроники. Экзаменационная работа. Билет №1.
Физические основы электроники. Экзаменационная работа. Билет № 1. 1. Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность. 2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
СибГУТИ Физические основы электроники Работа Экзаменационная
User seka : 14 сентября 2018
100 руб.
Экзаменационная работа. Электроника.
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характе
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Entimos : 16 ноября 2018
75 руб.
Электроника. Экзаменационная работа.
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характе
Электротехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User Багдат : 18 июня 2016
36 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
1.Структурные схемы и поколения ОУ. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и п
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User rambox360 : 25 января 2016
100 руб.
Экзаменационная работа по электронике
Вопрос №1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП. Вопрос №2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос №3. - Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа; - Приведите передаточную и выходные х
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User Dctjnkbxyj789 : 16 января 2016
70 руб.

Другие работы

Контроль и автоматизация обработки КПЭ
Вопросы к зачету по дисциплине « Контроль и автоматизация обработки КПЭ», УГАТУ, 2010 г. Так же приведена программа дисциплины, по которой эти вопросы составлены. Для специальности "Высокоэффективные процессы обработки материалов" (ВТ). Краткий перечень вопросов: В чём заключается кибернетический подход к техпроцессу и оборудованию для обработки КПЭ. Основные положения кибернетического управления обработкой КПЭ. Модели, структура технологических комплексов для обработки КПЭ. Многофакторность вли
Разное Тесты
User Aronitue9 : 18 марта 2012
20 руб.
Развитие хозяйства приграничного региона
Исследования приграничности как нового фактора социально-экономического развития Центрального Черноземья представляют большую научную ценность и практический интерес. Настоящие изыскания направлены на комплексное землеописание прилегающих к границе территорий Центрального Черноземья и Северо-Востока Украины с точки зрения своеобразия географического положения, размеров и конфигурации территории, выступающих в качестве важных факторов социально-экономического развития региона. Они в большой сте
Сельское, лесное хозяйство и землепользование Рефераты
User Elfa254 : 3 сентября 2013
10 руб.
Лабораторная работа №3. Схемотехника. Функциональные узлы на базе транзисторов
Лабораторная работа №3. Схемотехника. Функциональные узлы на базе транзисторов. Цель работы. Ознакомиться с принципами работы биполярных транзисторов в ключевом режиме на примере схемы симметричного мультивибратора. Исследовать свойства симметричного мультивибратора. Задачи. В данной работе были поставлены следующие задачи: 1) построить компьютерную модель симметричного мультивибратора в среде NI Multisim; 2) исследовать влияние параметров схемы симметричного мультивибратора на выходной сигнал
Схемотехника Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет ЛЭТИ Работа Лабораторная
User DiKey : 3 июля 2022
220 руб.
Лабораторная работа №3. Схемотехника. Функциональные узлы на базе транзисторов
Теплотехника КНИТУ Задача ТД-9 Вариант 79
Путем сравнительного расчета показать целесообразность применения пара высоких начальных параметров и низкого конечного давления на примере паросиловой установки, работающей по циклу Ренкина. Для этого определить предполагаемое теплопадение, термический КПД цикла и удельный расход пара для двух вариантов значений начальных и конечных параметров пара. Указать конечное значение степени сухости х2 (при давлении р2) на Ts- и hs — диаграммах. Изобразить схему простейшей паросиловой установки и дат
Задачи Теплотехника
User Z24 : 16 января 2026
250 руб.
Теплотехника КНИТУ Задача ТД-9 Вариант 79
up Наверх